1 试述位错反应及其能否进行的条件。
答: 由几个位错合成为一个新位错或由一个位错分解为几个新位错的过程称为位错反应。
位错反应能否进行,取决于两个条件:⑴ 几何条件,即反应前各位错的柏氏矢量之和应等于反应后的柏氏矢量之和。⑵ 能量条件,即反应后各位错的总能量应小于反应前的总能量。由于位错的能量正比于柏氏矢量的平方,故此条件可写为 2 解释在固熔强化效果上间隙机制优于置换机制的原因。
答:间隙式熔质原子的强化效果一般要比置换式熔质原子更显著。这是因为间隙式熔质原子往往择优分布在位错线上,形成间隙原子“气团”,将位错牢牢钉扎住,从而造成强化。相反,置换式熔质原子往往均匀分布,虽然由于熔质和熔剂原子尺寸不同,造成点阵畸变,从而增加位错运动的阻力,但这种阻力比间隙原子气团的钉扎力小得多,因而强化作用也小得多。
3 简述纯金属晶体长大的机制及其与固-液界面结构的关系。
答:晶体长大机制是指晶体微观长大方式,它与液-固界面结构有关。
具有粗糙界面得物质,因界面上约有50%的原子位置空着,这些空位都可接受原子,故液体原子可以单个进入空位与晶体相连接,界面沿其法线方向垂直推移,呈连续式长大。
具有光滑界面的晶体长大,不是单个原子的附着,而是以均匀形核的方式,在晶体学小平面上形成一个原子层厚的二维晶核与原界面形成台阶,单个原子可以在台阶上填充,使二维晶核侧向长大,当该层填满后,则在新的
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