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第三章  光接收机 光接收机框图 探测器： 实现光电变换。 前放： 实现低噪声放大。 主放： 提供足够的增益，且增益受AGC电路的控制。 均衡器： 保证判决时不存在码间干扰。 判决器， 时钟提取：对信号进行再生。 AGC电路：改变接收机的增益，扩大接收机的动态范围。 §3.1 探测器 半导体探测器： 光电二极管PD (PIN) 雪崩光电二极管APD 光电二极管 工作在反向偏压的PN结二极管。 工作原理----受激吸收。 □ 加反向偏压，形成耗尽区。 □入射光子，h?Eg时产生电子--空穴对。 □在电场的作用下，电子向N区漂移，空穴 向P区漂移。 □电子到达N区，空穴到达P区，被外电路 吸收，形成光生电流。 光电二极管 结构 ----PIN结构 光电二极管 响应波长 □光电效应需满足条件： h?Eg 即: ?hc/Eg □截止波长： 光电二极管 光电转换效率 □量子效率： 光电二极管 暗电流 Id 无光照射时PD的反向电流。 Id: Si: 1nA Ge: 1?A InGaAs: 10nA 光电二极管 响应速度 □常用上升，下降时间表示。 □主要由结电容和负载电阻的时间常数决定。 上升时间(RL=50?) Si: ?300ps Ge: ?500ps InGaAs: 100ps 雪崩光电二极管 工作在高反向偏压的PN结二极管。 入射光功率产生一次光生电流，一次光生电流被雪崩放大，形成较大的反向电流。 雪崩光电二极管 平均雪崩增益 雪崩光电二极管 APD 的温度特性 雪崩光电二极管 APD的倍增噪声 APD 噪声： 量子噪声 暗电流噪声 倍增噪声----影响最大 APD的过剩噪声系数： F(G)?Gx x: 过剩噪声指数。 Si-APD: x: 0.3-0.5 Ge-APD: x: 0.8-1.0 InGaAs-APD: x: 0.5-0.7 雪崩光电二极管 APD的倍增噪声 F(G) 表示由于倍增作用而增加的一个噪声系数。 通过APD倍增后信号功率与G2成正比， 而噪声功率与G2?F(G)=G2+x成正比， 即APD放大噪声比放大信号多Gx倍。 例: G=100, x=0.5, F(G)=10, APD放大噪声比放大信号多10倍。 G=100, x=1.0, F(G)=100, APD放大噪声比放大信号多100倍。 过剩噪声指数为APD的重要指标. §3.2 光接收机的灵敏度 接收灵敏度 (1) 保证达到给定误码率的条件下，光接收机需 要的最小平均光功率。(W，dBm) (2) 保证达到给定误码率的条件下，光接收机需 要的每一光脉冲的最低平均能量。 (3) 保证达到给定误码率的条件下，光接收机需 要的每一光脉冲的最低平均光子数。 §3.2 光接收机的灵敏度 光接收机灵敏度的量子极限 假设： 系统频带无限宽 系统无噪声 光源消光比为零 光电管暗电流为零 量子效率为1 ☆ BER=10-9时， E1=21h? 每个入射‘1’码脉冲应有21个光子的能量。 (2) 每个入射‘1’码脉冲含有的平均光子数为21个。 (3) Pmin=10.5?fb hc/? (1) fb: 码率, ?: 波长 灵敏度与码速的关系 fb?? Pmin?(变差) PIN: Pmin?fb3/2 (4.5dB/比特率倍程) APD：Pmin?fb7/6 (3.5dB/比特率倍程) APD比PIN改善 灵敏度5-10dB 灵敏度与量子极限 差10dB左右 LD消光比对灵敏度的影响 EXT? ? Pmin恶化 □对于PIN ?Pmin?9EXT(%) (dB) □对于APD ?Pmin?18EXT(%) (dB) 例：EXT=10% ?Pmin=1.8dB 其它因素对灵敏度的影响 暗电流 倍增失调 LD量子噪声 模式分配噪声 模式噪声 反射噪声 …… §3.3 光接收机的均衡网络 无码间干扰判决的条件 □线性相移传输系统： H(?)=0 ???2?/Tb H(?)+H(2