半导体物理学复习提纲2015-6-23论述.doc

、 试卷结构： 一、选择题（每小题分，共分）二、三、题（每小题分，共0分） 题第一章 半导体中的电子状态 §1.1 锗和硅的晶体结构特征 §1.2 半导体中的电子状态和能带 电子共有化运动绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度；本征激发的概念 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量 导带底和价带顶附近的E(k)~k关系； 半导体中电子的平均速度； 有效质量的公式：。 §1.4本征半导体的导电机构 空穴 空穴的特征：带正电；；； §1.5 回旋共振 §1.6 硅和锗的能带结构 硅和锗的能带结构特征： 导带底的位置、个数； 价带结构：价带顶的位置，重空穴带、轻空穴带以及自旋-轨道耦合分裂出来的能带。 硅和锗第二章 半导体中杂质和缺陷能级 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。 §2.2 Ⅲ—Ⅴ族化合物中的杂质能级第三章 半导体中载流子的统计分布 热平衡载流子概念玻耳兹曼） §3.1状态密度 定义式：； 导带底附近的状态密度：； 价带顶附近的状态密度： §3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 Fermi分布函数：； Fermi能级的意义：它和温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关。1）将半导体中大量的电子看成一个热力学系统，费米能级是系统的化学势；2）可看成量子态是否被电子占据的一个界限。3）的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。费米能级位置较高，说明有较多的能量较高的量子态上有电子。 Boltzmann分布函数：； 载流子浓度表达式： ， 导带底有效状态密度 ， 价带顶有效状态密度 载流子浓度的乘积的适用范围。 §3.3. 本征半导体的载流子浓度 本征半导体概念；本征载流子浓度：； 载流子浓度的乘积；它的适用范围。 §3.4杂质半导体的载流子浓度 电子占据施主杂质能的几率是 空穴占据受主能级的几率是 施主能级上的电子浓度为： 受主能级上的空穴浓度为 电离施主浓度为： 电离受主浓度为： §3.5 一般情况下的载流子统计分布 §3.6. 简并半导体 1、重掺杂及简并半导体概念； 2、简并化条件(n型)：，具体地说：1）ND接近或大于NC时简并；2）ΔED小，则杂质浓度ND较小时就发生简并；3）杂质浓度越大，发生简并的温度范围越宽；4）简并时杂质没有充分电离；5）简并半导体的杂质能级展宽为能带，带隙宽度会减小。 3、杂质能带及杂质带导电。 第四章 半导体的导电性 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率 欧姆定律的微分形式：； 漂移运动；漂移速度；迁移率，单位 ； 不同类型半导体电导率公式： §4.2. 载流子的散射. 半导体中载流子在运动过程中会受到散射的根本原因是什么？ 主要散射机构有哪些？ 电离杂质的散射： 晶格振动的散射： §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 描述散射过程的两个重要参量：平均自由时间，散射几率P。他们之间的关系，； 1、电导率、迁移率与平均自由时间的关系。 2、(硅的)电导迁移率及电导有效质量公式： 、 3、迁移率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 各种半导体的电阻率公式：； 本征半导体的电阻率与带隙宽度关系。 不同温区电阻率的变化/不同温区载流子的散射机制。 §4.6 强电场下的效应 热载流子 热载流子概念。 §4.7 多能谷散射 耿氏效应 用多能谷散射理论解释GaAs的负微分电导。 第五章 非平衡载流子 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 非平衡态与非平衡载流子或过剩载流子； 小注入； 附加电导率： §5.2非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的寿命； 复合几率：表示单位时间内非平衡载流子的复合几率，； 复合率：单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对数。。 §5.3 准Fermi能级 1、“准Fermi能级”概念 2、非平衡状态下的载流子浓度： 3、“准Fermi能级”的含义 1）从（5-10）可以看出，EFn-EF，EF-EFp越大，n和p值越大，越偏离平衡状态。反之也可以说，n和p越大，EFn和EFp偏离EF越远。 2）EFn和EFp偏离EF的程度不同 如n-type半导体n0p0。小注入条件下： Δnn0，n=n0+Δn，nn0，n≈n0，EFn比EF更靠近导带底，但偏离EF很小。 Δpp0，p=p0+Δp，pp0，EFp比EF更靠近价带顶，且比EFn更偏离EF。 可以看出：一般情况下，在非平衡状态时，往往总是多数载流子的准F