03.扩散前的表面处理研究.ppt

2003年7月 * 目 录 化学清洗用主要设备的操作规程 （清洗机，甩干机） 概述 化学腐蚀液的配制 工艺过程和工艺条件（操作示范） 各化学清洗液的浓度检测，调整 注意事项 * 概 述 形成起伏不平的绒面，增加硅片对 太阳光的吸收 去除硅片表面的机械损伤层 清除表面油污和金属杂质 硅片表面处理的目的： * 概述：硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程 单晶硅 多晶硅 * 概述：硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割 * 概述：硅片表面的机械损伤层（三）机械损伤层 硅片 机械损伤层（10微米） * 概述：金属杂质对电池性能的影响 * 概述：表面织构化 单晶硅片表面的 金字塔状绒面 单晶硅片表面反射率 * 化学腐蚀液的配制 多晶硅片的清洗腐蚀 九槽清洗机 1 2 3 4 5 6 7 8 9 溶液组成 300克/升NaOH 80℃ 纯水 纯水 纯水 40克/升HF 纯水 65克/升HCl 纯水 纯水 喷淋 作用 清除表面油污,去除机械损伤层 清洗硅片表面残留NaOH 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层 清洗硅片表面残留HF 清除硅片表面金属杂质 清洗硅片表面残留HCl 充分洁净硅片表面 注：纯水是电阻率为18MΩ·cm的去离子水 * 化学腐蚀液的配制 单晶硅片的清洗和制绒 九槽清洗机 超声波清洗 单晶硅片的表面油污比较严重，需要在60℃清洗剂的水溶液中， 利用超声波震荡清洗15分钟。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 溶液组成 100克/升NaOH 80℃ 纯水 20克/升NaOH酒精 80℃ 纯水 40克/升HF 纯水 65克/升HCl 纯水 纯水 喷淋 作用 清除表面油污, 去除机械损伤层 清洗硅片表面残留NaOH 在硅片表面形成类“金字塔“状绒面 清洗硅片表面残留制绒液 清除硅片表面残留Na2SiO3和SiO2层 清洗硅片表面残留HF 清除硅片表面金属杂质 清洗硅片表面残留HCl 充分洁净硅片表面 * 化学腐蚀的原理 热的NaOH溶液去除硅片表面机械损伤层： HF去除硅片表面氧化层： HCl去除硅片表面金属杂质： 盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、Cu +、Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 * 工艺过程与工艺条件 1 2 3 4 5 6 7 8 9 多晶 6 5 1 5 5 3 8 3 8 单晶 5 1 25 5 5 3 8 3 8 各槽设定时间（分钟） 注：单晶硅制绒过程中，3号槽须用盖子密封，减少乙醇的挥发。 * 清洗液浓度的检测与调整 滴定管的使用以及滴定技术 滴定管是滴定时准确测量溶液体积的容器，分酸式和碱式两种。酸式滴定管的下部带有磨口玻璃活塞，用于装酸性、氧化性、稀盐类溶液；碱式滴定管的下端用橡皮管连接一个带尖嘴的小玻璃管，橡皮管内有一玻璃球，以控制溶液的流出速度。 * 清洗液浓度的检测与调整 （一）氢氧化钠（NaOH）浓度的检测 NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOH×V NaOH ： M HCl×V HCl 其中M HCl已知，V NaOH=10毫升，V HCl通过测量可知，则未知的氢氧化钠溶液浓度M NaOH可以由计算得到。 M NaOH=0.11×M HCl×V HCl（克/升） * 清洗液浓度的检测与调整 （二）盐酸（HCl）浓度的检测 NaOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M NaOH × V NaOH ： M HCl×V HCl 其中M NaOH已知为80克/升，V HCl=10毫升， V NaOH通过测量可知，则未知的盐酸溶液浓度M HCl可以由计算得到。 M HCl = 7.3×V NaOH * 清洗液浓度的检测与调整（三）氢氟酸（HF）浓度的检测 NaOH + HF = NaF + H2O 40 ： 20 M NaOH×V NaOH ： M HF×V HF 其中M NaOH = 80克/升，V HF = 10 ml，V NaOH通过测量可知，则未知的氢氟酸溶液浓度M HF可以由计算得到。 M HF = 4×V NaOH（克/升） * 清洗液的组成和更换 　 1号槽 氢氧化钠