第五章晶圆制备说课.ppt

第五章 晶圆制备 5.1 概述 在这一章里，主要介绍沙子转变成晶体，以及晶圆和用于芯片制造级的抛光片的生产步骤。 高密度和大尺寸芯片的发展需要大直径的晶圆，最早使用的是1英寸，而现在300mm直径的晶圆已经投入生产线了。因为晶圆直径越大，单个芯片的生产成本就越低。然而，直径越大，晶体结构上和电学性能的一致性就越难以保证，这正是对晶圆生产的一个挑战。 习题 1.定义：单晶、多晶、籽晶、晶体定向、晶体生长、半导体级硅、晶体缺陷 2.列举并描述三种点缺陷；影响点缺陷的因素有哪些？ 3.位错的种类及其产生的原因 4.CZ法直拉工艺中两种主要的杂质是什么，如何引入的？ 5.比较CZ法和FZ法 6.硅中含氧的优缺点？ 7.描述4种晶圆定位边的图；在200mm及以上晶圆中用什么代替定位边？ 习题 1.得到半导体级硅的三个步骤 2.双极和MOS器件分别用什么晶向的晶圆制 作的 3.如果籽晶是111晶向，拉出的晶体是什么晶向？ 4.简述CZ法优缺点。 5.简述FZ方法的优缺点 在硅器件工艺中，另一种常见的吸杂方法是利用晶片体内的氧沉积。点缺陷和残余杂质（如重金属）会被俘获和限制在沉积处，从而降低它们在有源器件附近区域的浓度，这种处理利用了晶体内固有的氧，称为本征吸杂。 3.6.4重金属杂质 对半导体影响最大的一类杂质，包括Au、Cu、Fe、Ni等金属元素。共同特点是在半导体中的行为比较复杂。 1.在Si和Ge中具有处于禁带中的多重深能级，可以提供载流子而影响电导率，也可以起复合中心作用而影响少数载流子的寿命。 2. 重金属杂质在Si和Ge中以间隙式进行扩散，具有很高的扩散系数，同时，它们的溶解度一般很小，并且随温度变化极大。这样极少数重金属的杂质沾污，在降温过程中也会导致过度饱和。 3.重金属在位错线中的沉积，一般是沿位错线形成分散的微粒。当这些有杂质沉积的位错线穿过pn结区时，会造成电场的局部集中，以至于在该处首先产生雪崩击穿，低于pn结正常的击穿点。 3.6.5 氧 氧的含量被列为硅单晶的重要质量指标之一。一般要求硅单晶中的氧含量要低于1017cm-3。 当氧进入硅单晶时，它就处于硅晶格的间隙位置，即间隙中的一个氧原子与相邻的两个硅原子键合形成Si—O—Si键，它对硅的电学性质没有影响。当热处理时，这种键合状态将要发生变化，并按Si—O—Si→SiO2，3，4，5（中间态） → SiOx（x~2）变化，最终发生SiO2的析出。 其中300—500℃（峰值在450 ℃）出现电活性的中间产物SiO4，并给出一个电子，呈现出施主行为。 对氧含量为1018cm-3的硅单晶，经450 ℃热处理后能产生1016cm-3以上的施主浓度。在450 ℃以上热处理时， SiO4状态解体，施主消失。在750—1000 ℃热处理时将有更多的 SiO2的淀积析出。热处理出现的Si—O键合状态及相应电阻率的改变在样品冷却到室温时都被保存下来。 1、热施主出现所引起的材料电阻率的变化，会使按材料原来电阻率设计的器件参数不能达到预定值，影响对放大系数、饱和压降、击穿电压、开启电压等参数的控制 2、二氧化硅的沉淀严重影响到器件的特性。因为二氧化硅和硅的介电常数不同，如果pn结区中有线度较小的二氧化硅的沉淀，则将造成电场的局部集中，容易引起等离子体击穿，使pn结特性变软。如果pn结区中有线度较大的二氧化硅沉淀，以致穿通pn结，则可能引起低击穿。 3、氧的存在还将严重影响硅中少数载流子的寿命。因为硅中的氧极易与重金属杂质结合，并聚集在它的周围，使重金属杂质失去复合中心的作用，造成硅中少子寿命虚假的增大，在热处理时氧与重金属杂质的结合便解体，寿命会很快降低，寿命的这种变化将影响到器件放大系数、开关时间和频率特性参数的控制。 当然硅中少量氧的存在还是有益的。随着单晶的生长认为在硅晶格中结合的氧主要是作为分散的单个原子占据填隙位置，并且与两个硅原子形成共价键。所以这样的氧原子以Si—O—Si结构替代正常的Si—Si共价键。在这个结构中氧原子是中性。这样一来填隙氧原子提高了硅的抗屈强度，大概达到25%，使得硅片在制造过程中强度增大。只要氧滞留在填隙位置上而不沉积出来，硬度就会随着氧浓度的增加而增加。 3.7晶体准备 3.7.1截断 用锯截掉头和尾。 3.7.2直径滚磨 在晶体生长过程中，整个晶体长度中直径是有偏差的。滚磨到所需的直径。 3.7.3化学腐蚀 滚磨后，单晶体表面存在严重的机械损伤，需要用化学腐蚀的方法加以除去，接着进行定向切割。 化学腐蚀减薄，通常采用混酸腐蚀液，如，用一定配比的氢氟酸、硝酸和醋酸等。 它可以用来去除切、磨过程所产生的机械