第7章半导体表面与MIS结构2011资料.ppt

2 三维理想晶体的表面态 理想模型的实际意义在于证明了三维理想晶体的表面上每个原子都会在禁带中产生一个附加能级 大多数结晶半导体的原子密度在1022cm-3量级.按此推算,单位面积表面的表面态数应在1015量级. 数目如此巨大的表面能级实际已构成了一个能带。 表面态本质上与表面原子的未饱和键,即悬挂键有关. 表面取向不同，其悬挂键的密度亦有所不同。表面态亦有施主和受主之分。 通常将空态呈中性而被电子占据后带负电的表面态称为受主型表面态;将空态带正电而被电子占据后呈中性的表面态称为施主型表面态 表面态能够与体内交换电子或空穴,引起半导体表面能带的弯曲,产生耗尽层甚至反型层.当外加偏压使半导体表面电势发生变化时,表面态中的电荷分布也随之变化,即表面态随外加偏压的变化而充放电 7.1.2 实际半导体表面 “理想表面” 就是指表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且不附着任何原子或分子。这种理想表面实际上并不存在。 表面重构 理想表面的悬键密度很高，而悬键的形成能又比较大(对Si约为2eV)。所以,从能量的角度看,表面原子倾向于通过应变, 即通过原子排列的变通尽可能使悬键密度降低。表面物理学中将这种情况称为表面重构。 Si晶体的重构表面(a)和无重构表面(b)模型 受降低表面自由能这个自然法则的驱使，表面重构使硅晶体实际表面的原子排列比理想表面复杂得多，但带悬键的原子密度大为降低; 吸附原子或分子也是自由表面为了降低悬键密度、降低表面能量的一种本能 7.1.3 Si-SiO2系统 除了表面钝化常常在Si器件表面生长或淀积一层SiO2之外,作为产生场效应的一个重要手段，Si-SiO2系统还是MOS(金属-氧化物-半导体)型硅场效应器件的主要构成元素。 一、Si-SiO2系统中的电荷和能量状态 二、Si-SiO2系统的优化处理 一、 Si-SiO2系统中的电荷和能量状态 二、 Si-SiO2系统的优化处理 Si-SiO2系统中的界面态和各种电荷对其性能存在很明显的消极影响，需要尽可能降低界面态的密度和单位面积Si-SiO2系统中各种电荷的数量。 工程中通常采取的优化Si-SiO2系统性质的方法 正确选择Si片的晶向 采取“吸杂”措施 适当提高干氧氧化工艺的比重 退火处理 1、正确选择Si片的晶向 1、正确选择Si片的晶向 Si-SiO2界面态(快态)和固定电荷的密度都与Si晶体的取向有关,而且都按(111)、(110)、(100)次序递减，即与原子面密度的大小关系一致。因此，为了降低Si-SiO2界面态和界面附近固定电荷的密度，在MOS器件和集成电路的生产中常选用[100]晶向的Si单晶为原料。 2、采取“吸杂”措施 为了降低SiO2层中可动离子的影响，除了尽一切可能严格控制、努力避免器件制造工艺过程中的Na+玷污之外，对已经存在于SiO2中的Na+应设法减少其可动性。采用所谓“磷处理”工艺，在SiO2外表面生长薄薄一层磷硅玻璃吸收Na+，是一种经过实践检验的行之有效的方法。磷硅玻璃具有吸收SiO2中的Na+并阻挡外界Na+玷污SiO2的双重作用。 此外，Si3N4具有比磷硅玻璃更强的阻挡外来Na+和吸收SiO2中已有Na+的作用。在SiO2-Si系统之外再淀积一层Si3N4，做成Si3N4-SiO2-Si三层结构，比直接用Si3N4替换SiO2效果要好，因为Si3N4-Si界面的态密度更高。 3、适当提高干氧氧化工艺的比重 氧化过程中，在氧气进入高温氧化炉前令其从纯水中穿过的做法叫湿氧氧化，令其从分子筛经过而脱水的做法叫干氧氧化。湿氧氧化的氧化速率高，但生长的SiO2致密性差；干氧氧化的氧化速率较低但生长的SiO2致密性好，固定电荷密度低。工程上常常采取干、湿氧化交替进行的方法兼顾氧化速率和氧化膜的质量。因此，适当增加干氧氧化的时间比例、降低SiO2的生长速率，可以降低固定电荷密度。 4、退火处理 将已经形成的Si- SiO2系统在400?450℃的氢或含氢氮气氛中退火，用H原子去饱和Si- SiO2界面中的悬挂键；或在较高温度下的惰性气体中退火，通过硅原子位置的微调使相邻的悬挂键相互饱和，都可使界面态和固定电荷的密度明显降低。 7.2 表面电场效应与MIS结构 7.2.1 表面电场的产生与应用 7.2.2 理想MIS结构及其表面电场效应 7.2.3 理想MIS结构的空间电荷层与表面势 7.2.1 表面电场的产生与应用 在半导体技术中最常见的方法有两种 一种是利用肖特基势垒型金属－半导体(MES)结构,另一种就是MIS结构.在金属和半导体间施加电压，即可在半导体表面层中产生垂直于表面的电场。 半导体表面感应电荷的产生 当一个导体靠近一个带