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* 2 半导体导电理论 一. 本征半导体（semiconductor） 本征半导体是指纯净的半导体。 本征半导体的导电性能在导体与绝缘体 之间。 电子导电：导带中的电子在外磁场中的定向运动. 空穴导电：满带中存在空穴的情况下，电子在满 带内的迁移，相当于空穴沿相反方向运动.空穴 相当于带正电的粒子. 满带上的一个电跃迁到导带后,满带中出现一个空位，称为空穴. 例. 半导体 Cd S 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV 这相当于产生了一个带正电的粒子 (称为“空穴”) , 把电子抵消了。 电子和空穴总是成对出现的。 空带 满带 空穴下面能级上 的电子可以跃迁 到空穴上来, 这相当于空穴 向下跃迁。 满带上带正电的 空穴向下跃迁也 是形成电流, 这称为空穴导电。 ?Eg 在外电场作用下, 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 自由电子 带负电荷 电子流 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 E ＋ － ＋总电流 载流子 空穴 带正电荷 空穴流 本征半导体的导电性取决于外加能量： 温度变化，导电性变化；光照变化，导电性变化。 导电机制 本征Si 原子键合与导电机制： 电场 Si 每当一个电子从价带被激发到导带，便在价带中留下一个电子空位， 空穴 导带电子和价带空穴成对出现: 导带电子: 准自由电子、可在电场的作用下定向运动、形成电流 导带电子 价带空穴: 电场 Si 等效载流子 其导电过程实质上是电场的作用下价电子向空穴的跳跃过程 等效于带正电的空穴沿与价电子相反方向的运动 空穴带正电量： 本征半导体导电： 导带电子和价带空穴的共同贡献 电导率： 导带电子和价带空穴的数密度。 导带电子 二. 杂质半导体 在本征半导体中，以扩散的方式掺入微量其它元素的原子，这样的半导体称为杂质半导体。例如，在半导体锗（Ge）中掺入百万分之一的砷（As），它的导电率将提高数万倍。 杂质半导体，由于所掺杂质的类型不同，又可分为P型半导体和N型半导体。 １. n型半导体 四价的本征半导体 Si、Ｇｅ等，掺入少量五价的杂质（impurity）元素（如P、As等）形成电子型半导体,称 n 型半导体。 ●施主能级的形成 常用作参杂的半导体基体多为四价元素（例如硅或锗），它们以共价键相结合。当五价元素（例如砷）掺入后，这些杂质原子将分散地取代一些硅或锗，砷中的五个价电子中的四个与邻近的硅或锗原子形成共价键而多余一个价电子。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处, ?ED～10-2eV，极易形成电子导电。 由于此时导带中的电子，主要是由杂质中的多余电子形成的局部能级受激跃迁所得，所以该局部属能级称为施主能级． 计算表明，局部能级与导带底部的能级差?Ed大约为0.05eV，其比禁带宽度?Eg（如硅的?Eg为1.14eV)要小很多。在温度不太高的情况下，由于热运动电子就可被激发到导带上去。 此时的杂质即称为施主杂质。 n 型半导体 在n型半导体中 电子……多数载流子 ED Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子 空 带 满 带 施主能级 Eg ●两点说明： 第一，施主杂质中多余的价电子，当其处于施主能级上时是不参与导电的。只是在其受激（不论何种原因）后迁入导带后才能参与导电。 第二，在N型半导体中，除了跃入导带中的施主杂质中的多余价电子外，还有基体半导体中的电子——空穴对，即还有本征载流子。但这时导带中的电子主要是来自施主杂