第二章半导体器件基础介绍.ppt

* 栅源击穿电压V(BR)GS 跨导 反映了vGS 对iD 的控制能力，单位S(西门子)。一般为几毫西(mS) 常数 = D D = DS GS D m v v i g （2）交流参数 漏源击穿电压V(BR)GS 最大漏极电流IDM,为管子正常工作时允许的最大漏极电流。 漏极最大允许耗散功率PDM PDM = VDS ID * * * （3）截止区 iB 0 以下区域为截止区，有 iC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 9 12 O 截止区 * 放大状态时NPN管和PNP管中电流实际方向和发射结和集电结的实际极性 对于NPN型三极管应满足： vBE0 VCB0 即VCVBVE (a)NPN型 VBC IB IE IC c b e - + - + VBE VCE - + - + - * 对于PNP型三极管应满足： vBE0 vCB0 即VCVBVE e c b IB IE IC - + + - VBC VBE VCE (b)PNP型 - + - + - * 例2.3 三极管的对地电位如图所示，试判断三极管 的工作状态。 8v 3.7V 3V （a） 3.3v 3.7V 3V （c） 12v 2V 3V （b） * 四.晶体三极管的主要参数 (1)共发射极电流放大系数? ①集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO ②集电极和发射极之间的穿透电流ICEO (2)反向饱和电流 关系：ICEO=(1+β)ICBO (1)集-射极反向击穿电压V(BR)CEO 2.极限参数 1.性能参数 * (2)集电极最大允许电流ICM 如图所示，当集电极电流增加时，? 就 要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％ 时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电 流ICM。至于?值下降多少， 不同型号的三极管，不同 的厂家的规定有所差别。 可见，当IC＞ICM时，并不 表示三极管会损坏。 * ICVCE=PCM ICM V(BR)CEO 安全工作区 iC vCE O (3)集电极最大允许耗散功耗PCM * 五 晶体管的应用 ①利用其饱和截止状态可使BJT作为一个可以控制 的无触点开关； ②工作在放大状态，用作放大器； * 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 半导体三极管的型号 例如： 3AX31D、 3DG123C、3DK100B * 半导体三极管图片 * 半导体三极管图片 * 场效应管FET (Field Effect Transistor)