ch3二极管及其基本电路-1介绍.ppt

反向特性 (2) 反向特性 当 VBR＜vD＜0 时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流 IS .当温度升高时，反向电流将随之增加。 锗二极管反向饱和电流较硅二极管的大 . 当 vD≥ VBR 时，即处于反向击穿特性区域. (3) 反向击穿特性 反向电流急剧增加，VBR 称为反向击穿电压 。 反向击穿特性 半导体二极管图片 * * 第三章 二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 齐纳二极管 掌握本征半导体、杂质半导体、PN结等基本概念； 了解PN结的形成过程及半导体二极管的单向导电性； 掌握半导体二极管的伏安特性及其电路的分析方法； 理解稳压管的工作原理. 基本要求： 重点：PN结的单向导电性、二极管的特性及二极管 电路分析方法. 3.1.1 半导体材料 半导体 -- 导电能力介于导体与绝缘体之间的材料 典型的半导体有硅 Si 和锗 Ge 以及砷化镓 GaAs等。 3.1 半导体的基本知识 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间. 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著 变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧 增强。 硅的原子结构简化模型 +4 价电子 它们的最外层电子（价电子）都是四个。 原子核 (正离子） 硅和锗均为4价元素 原子具有电中性 半导体与金属和许多绝缘体一样，均具有晶体结构，它们的原子形成有序的排列，邻近原子之间由共价键联结.价电子受共价键束缚. 3.1.2 半导体的共价键结构 半导体的共价键结构（二维晶格结构） 硅晶体的空间排列 共价键 相邻硅原子的价电子构成共价键 3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 1.本征半导体 — 完全纯净的、结构完整的半导体 晶体，称为本征半导体。 本征半导体的导电能力很弱，导电能力随温度增强。 2.电子空穴对的产生及复合 T = 0K及没有外界激发时，价电子被共价键束缚 这种现象称为本征激发。 在室温下，共价键中的价电子受到热激发而获得足够的能量，挣脱共价键的束缚，成为自由电子，在原位上留下空位—空穴（带正电） 半导体具有电中性 电子空穴对的产生 —由热激发产生自由电子和空穴对。 电子空穴对的复合 —自由电子和空穴相遇就会结合为新的填充的共价键。 温度一定时，电子空穴对的产生率和电子空穴对的的复合率 达到一种动态平衡。 3.当有外电场时，空穴和自由电子在晶体中可定向移 动，参与导电 半导体中载流子：自由电子(带负电)、空穴(带正电) 本征半导体的导电能力很弱。 原因：热激发产生的自由电子和空穴数目很少。 本征半导体的导电能力随温度增加。 原因：热激发产生的自由电子和空穴数目随温度增加。 3.1.4 杂质半导体 1. N型半导体 --掺入五价杂质元素（如磷）的半导体 杂质原子失去电子成为 正离子。 N型表示 + 杂质原子的多余电子挣 脱束缚成为自由电子。 本征半导体掺入少量杂质形成杂质半导体，其导电能力大为增强。 →也称为电子型半导体 N型半导体中： 自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供； 空穴是少数载流子, 由热激发形成，数目与温度 有关。 N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 负：negative 2. P型半导体 --掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。 杂质原子获得电子成 为负离子 P型表示 _ 相邻共价键的价电 子填充杂质原子的 空位，其原来位置 产生空穴 →也称为空穴型半导体 P型半导体中： 空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成； 自由电子是少数载流子，由热激发形成,数目与温 度有关。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 正：positive 3.2 PN 结的形成及特性 3.2.2 PN结的形成 3.2.3 PN结的单向导电性 3.2.4 PN结的反向击穿 3.2.1 载流子的漂移与扩散 3.2.1 载流子的漂移与扩散 漂移运动：由电场作用引起的载流子的运动称为漂 移运动。 扩散运动：由载流子浓度差引起的载