薄膜物理第2章离子镀外延生长技术方案.ppt

第二章 薄膜制备的物理方法（ Ⅲ Ⅳ ） 离子镀技术外延生长 宋春元 博士 材料科学与工程学院 薄膜材料与技术 * * 离子镀膜技术 (1) 离子镀原理 (2) 离子镀的特点 (3) 离子镀的类型 * * 离子镀膜技术（简称离子镀）是美国Sandia 公司的D.M.Mattox于1963年首先提出来的。离 子镀的英文全称 Ion Plating,简称 IP。 在真空室中使气体或被蒸发物质电离，产生离子轰击效应，最终将将蒸发物或其反应产物蒸镀在基片上。 蒸发＋溅射相结合 * * 离子镀原理 离子镀装置示意图 基片作阴极，加负高压 坩埚或灯丝作阳极 * * 1. 真空室抽至10－7Torr的高真空后，通入惰性气体（如氩气），使真空度达到 10-1 ~10-2 Torr。 2. 接通高压电源，在蒸发源与基片之间建立起一个低压气体放电的等离子区。 3. 由于基片处于负高压并被等离子体包围，不断受到正离子的轰击，因此可有效地清除基片表面的气体和污物，使成膜过程中膜层表面始终保持清洁状态。 4. 随后开始离子镀。镀材加热蒸发后，蒸发粒子进入等离子区，与等离子区中的正离子和被激活的惰性气体原子以及电子发生碰撞，其中一部分蒸发粒子被电离成正离子，正离子在负高压电场加速作用下，淀积到基片表面成膜。 由此可见，离子镀膜层的成核与生长所需的能量，不是 靠加热方式获得，而是由离子加速的方式来激励的。 * * 离子镀的特点 与蒸发和溅射相比，离子镀有如下几个特点 ： （1）膜层附着性好。 a.在离子镀过程中，利用辉光放电所产生的大量高能粒子对基片表面产生阴极溅射效应，对基片表面吸附的气体和油污进行溅射清洗，使基片表面净化，直至整个镀膜过程完成 。 b.镀膜初期，溅射与沉积并存，可在膜基界面形成组分过渡层或膜材与基材的成分混合层，称之为“伪扩散层”，能有效改善膜层附着性能。 * * （2）膜层的致密度高（通常与大块材料密度相同）。离子镀过程中，膜材离子和高能中性原子带有较高的能量到达基片，可以在基片上扩散、迁移。而且膜材原子在空间飞行过程中即使形成蒸汽团，到达基片时也能被离子轰击碎化，形成细小的核心，生长为细密的等轴晶体。 （3）绕射性能好。离子镀过程中，部分膜材原子被离化成正离子后，沿着电场的电力线方向运动， 凡是电力线分布之处，膜材离子都能到达。 膜材在较高压强下被电离，平均自由程小于源-基距，蒸气分子或离子在到达基片前多次碰撞，产生非定向的气体散射效应，使膜材粒子散射在整个工件周围。 * * （4）可镀材质范围广泛。可在金属或非金属表面上镀金属或非金属材料。 （5）有利于化合物膜层的形成。在蒸发金属的同时，向真空室通入某些反应气体，则可反应生成化合物。辉光放电低温等离子体中高能电子的作用，将电能变成金属粒子的反应活化能，可在较低温下形成在高温下靠热激发才能形成的化合物。 （6）淀积速率高，成膜速度快，可镀较厚的膜。 通常离子镀淀积几十纳米至数微米厚膜层时，其速度较其他方镀膜法快。 * * 离子镀的类型 P80 按薄膜材料气化方式分类： 按原子或分子电离和激活方式分类： 电阻加热、电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。 辉光放电型、电子束型、热电子型、电弧放电型、以及各种离子源。 一般情况下，离于镀膜设备要由真空室、蒸发源(或气源、溅射源等)、高压电源、离化装置、放置基片的阴极等部分组成。 第二章 薄膜制备的物理方法（ Ⅳ ） 2.4 外延生长 知识点 1、外延生长的定义与种类。 2、MBE的原理及设备结构。 3、液相外延生长原理及常用的生长工艺。 外延生长的定义 定义：外延生长就是指在某种起始单晶（衬底）上生长具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的过程。 当外延膜在同一种材料上生长时，称为同质外延； 当外延膜在不同材料上生长时，称为异质外延； 2.4 .1 概述 基本原理：在超高真空系统中（真空度优于10-11Pa，分子平均自由程可达1m）将组成化合物的元素材料分别装入喷射炉内，对面喷射炉相隔一定距离放置衬底（加热到600-700℃）。从喷射炉喷出的热分子或热原子束射到衬底表面并延表面移动，与表面发生反应生长成单晶薄膜。 2.4.2 分子束外延（Molecular beam epitaxy, MBE） MBE设备结构 MBE设备的典型结构图下图所示。通常整个MBE系统有三个真空工作室。一个是样品换取室。一个是样品分析室，可对样品进行多种方法的表面分析研究。第三个是样品生长室。每个室都有真空系统抽成超高真空，