第3章微电子IC制造工艺汇编.ppt

第3章 IC制造工艺 1. 液态生长（LPE，Liquid Phase Epitaxy） LPE意味着在晶体衬底上用金属性的溶液形成一个薄层。在加热过的饱和溶液里放上晶体，再把溶液降温，外延层便可形成在晶体表面。原理在于溶解度随温度的变化而变化。 LPE是最简单廉价的外延生长方法，在III/IV族化合物器件制造中有着广泛的应用。但其外延层的质量不高。 大部分AlGaAs/GaAs和InGaAsP/InP器件可用LPE来制作，但已逐渐被VPE（气相外延），MOVPE（金属有机物），MBE（分子束）法取代。 Si基片的卤素生长外延 3. 金属有机物气相外延生长 （MOVPE: Metalorganic Vapor Phase Epitaxy） 英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分 3.2 掩膜（Mask）的制版工艺 什么是掩膜？ 掩膜是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600?800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高，称之为铬版（Cr mask）。 整版及单片版掩膜 IC、Mask Wafer 整版和接触式曝光 2. 图案发生器方法PG（Pattern Generator） 3. X射线制版 4. 电子束扫描法（E-Beam Scanning） 这种技术采用电子束对抗蚀剂进行曝光，由于高速电子的波长很短，分辨率很高。高级的电子束制版设备的分辨率可达50nm，这意味着电子束的步进距离为50nm，轰击点的大小也为50nm。 电子束光刻装置： LEICA EBPG5000+ 电子束制版三部曲 电子束扫描法（续） 3.3 光刻（Lithography）原理与流程 3.3.1 光刻步骤 涂光刻胶的方法 光刻胶通过过滤器滴入晶圆中央，被真空吸盘吸牢的晶圆以2 000?8 000r/min的高速旋转，从而使光刻胶均匀地涂在晶圆表面。 3.3.2 曝光方式 接触式曝光方式的图象偏差问题 掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素 接触式曝光方式的掩膜磨损问题 掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。 2．非接触式光刻 缩小投影曝光系统 缩小投影曝光系统的特点 3.5 淀积与刻蚀（Etching） 刻蚀的作用与被刻蚀的材料 湿法刻蚀 首先要用适当（包含有可以分解表面薄层的反应物）的溶液浸润刻蚀面，然后清除被分解的材料。如SiO2在室温下可被HF酸刻蚀。 湿法刻蚀在VLSI制造中的问题： 接触孔的面积变得越来越小，抗蚀材料层中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效的浸润。 被分解的材料不能被有效的从反应区的小窗口内清除。 干法刻蚀 ——分为：等离子体刻蚀、反应离子刻蚀（RIE）等 3.6 掺杂原理与工艺 1. 热扩散掺杂 2. 离子注入法 离子注入机 离子注入机工作原理 注入法的优缺点 优点： 掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制，杂质分布的均匀。 可进行小剂量的掺杂。 可进行极小深度的掺杂。 较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜。 可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。 在这种工艺中，器件表面的导电层被注入的离子（如Ｏ+）破坏，形成了绝缘区。 缺点： 费用高昂 在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复。 思考题 图3．9 原因：光束不平行，接触不密有间隙 举例： ? =3°， y+2d=10?m， 则有 (y+2d)tg?=0.5?m 掩膜本身不平坦； 晶圆表面有轻微凸凹； 掩膜和晶圆之间有灰尘。 （1）接近式： 接近式光刻系统中，掩膜和晶圆之间有20?50?m的间隙。这样，磨损问题就可以解决了。但分辨率下降，当?3?m时，无法工作。这是因为，根据惠更斯原理，如图所示，小孔成像，出现绕射，图形发生畸变。 图 3.10 （2）投影式工作原理: 水银灯光源通过聚光镜投射在掩膜上。 掩膜比晶圆小，但比芯片大得多。在这个掩膜中，含有一个芯片或几个芯片的图案，称之为母版，即 reticle。 光束通过掩膜后，进入一个缩小的透镜组，把 r