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本章主要内容 7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 7.1CVD概述 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是将构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速通入反应室，通过化学反应在衬底上进行薄膜淀积的工艺方法。 淀积的薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶材料，只要是具有一定平整度，能够经受淀积温度即可。 特点：附着性好；薄膜保形覆盖能力强； 应用：绝缘介质薄膜，多晶硅半导体薄膜等薄膜制备方面；金属化系统中的钨、硅化物等金属、金属硅化物；深亚微米中的微小接触孔或高深宽比结构的衬底表面能够很好的覆盖薄膜。 7.1CVD概述 气压分类 常压化学气相淀积（APCVD, Atmospheric pressure chemical vapor deposition ） 低压化学气相淀积（LPCVD, Low pressure chemical vapor deposition ） 反应激活能分类 等离子增强化学气相淀积（PECVD, Plasma enhanced chemical vapor deposition ） 金属有机物化学气相淀积（MOCVD, Metal-Organic chemical vapor deposition ） 激光诱导化学气相淀积（LCVD , Laser chemical vapor deposition ） 微波等离子体化学气相淀积（MWCVD, Microwave assisted chemical vapor deposition ） 温度分类 低温CVD 中温CVD 高温CVD 7.2CVD工艺原理 (1)反应剂引入，在衬底表面附近形成“滞留层” (2)反应剂被吸附在硅片表面，并进行化学反应 (3) 在硅片表面成核、生长成薄膜 (4)反应后的气相副产物排出反应室 7.2.1薄膜淀积过程 多晶硅薄膜淀积为例，反应剂为用氢气稀释的硅烷，反应为 SiH4→Si+2H2 淀积过程分为5个基本步骤： 氢气和硅烷混合物进入反应室； 硅烷从主气流区以扩散方式穿过边界层到达衬底硅片表面； 硅烷以及在气态分解的含硅原子团吸附在硅片表面，成为吸附原子； 吸附的硅和含硅原子团发生表面化学反应，生成硅在衬底上聚集，连接成片、被后续硅原子覆盖成为淀积薄膜； 反应副产物氢气和未反应的反应剂从衬底表面解析，扩散穿过边界层进入主气流区，被排出系统。 与外延相似，由气相质量输运和表面化学反应两个过程完成。 7.2.1薄膜淀积过程 CVD反应室内的流体动力学 反应室工作气体是常压或初真空度，分子平均自由程远小于反应室尺寸，主气流区是层流状态，气体有稳定流速。 边界层：主气流区与硅片之间流速受到扰动的气体薄层。 边界层厚度δ 7.2.1薄膜淀积过程 CVD的设备 立式反应器中浮力驱动的再循环流，边界层等同于气体流速趋于零的黏滞层（或称为附面层），而源和气态副产物仍以扩散方式穿越黏滞层。 CVD的化学反应条件 CVD的表面淀积过程与气相外延不同，淀积工艺没有外延工艺要求严格，CVD淀积使硅生长为多晶硅的原因： 衬底温度较外延低，硅原子在表面的迁移慢，未能全部迁移到结点位置上； 淀积速率过快，未等硅原子全部迁移到结点位置就被其它硅原子所覆盖，成为薄膜中的硅原子； 衬底表面可以不是单晶，如衬底硅片整个表面或部分表面已有氧化层； 硅烷的气流速率较低时，多晶硅淀积速率和硅烷气流速率呈线性关系，而反应剂的浓度与气流速率成正比。浓度低时，薄膜淀积速率的表达式与试验相吻合。 温度的影响——两种极限情况 Grove模型的指导作用和局限 质量输运控制CVD中，反应剂浓度的均匀性很重要；对温度的控制不必很严格。 表面化学反应控制CVD中，温度均匀性很重要；对反应剂浓度控制不必很严格。 在反应剂浓度较低时Grove模型和实测结果吻合得较好，浓度较高则不然。 忽略了反应产物的解吸、流速影响；因为浓度高时，副产物数量增多，阻挡了反应及进入边界层和在基片表面的吸附； 忽略了垂直于边界层方向存在的温度梯度对气相物质输运的影响； 7.2.3薄膜质量控制 台阶覆盖特性 薄膜中的应力 薄膜的致密性 薄膜厚度均匀性 薄膜的附着性 到达角（arrival angle）指反应剂能够从各方向到达表面的某一点，这全部方向就是该点的到达角。到达角越大，能够到达该点的反应剂分子数量就越多，该点淀积的薄膜就越厚。 边界层厚度受气体压力和气流状态等因素影响。常压淀积时，孔洞或沟槽内部气体边界层比平坦部位厚，分子平均值自由程很