12双端MOS电容结构预案.pptVIP

* XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(1) 零栅压情形 理想MOS电容： 绝缘层是理想的，不存在任何电荷； Si和SiO2界面处不存在界面陷阱电荷； 金半功函数差为0。 系统热平衡态，能带平，表面净电荷为0 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2) 小的正栅压情形 (耗尽层) 小的正栅压：多子耗尽， 表面留下带负电的受主离子，不可动，且由半导体浓度的限制，形成负的空间电荷区。 能带变化： P衬表面正空穴耗尽，浓度下降，能带下弯， 注意：正栅压↑，增大的电场使更多的多子耗尽， xd↑，能带下弯增加 xd：空间电荷区（耗尽层、势垒区）的宽度。 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:p型衬底(2) 大的正栅压情形 (反型层+耗尽层) 大的正栅压： 能带下弯程度↑，表面 EFi 到 EF下，表面具n型。 P衬表面Na-面电荷密度↑，同时P衬体内的电子被吸引到表面，表面出现电子积累，反型层形成。 注意：栅压↑反型层电荷数增加，反型层电导受栅压调制。 阈值反型后， xd↑最大值XdT不再扩展。 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(1) 正栅压情形 零栅压情形 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面能带图:n型衬底(2) 小的负栅压情形 大的负栅压情形 (耗尽层) n型 (反型层+耗尽层) n型 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1.1 能带图 需掌握内容 N型和P型半导体表面状态随外加栅压的物理变化过程 会画相应各状态能带图 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1.2 耗尽层厚度 本节内容 耗尽层厚度公式 耗尽层厚度在不同半导体表面状态的特点和原因 半导体表面状态和表面势的关系 阈值反型点和阈值电压 空间电荷层电荷与表面势的关系 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面耗尽情形 费米势 表面势 表面空间电荷区厚度 半导体表面电势与体内电势之差 半导体体内费米能级与禁带中心能级之差的电势表示 采用单边突变结的耗尽层近似 P型衬底 耗尽层形成：正栅压，P衬表面多子空穴耗尽，留下固定不动的Na-，由半导体浓度的限制，分布在S表面一定厚度内，负的空间电荷区 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:表面反型情形 阈值反型点： 表面势= 2倍费米势，表面处电子浓度=体内空穴浓度 阈值电压： 使半导体表面达到阈值反型点时的栅电压 表面空间电荷区厚度 P型衬底 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面反型层电子浓度与表面势的关系 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 表面空间电荷层电荷与表面势的关系 本征 堆积 平带 耗尽 本征 弱反型 强反型 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:n型衬底情形 表面空间电荷区厚度 表面势 半导体衬底施主掺杂浓度 n型衬底 阈值反型点： 表面势= 2倍费米势，表面处空穴浓度=体内电子浓度 阈值电压： 使半导体表面达到阈值反型点时的栅电压 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 空间电荷区厚度:与掺杂浓度的关系 实际器件参数区间 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1.2 耗尽层厚度 需掌握内容 耗尽层厚度在不同半导体表面状态的特点和原因 耗尽层厚度公式 半导体表面状态和表面势的关系 阈值反型点的定义 常用器件掺杂范围 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1.3 功函数差 本节内容 功函数和功函数差定义 功函数差对半导体表面的影响 N+ POLY或 P+POLY与硅的功函数差 常用结构的功函数概况 * XIDIAN UNIVERSITY 1.1 MOS电容 功函数差:MOS接触前的能带图 金属的功函数 金属的费米能级 二氧化硅的禁带宽度 二氧化硅的电子亲和能 硅的电子亲和能 功函数：起始能量等于EF的电子，由材料内部逸出体外到真