第五章半导体的导电性说课.ppt

散射几率、弛豫时间、迁移率的数学关系 当几种散射机构同时存在时， 总的散射几率为各项总和。 弛豫时间： (平均自由时间 ) 考虑到迁移率和自由时间的正比关系，可以得到类似的关系式： 结论：散射几率P总是取最大值，时间和迁移率分别小于各自的最小值。 图4-13为n、p型硅的迁移率与杂质浓度和温度的关系。 高纯1013时，杂质散射弱，主要是声学波。温度越高，声子数越多，散射越大，迁移率越小： 如图4-13(a)所示，迁移率与温度的单对数关系呈直线下降，斜率为-2/3。引起迁移率变化的主要原因是声子的散射。在较高温度下，杂质的散射已不重要，主要依赖于温度，故在一定掺杂范围内的迁移率趋向相同数值。 杂质浓度增加为1017cm-3时，迁移率的变化逐渐降低，下降的趋势减弱，表明杂质的散射作用在加强。 当杂质浓度达到较高的1019cm-3时，迁移率的变化呈现出先增加再下降的较为平坦的变化方式。 在低温起作用的公式是： 在高温起作用的公式是： 在更高温度起作用的公式是： 从图中可以看到，当杂质浓度从1017cm-3变化到1019cm-3时，杂质在低温下对迁移率的影响极大。 杂质浓度对迁移率的影响 在非常高的温度下，起主导作用的是晶格散射，为AT3/2项，迁移率下降。 在图4-14中，给出了300K时，杂质浓度与迁移率的关系。 在固定温度下，晶格振动不变，杂质浓度的增加将导致散射的增大，迁移率的下降。 其中，电子的迁移率要大于空穴的迁移率。 300K时，硅、锗、砷化镓的迁移率见表4-1。 需要注意的是：虽然载流子浓度为两种杂质浓度之差(补偿作用)；但是：上两个图中的杂质浓度为“两种浓度之和”。用公式表示为n = ND -NA，Ni(杂质) = ND+NA 5.4 电阻率及其杂质浓度和温度的关系 已经讨论了迁移率的情况，但因迁移率仅表达了微观特性，实际上常用电阻率表示。 在以后的专业实验中，将会用四探针法测量电阻率，下面给出基本的迁移率与电阻率的关系式： 300K： 硅，?为2.3*105 ?cm 锗， ?为47?cm 1.电阻率和杂质浓度的关系 从图4-15可以看出，横坐标的杂质浓度越高，纵坐标的电阻率越小。 杂质浓度的作用可以分为两个方面： ?提供导带电子，使传导电流增加，减小电阻率。 ?形成电离中心，阻碍电子运动，增大 电阻率。 如果杂质浓度增加，迁移率会下降，电阻率增大。而上述的讨论显示电阻率减小。原因？ 若迁移率不大时，对于n型半导体，n?ND，使得 此时， ?的作用大于?的作用，使电阻率减小。 杂质浓度增高达到1018以上时，电阻率的曲线偏离直线，其原因分别是 ?杂质在室温下未全部电离，尤其是重掺杂情况下的简并半导体，杂质阻碍了电子的运动； ?迁移率随杂质浓度的增加将显著下降。 图4-15的作用：“通过杂质浓度计算电阻率”。 例：硅中掺百万分之一的砷。 硅的浓度为：5*1022 cm -3(附表2-1)； 砷的浓度为：5* 1016 cm -3 。 对于n-Si，电阻率约为0.165 ?cm，本征Si:2.3*105 ?cm 。 反之，测出电阻率可以检验材料的纯度。 但，高杂质浓度的补偿材料：电阻率高，看似高纯。 “高纯的材料杂质多，不宜制作器件”。 2.电阻率随温度的变化 纯半导体材料，本征载流子浓度决定了电阻率。 硅：室温时，温度增加8K，电导率增加一倍。其特征被认为是“半导体区别于金属的一个重要特征”。 杂质半导体材料，杂质电离和本征激发共存，电离杂质散射和晶格散射的存在决定了电阻率。 AB段：低温杂质电离导致 载流子增加，电阻率降低； BC段：晶格散射随温度上升而增大，导致电阻率增加； CD段：本征激发导致本征载流子大量增加，电阻率下降。 5.5 玻耳兹曼方程电导率的统计理论 上述的数学关系已经导出了： 平均漂移速度? 电导率? 迁移率?散射几率?自由时间 本节的目的：根据载流子速度的统计分布，“精确计算半导体的电导率”。 利用了两个假设： ?自由时间?是一个常数，与平均速度v无关； ?散射后的速度完全无规则，各方向几率相同， 即可以认为：散射后沿电场方向的初速度为零，电场的加速作用导致了平均漂移速度。 1.玻耳兹曼方程 无外电场作用，温度均匀时，半导体处于热平衡。用费米分布“f”描述电子占据能级的几率。外加电场或温度梯度时，用“f(k,r,t)”表示非平衡态的分布函数。 温度变化与电场变化 温度的不均匀指系统各个部位温度的不同，将引起f(r)的不同，由扩散运动恢复其平衡。 电场的作用是加速载流子的漂移运动速度，即改变量是波矢k,及其相应的能量。这种加速运动由f(k)描述。 载流子在运动过程中受到的阻力主要是“散射”。 因此，从整体来看，由温度和电场引起的不平衡在扩散和散射的作用下，趋向平衡。 相