采用直角探头低介电常数脆薄膜的纳米压痕诱导裂缝的数值模拟研究课题.docx

毕业论文翻译 学院： 材料科学与工程 专业： 金属材料工程 姓名： 王含哲 学号： 指导老师： 李旭东 时间： 2016年四月 采用直角探头低介电常数脆薄膜的纳米压痕诱导裂缝的数值模拟研究 1.简介 超低电介质常数（低k）膜的实施已经成为在微电子工业的未来技术节点是必不可少的。然而，由于其机械强度低，裂缝和脱层正在成为面对半导体工业的主要挑战。断裂力学范式已经被广泛应用到解决一些相关的薄膜破裂的挑战。经典断裂力学实验，包括四点弯曲，双悬臂弯曲和终点缺口弯曲试验已广泛应用到叠薄膜。然而，随着技术的要求决定与较差的机械性能较薄的膜，进行宏观破裂实验的应用变得越来越繁琐，也较不相关。因此，有必要开发更本地化的和健壮的方法，如可以很容易地施加到薄膜和不方便试样配置压痕实验。在这方面，纳米压痕实验构成一个完善的方法，并已用于薄膜的各种机械性能，包括弹性模量和硬度，泊松比和薄膜也断裂特性，包括它们的内聚破坏特性和相关的也粘接性能的估计成功地应用薄膜分层。各种类型的金字塔形的凹槽探针已被用于薄膜断裂韧性的特性，包括维克斯，Berkovich压和立方角探头，所有其中可以潜在地诱导脆性薄膜凝聚力的径向裂纹。立方角的探针的一个具体优点是，由于其更加尖锐轮廓膜塑性的影响被最小化，并且可以在实验被忽略。在这种情况下，柔性膜的断裂韧性涂覆在相对刚性的基材，例如在硅衬底上的低k膜，可以根据不同的径向裂纹，压痕力并且还压痕探头的形状的长度凭经验估计。 因此，使用立体角探测纳米压痕组成用数值模拟的方法，以帮助更好地理解裂纹萌生和扩展的低k的底层机制进一步研究有利于低k电介质膜的内聚破坏性能表征一个有前途的方法影片。为此，在目前的研究使用立方角探针薄膜缩进的FE模型被开发和相关的薄膜和基板各种机械和断裂性能的影响进行了研究。另外，该模型是由比较对低k膜的实验结果所证实。 2材料和方法 2.1几何模型 使用的Abaqus 6.14 FEA包（达索系统SIMULIA）构建一个立方角探针缩进的FE模型上涂覆一个相对坚韧的基板上的脆性薄膜和在Abaqus的标准分析，参见图1.用钝边缘（40纳米边缘圆角半径）一种立方角探针构造为三维离散刚性part.One第三对称是为了最大限度地减少运算成本采用模拟薄膜衬底组件。该膜的厚度为600nm建模和组成的其中用一个有凝聚力的接触相互作用在径向裂纹的平面连接并因此桡骨骨折用的是聚接触行为建模的两个半对称部分。该膜组装到使用粘性接触相互作用，以从薄膜衬底模型的基板.半径捕获膜的潜在脱层一个3μm厚的基片为2.6微米，并在圆周方向上的元件侧的长度为小作为压痕的中心，在那里与探针的初始接触发生14纳米。在径向方向上的元件长度被保持一致但是，以便最小化从网目尺寸的径向裂纹生长的任何影响。之所以选择基材的网眼尺寸为180纳米的最小单元的边缘长度相对大。总共电影和底物按类型C3D8I的，分别为14712和688的线性六面体不兼容模式元素离散。使用不兼容当尖锐探针启动脱粘过程模式元素显著改善探针和膜之间的初始接触的收敛和处理。压头探针型R3D4的6898线性四边形元素和类型R3D3的38线三角形单元网格划分。基于AMESH敏感性研究，并确保电位元件的扭曲没有在与探针接触的区域发生选择该离散化方案。 2.2材料特性 首先，600纳米厚的有机硅酸盐玻璃的低k膜的与直接从纳米压痕实验已知2.4（OSG 2.4）的介电常数的属性（即杨氏模量= 8GPa，临界内聚能的GC = 0.3焦耳/米2）被分配到硅的膜和机械性质（即杨氏模量= 170 GPA）分别为分配给基片和模型的结果与实验进行比较来校准膜的内聚破坏模式断裂模拟。如前面提到的，使用了聚接触属性来模拟径向裂纹。内聚接触属性允许通过定义基于内聚破坏牵引分离法的接触属性模拟薄膜的两个半对称部件的两个粘性表面之间的键的降解和破坏。甲损害发起准则和损伤演化规律需要定义捕捉裂纹萌生和扩展。线性牵引分离损伤模型基于最大公称接触应力损伤引发的标准用于损伤演化在一起，如图所示。 1.降解的过程开始时的接触应力满足最大应力损坏起始准则如下： 在那里，TN 0表示接触应力的峰值时的分离是纯粹垂直于界面。鉴于径向裂纹开口模式占主导地位的我，它的响应发现没有是因为剪切分离缺席的情况下选择ofmode II和III启动压力敏感，但它被发现我萌生应力模式高度敏感。这就是为什么只有正常的牵引力是为径向裂纹模拟兹讨论。值得注意的是，压接触应力被假定不开始其由麦考利括号强调损害。损伤演化是基于断裂能等于牵引分离曲线下的面积，并使用线性软化行为定义，参见图1。正规化是通过使用0.0002的粘度系数，以提高解决方案融合和加快模拟，包括在粘结破坏接触性损伤的稳定进行。使用自动