光电子技术固体摄像器件第五章-1次浅析.ppt

多量子阱（MQW）IRFPA材料稳定性好、抗辐射能力强、均匀性好 多量子阱（MQW）IRFPA是一种正在研究的新型IRFPA SPRITE (Signal processing in The Element)探测器——扫积型探测器 8 动态范围与线性度 动态范围＝ 线性度是指在动态范围内，输出信号与曝光量的关系是否成直线关系 图像传感器尺寸 CCD尺寸(inch) 对角线(mm) 宽×高(mm) 1/4 4.5 3.6×2.7 1/3 6 4.8×3.6 1/2 8 6.4×3.6 1/1.8 8.9 7.2×5.3 2/3 11 8.8×6.6 1 16 12.8×9.6 4/3 22.5 18×13.5 三、CMOS摄像器件 采用CMOS技术可以将光电摄像器件阵列、驱动和控制电路、信号处理电路、模／数转换器、全数字接口电路等完全集成在一起，可以实现单芯片成像系统 ——Camera-On-A-Chip 1 CMOS像素结构 无源像素型（PPS） 有源像素型（APS） 无源像素结构 无源像素单元具有结构简单、像素填充率高及量子效率比较高的优点。但是，由于传输线电容较大，CMOS无源像素传感器的读出噪声较高，而且随着像素数目增加，读出速率加快，读出噪声变得更大。 有源像素结构 光电二极管型有源像素（PP－APS） 大多数中低性能的应用 光栅型有源像素结构（PG－APS） 成像质量较高 CMOS有源像素传感器的功耗比较小。但与无源像素结构相比，有源像素结构的填充系数小，其设计填充系数典型值为20%-30%。在CMOS上制作微透镜阵列，可以等效提高填充系数。 2 CMOS摄像器件的总体结构 外界光照射像素阵列，产生信号电荷，行选通逻辑单元根据需要，选通相应的行像素单元，行像素内的信号电荷通过各自所在列的信号总线传输到对应的模拟信号处理器(ASP)及A/D变换器，转换成相应的数字图像信号输出。行选通单元可以对像素阵列逐行扫描，也可以隔行扫描。隔行扫描可以提高图像的场频，但会降低图像的清晰度。行选通逻辑单元和列选通逻辑单元配合，可以实现图像的窗口提取功能，读出感兴趣窗口内像元的图像信息 3 CMOS与CCD器件的比较 CCD摄像器件 灵敏度高、噪声低、像素面积小 难与驱动电路及信号处理电路单片集成，需要使用相对高的工作电压，制造成本比较高 CMOS摄像器件 集成能力强、体积小、工作电压单一、功耗低、动态范围宽、抗辐射和制造成本低 需进一步提高器件的信噪比和灵敏度 Eric R. Fossum. CMOS Image Sensors: Electronic Camera-On-A -Chip. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRONIC DEVICES, 1997, 44(10): 1689-1698 四、红外焦平面器件 红外焦平面器件（Infrared Focal Plane Arrays, IRFPA） 1. IRFPA的工作条件 IRFPA通常工作于1～3μm、3～5μm和8～12μm的红外波段并多数探测300K背景中的目标 典型的红外成像条件是在300K背景中探测温度变化为0.1K的目标 随波长的变长，背景辐射的光子密度增加 用普朗克定律计算的各个红外波段300K背景的光谱辐射光子密度 波长/μm 1～3 3～5 8～12 300K背景辐射光子通量密度 ／光子／(cm2·s) ≈1012 ≈1016 ≈1017 光积分时间（饱和时间） ／μs 106 102 10 对比度（300K背景） ／（％） ≈10 ≈3 ≈1 通常光子密度高于1013／cm2s的背景称为高背景条件，因此3～5μm或8～12μm波段的室温背景为高背景条件。 辐射对比度——背景温度变化1K所引起光子通量变化与整个光子通量的比值，它随波长增长而减小。 IRFPA工作条件：高背景、低对比度 2 IRFPA的分类 按照结构可分为单片式和混合式 按照光学系统扫描方式可分为扫描型和凝视型 按照读出电路可分为CCD、MOSFET和CID等类型 按照制冷方式可分为制冷型和非制冷型 1～3μm波段 代表材料HgCdTe—碲镉汞 3～5μm波段 代表材料HgCdTe、InSb—锑化铟、 PtSi—硅化铂 8～12μm 波段 代表材料HgCdTe 按照响应波段与材料可分为 3. IRFPA的结构 IRFPA由红外光敏部分和信号处理部分组成 红外光敏部分——材料的红外光谱响应 信号处理部分——有利于电荷的存储与转移 目前没有能同时很好地满足二者要求的材料——IRFPA结构多样性 单片式IRFPA 单片式IRFPA主要有三种类型 非本征硅单片式IRFPA 要求制冷，工作于