复合的界面基础与界面理论教程方案.ppt

A.共格孪晶界：界面上原子正好在两侧晶粒点阵位置上多通过形变而形成，界面两侧的点阵相同或相近，与堆垛层错密切相关，如fcc(111)面通常是ABCABCABCABC……，从某一层开始堆垛变成ABCABCACBACBA……则形成孪晶，CAC为堆垛层错界面 B. 非共格孪晶界：由许多位错构成 由相隔一定距离刃型位置垂直排列组成。 当已知晶体点阵常数，出位错蚀坑距离（位错间距离为D）后，可计算位向差 小角度晶界-非对称倾侧晶界 亚晶界--- 每个晶粒中存在的微小取向差的结构之间的交界。 大角度晶界中仍有周期性结构，重合位置点阵模型相邻晶粒点阵延伸互相穿插，两晶粒位向转动一特定角度后，两晶粒的阵点有部分处于重合位置，由重合的阵点构成重合位置点阵 大角晶界模型： 晶界力求与重合点阵密排面重合，即使有偏离，晶界会台阶化，使大部分面积分段与密排面重合，中间以小台阶相连。 如图，AB、CD与重合点阵密排面重合，中间BC小台阶相连。 晶界上非正常结点位置原子引发晶格畸变，使能量升高 以1727?C(2000K)为例：Si-C-O三元系统存在如下平衡关系式： C（S）?C（g） (1) SiC（S）?Si（l）+ C（g） (2) Si（l）+O2（g）?SiO2（l） (3) SiC（S）+O2（g）?SiO2（l）+C(g) (4) C（g） +1/2 O2（g）? CO(g) (5) SiC（S）+1/2 O2（g）?SiO（g）+C(g) (6) C（g） + O2（g） ? CO2(g) (7) 其中的一条线表示C的蒸气压： C（S）?C(g) 查热量学数据表可将第二条线表示Si —SiC界面上的活度： SiC（S）?Si（l）+ C（g） C（S）? C（g） 相加即可得△G=△G1+△G 2 根据△G=－RTlnPc?P2 计算logPc 垂直线表示Si－SiO2界面上氧平衡应力： Si（l）+O2（g）?SiO2（l） 根据DG＝－RTlnPo2 计算短斜线表示SiC－SiO2界面上Pc 和Po2的平衡关系： SiC（S）+O2（g）?SiO2（l）+C(g) 根据△G=－RTln（Pc/PO2） lnPC?lnPO2 △G=－RTlnPc+RTlnPO2 SiC（S）?SiC（l）+ C（S） + SiO2 ?Si（l）+ O2 + C(S) ?C(G) ） SiC(S)+ O2(g)?SiO2（l）+ C(g) 相图表示4个区：5个界面： C-SiC界面 logPC=-11.4 具有高度的化学稳定性 SiC-Si界面 logPc=-12.7 具有更高的化学稳定性 Si-SiO2界面 logPO2=-15.3 SiC-SiO2界面 logPO2为-13.8~-15.3 logPC 为-11.4~-12.7 logPCO为0.7~-2 SiO2-C界面 logPCO可能很大，PCO可能很高。但一定的PCO压力对应一定的O2浓度，而界面氧气浓度需靠氧气在SiO2中的扩散提供。O2在SiO2中的扩散是很慢的，因而CO的压力受O2扩散控制。 2. Si—SiO2界面上的SiO压力也可能接近 1atm ，如有杂质会更高 3. 从热力学上讲，C—SiO2界面在1000℃时界面气相CO压力可能很高，但相应的氧气浓度也较高，只有O2扩散使界面O2浓度达到较高水平时才能反应生成CO，但温度低，扩散较慢，因此C—SiO2仍然在1000℃左右共存，这就是动力学因素造成的。 除了界面化学相容外，复合材料界面还必须满足物理相容的条件。 复合材料总是在一定的温度下制备的。在制备温度下基