61电荷耦合器件的基本原理讲述.ppt

6.1.1 MOS结构特征 对于半导体器件，当金属电极加上正电压时，接近半导体表面的空穴被排斥，电子增多，在表面下一定范围内只留下受主离子，形成耗尽区。该区域对电子来说是一个势能很低的区域，也称势阱。加在栅极上的电压愈高，表面势越高，势阱越深；若外加电压一定，势阱深度随势阱中电荷量的增加而线性下降。 CCD的工作条件： 势阱的深度与存储能力都是由表面势所决定。 * * CCD是能完成光学图像转换、信息存贮和按顺序输出（称自扫描）视频信号的全过程 的光电器件。 它的自扫描输出方式消除了电子束扫描造成的图像光电转换的非线性失真。即CCD图像 传感器的输出信号能够不失真地将光学图像转换成视频电视图像。 与真空摄像器件相比,CCD还有以下优点： (1) 体积小，重量轻，功耗低；耐冲击，可靠性高，寿命长； (2) 无象元烧伤、扭曲，不受电磁场干扰； (3) 象元尺寸精度优于1μm,分辨率高； (4) 基本上不保留残象（真空摄像管有15%～20%的残象）。 (5) 视频信号与微机接口容易。 6.1电荷耦合器件的基本原理 CCD背景介绍 W.S.Boyle与G.E.Smith 1969年秋，美国贝尔实验室的W.S.Boyle和G.E.Smith受磁泡的启示，提出了CCD的概念。CCD是英文Charge Coupled Device的缩写，中文为 “电荷耦合器件”。 电荷耦合器件 Charge Coupled Device 简称CCD CCD的分类 ?? 表面沟道电荷耦合器件（SCCD）——信号电荷存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输。 ?? 体内沟道或埋沟道电荷耦合器件（BCCD）——信号电荷存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体内部沿一定方向传输。 按电荷转移的沟道分： 按光敏元的排列分： 线阵CCD ??面阵CCD CCD图像传感器目前已经成为图像传感器的主流产品。其应用研究成为当今高新技术的主流课题。它的发展推动了广播电视、工业电视、医用电视、军用电视、微光与红外电视技术的发展，带动了机器视觉的发展，促进了公安刑侦、交通指挥、安全保卫等事业的发展。 CCD的应用 CCD是在MOS晶体管的基础上发展起来的，但与MOS晶 体管的工作原理不同。MOS晶体管是利用在电极下的半导体表面形成的反型层进行工作的，而CCD是利用在电极下SiO2—半导体界面形成的深耗尽层（势阱）进行工作的，属非稳态器件。 CCD的特点是以电荷作为信号，不是以电流或电压作为信号。 在P型或N型硅单晶的衬底上生长一层厚度约为0.1-0.2微米的SiO2层，然后按一定次序沉积N个金属电极作为栅极，栅极间的间隙约2.5μm，电极的中心距离15～20μm ，于是每个电极与其下方的SiO2和半导体间构成了一个金属-氧化物-半导体结构，即MOS结构。 CCD线阵列 CCD 单元 这种结构再加上输入、输出结构就构成了N位CCD。 MOS结构 单元－像素 由多个像素组成线阵,金属栅极是分立的，氧化物与半导体是连续的 在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多子）的分布是均匀的。 当栅极施加正电压UG（此时UG≤Uth）时，在电场的作用下，电极下Ｐ型区域里的多数载流子空穴被排斥到衬底的底侧，硅表面处留下不能移动的带负电的粒子，产生耗尽区。 势 阱 施加正电压 空穴耗尽区 栅极正向电压增加时，势阱变深。 －－改变UG，调节势阱深度 势阱的形成 UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变得非常高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层（沟道）。 深度耗尽状态 N型(P沟道） P型(N沟道） UG＞ Uth时， 耗尽区对于带负电的电子来讲是一个势能很低的区域，若注入电子，电场则吸引它到电极下的耗尽区。表面处构成了对 于电子的“陷阱”，称之为表面势阱，势阱积累电子的容量取决于势阱的“深度”，而表面势的大小近似与栅压VG成正比。 MOS电容具有存储电荷的能力 当势阱中填满了电子, 势阱中的电子不再增加了，便达到稳态（热平衡状态）。因此信号电荷的储存必须在达到稳态之前完成。 稳定条件下，不能向势阱中注入电荷，在非稳定条件下，即在深耗尽时，人为的注入信号电荷，如电注入和光注入，就能达到人为的存储和转移电荷的目的。 电子 －－被吸入势阱 产生电子－空穴对 空穴 －－栅极电压排斥 光注入： 产生电子－空穴对 6.1.2 CCD的势阱深度与电荷的存储 简单写成以下形式： 这些关系即为CCD的基础理论