单元5IGBT研讨.ppt

图中画出了一正弦波的正半波，并将其划分为k等分(图中k＝7)。将每一等分中的正弦曲线与横轴所包围的面积都用一个与此面积相等的等高矩形波所替代，从而得到一组等效于正弦波的一组等幅不等宽的矩形脉冲的方法称为逆变器的正弦脉宽调制(SPWM)。 2．单极性调制 3．双极性调制 一般将正弦调制波的幅值与三角载波的峰值之比定义为调制度M(亦称调制比或调制系数。 在SPWM变换器中，使用最多的是三相桥式逆变器。三相桥式逆变器一般都采用双极性控制方式。U、V和W三相的SPWM的控制通常公用一个三角波载波信号，用三个相位互差120°的正弦波作为调制信号，以获得三相对称输出。U、V和W各相功率开关器件的控制规律相同。 三相桥式逆变器 在双极性SPWM控制方式中，同一相上、下两个臂的驱动信号都是互补的。但实际上为了防止上、下两个臂直通而造成短路，在给一个臂施加关断信号后，再延迟时间，才给另一个臂施加导通信号。延迟时间的长短主要由功率开关器件的关断时间决定。这个延迟时间将会给输出的SPWM波形带来影响，使其偏离正弦波。 图示为 三相SPWM波形 3．SPWM的优点 (1) 在一个可控功率级内调频、调压，简化了主电路和控制电路的结构，使装置的体积小、重量轻、造价低。 (2) 直流电压可由二极管整流获得，交流电网的输入功率因数接近1；如有数台装置，可由同一台不可控整流器输出作直流公共母线供电。 (3) 输出频率和电压都在逆变器内控制和调节，其响应的速度取决于电子控制回路，而与直流回路的滤波参数无关，所以调节速度快，并且可使调节过程中频率和电压相配合，以获得好的动态性能。 （4）输出电压或电流波形接近正弦，从而减少谐波分量。 4．关于SPWM的开关频率 SPWM调制后的信号中除了含有调制信号和频率很高的载波频率及载波倍频附近的频率分量之外，几乎不含其它谐波，特别是接近基波的低次谐波。因此， SPWM的开关频率愈高，谐波含量愈少。当载波频率越高时，SPWM的基波就越接近期望的正弦波。 但是，SPWM的载波频率除了受功率器件的允许开关频率制约外，开关器件工作频率提高，开关损耗和换流损耗会随之增加。另外，开关瞬间电压或电流的急剧变化形成很大的或，会产生强的电磁干扰；高、还会在线路和器件的分布电容和电感上引起冲击电流和尖峰电压 （1）静态特性 伏安特性 IGBT的伏安特性与GTR类似，不同之处是，控制参数是门源电压VGS，而不是基极电流，伏安特性分饱和区（Ⅰ）、放大区（Ⅱ）和击穿区（Ⅲ）。如果无N+缓冲区，正反向阻断电压可以做到同样水平，但加入缓冲区，反向阻断电压只有几十伏。 4、工作特性与参数 VBR IC VCE 当MOSFET的导电沟道充分开启，IGBT的集电极电流主要由钉二极管部份决定，其通态伏安特性为指数函数，而VMOS和GTR皆为线性关系。因此，在同样的耐压下，使用IGBT比使用VMOS和GTR更容易通过较大电流，获得更大的功率输出。如对于600V等级的器件，IGBT能够承受的最大电流密度一般是VMOS的20倍，是GTR的5倍左右。 由于IGBT中的电导调制效应的影响，PT型IGBT的饱和压降，在小电流区域具有负温度系数，在大电流区域具有正温度系数。但NPT型IGBT中，电导调制效应的影响没有PT型IGBT强，因此NPT型IGBT具有正温度系数，适应于并联使用。 饱和压降特性 转移特性 由图可知，IGBT电流密度较大，通态电压的温度系数在小电流范围内为负，大电流范围内为正，其值约为1.4倍/100℃。 这是因为在低电流区域，VBE、hFE起支配作用，故具有负的温度系数。而在大电流区Repi，Rch起支配作用，器件便具有正温度系数。 VCE IC 由于MOSFET和PNP管在这里是达林顿接法，其电流不会像MOSFET那样从零伏开始上升，而是存在着PNP晶体管VBE所需要的偏置电压。一旦电导调制效应发生后，其动态电阻与MOSFET相比则非常小。 IGBT不适合于要求器件压降低于0.7V的场合下使用 击穿电压高的IGBT器件电流容量较低。高耐压器件的N基区较宽。 （2）动态特性（开关特性） IGBT动态特性 钳位效应：G-E驱动电流≈ 二极管正向特性 拖尾电流MOS已经关断，IGBT存储电荷释放缓慢 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行 开通延迟时间td(在) ——从uGE上升至其幅值10%的时刻，到iC上升至10% ICM????? 电流上升时间tr ——iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间 开通时间吨——开通延迟时间与电流上升时间之和 uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。tfv1——I