光电检测技术常用器件及应用研讨.ppt

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光电检测技术常用器件及应用研讨

* 几种不同封装的光电耦合器件结构 (a)对射式 (b)反光式 2 . 光电耦合器件的特点 ⑴ 具有电隔离的功能 它的输入、输出信号间完全没有电路的联系,所以输入和输出回路的电子零位可以任意选择。绝缘电阻高达1010~l012Ω,击穿电压高达100~25kV,耦合电容小于1PF。 ⑵ 信号传输方式 信号传输是单向性的,不论脉冲、直流都可以使用。适用于模拟信号和数字信号。 ⑶ 具有抗干扰和噪声的能力 它作为继电器和变压器使用时,可以使线路板上看不到磁性元件。它不受外界电磁干扰、电源干扰和杂光影响。 ⑷ 响应速度快 ⑹ 即具有耦合特性又具有隔离特性 它能很容易地把不同电位的两组电路互连起来,圆满地完成电平匹配、电平转移等功能; 一般可达微秒数量级,甚至纳秒数量级。它可传输的信号频率在直流至10MHz之间。 ⑸ 实用性强 具有一般固体器件的可靠性,体积小(一般φ6×6mm),重量轻,抗震,密封防水,性能稳定,耗电省,成本低,工作温度范围在-55~+l00℃之间。 3、光电耦合器件的特性参数: (1)电流传输比β 在直流工作状态下,将光电耦合器件的集电极电流Ic与发光二极管的注入电流IF之比,定义为光电耦合器件的电流传输比,用β表示。 在其中部取一工作点Q: 在传输小信号时,交流电流传输比 : Ic1 Ic3 Ic2 IC/mA IF2 IF3 IF1 Q Q2 Q1 Q3 ΔIF ΔIF ΔIF O UC/V 图3-49 光电耦合器的输出特性曲线 10 30 20 50 40 60 70 0 20 40 100 60 80 120 IF/mA β/% 图3-50 IF与β的关系曲线 (2)最高工作频率fm 光电耦合器件的频率特性分别取决于发光器件与光电接收器件的频率特性。 由发光二极管与光电二极管组成的光电耦合器件的频率响应最高,其fm接近于10MHz fm1 fm3 fm2 f/MHz 0.707 1.0 相对输出 0 RL1RL2RL3 RL1 RL2 RL3 光电耦合器件的频率特性 ~ RF Ci RF0 EF Ui RL ~ Uo Co Ec Rc 光电耦合器件的频率特性测量电路 4 光电耦合器件的抗干扰特性 强有力的抑制尖脉冲及各种噪声等的干扰,从而提高性噪比,原因: 光电耦合器的输入阻抗很低,一般为10Ω~1KΩ,而干扰源的内阻很大,一般为103~106 Ω,按一般分压比的原理来计算,能够馈送到光电耦合器件输入端的干扰噪声就变的很小了; 一般干扰噪声源的内阻很大,虽然能供给较大的干扰电压,但可供的能量很小,只能形成微弱的电流。而光电耦合器件输入端的发光二极管只有在通过一定的电流时才能发光,因此,即使电压幅值很高的干扰,由于没有足够的能量,也不能使发光二极管发光; 光电耦合器件的输入/输出端是用光耦合的,且这种耦合又在一个密封管壳内进行的,因而不会受到外界光的干扰; 光电耦合器件的输入/输出间的寄生电容很小(0.5~2pF),绝缘电阻又非常大(1011~1013 Ω ),因而输出系统内的各种干扰噪声很难通过光电耦合器件反馈到输入系统中。 5 光电耦合器件的应用 (1)用于电平转换 工业控制系统所用集成电路的电源电压和信号脉冲的幅度常不尽相同,如TTL的电源为5V,HTL为12V,PMOS为-22V,CMOS则为5~20V。如果在系统中必须采用二种集成电路芯片,就必需对电平进行转换,以便逻辑控制的实现。 图5-53所示为利用光电耦合器件实现PMOS电路的电平与TTL电路电平的转换电路。光电耦合器件不但使前后两种不同电平的脉冲信号耦合起来而且使输入与输出电路完全隔离。 (2) 用于逻辑门电路 利用光电耦合器件可以构成各种逻辑电路,图3-54所示为两个光电耦合器组成的与门电路,如果在输入端Ui1和Ui2同时输入高电平1,则两个发光二极管GD1和GD2都发光,两个光敏三极管TD1和TD2都导通,输出端就呈现高电平“1”。若输入端Ui1或Ui2中 有一个为低电平“0”,则输出光电三极管中必有一个不导通,使得输出信号为“0”,故为与门逻辑电路,Uo= Ui1· Ui2。 光电耦合器件还可以构成与非、或、或非、异或等逻辑电路。 图3-55所示典型应用电路中左侧的输入电路电源为13.5V的HTL逻辑电路,中间的中央运算器、处理器等电路为+5V电源,后边的输出部分依然为抗干扰特性高的HTL电路。 将这些电源与逻辑电平不同的部分耦合起来需要采用光电耦合器。 输入信号经光电耦合器送至中央运算、处理部分的TTL电路,TTL电路

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