1固体晶格结构介绍.ppt

1.3空间晶格　　　金刚石结构 金刚石晶格 * 1.3空间晶格　　　金刚石结构 闪锌矿结构（GaAs） 不同原子构成的四面体 * 1.3空间晶格　　　金刚石结构 * 1.4原子价键 离子键　（NaCl　库仑力） 共价键 (H2　共用电子对) 金属键 (Na　电子海洋) 范德华键　（弱　HF 电偶极子　存在分子或　　　　　　　分子内非健结合的力） * 1.4原子价键 硅原子和硅晶体 * 1.5固体中的缺陷和杂质 晶格振动　 点缺陷　（空位和填隙） 线缺陷 * 1.5固体中的缺陷和杂质 替位式杂质 填隙式杂质 * 1.5固体中的缺陷和杂质 掺杂 为了改变半导体的导电性而向其中加入杂质的技术． 高温扩散　１０００度 离子注入　50kev　损伤与退火 * 1.6半导体材料的生长 直拉单晶法（Czochralski方法） 外延生长：在单晶衬底表面生长一层薄单晶的工艺 * 1.7小结 常用半导体材料 晶格结构、晶胞、原胞 硅的金刚石结构 晶面、晶向的描述（密勒指数） 半导体中的缺陷 原子体密度，原子面密度的计算 * 课程主要内容 固体晶格结构：第一章 量子力学：第二章~第三章 半导体物理：第四章~第六章 半导体器件：第七章~第十三章 * 绪论 什么是半导体 按固体的导电能力区分，可以区分为导体、半导体和绝缘体 表1.1 导体、半导体和绝缘体的电阻率范围 材料 导体 半导体 绝缘体 电阻率ρ(Ωcm) ＜ 10-3 10-3～109 ＞109 * 绪论 半导体具有一些重要特性，主要包括： 温度升高使半导体导电能力增强，电阻率下降 如室温附近的纯硅(Si)，温度每增加8℃，电阻率相应地降低50%左右 微量杂质含量可以显著改变半导体的导电能力 以纯硅中每100万个硅原子掺进一个Ⅴ族杂质（比如磷）为例，这时 硅的纯度仍高达99.9999%，但电阻率在室温下却由大约214,000Ωcm降至0.2Ωcm以下 适当波长的光照可以改变半导体的导电能力 如在绝缘衬底上制备的硫化镉(CdS)薄膜，无光照时的电阻为几十MΩ，当受光照后电阻值可以下降为几十KΩ 此外，半导体的导电能力还随电场、磁场等的作用而改变 * 1.1半导体材料 元素半导体（Si、 Ge）　 化合物半导体（双元素，三元素等） * 1.2固体类型 半导体的晶体结构 一、晶体的基本知识 长期以来将固体分为：晶体和非晶体。 晶体的基本特点： 具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子（或离子）在较大的范围内（至少是微米量级）是按一定的方式有规则的排列而成－－长程有序。（如Si，Ge，GaAs） * 1.2固体类型 半导体的晶体结构 晶体又可分为：单晶和多晶。 单晶：指整个晶体主要由原子(或离子)的一 种规则排列方式所贯穿。常用的半导体材料锗(Ge)、硅(Si)、砷化镓 (GaAs)都是单晶。 多晶：是由大量的微小单晶体（晶粒）随机堆积成的整块材料，如各种金属材料和电子陶瓷材料。（晶界分离） * 1.2固体类型 半导体的晶体结构 非晶（体）的基本特点： 无规则的外形和固定的熔点，内部结构也不存在长程有序，但在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列——短程有序 （如非晶硅：a-Si） * 1.2固体类型 半导体的晶体结构 非晶体（无定型） 多晶 单晶 * 1.3空间晶格 晶体是由原子周期性重复排列构成的，整个晶体就像网格，称为晶格，组成晶体的原子(或离子)的重心位置称为格点，格点的总体称为点阵。 * 1.3空间晶格　　　1.3.1 晶胞和原胞 1、晶胞＿可以复制成整个晶体的一小部分（基本单元，可以不同） * 1.3空间晶格　　　晶胞和原胞 2、原胞＿可以形成晶体的最小的晶胞 广义三维晶胞的表示方法： 晶胞和晶格的关系 * 1.3空间晶格　　1.3.2 基本晶体结构 简立方sc　　体心立方bcc　　面心立方fcc 原子体密度 * 1.3空间晶格　　1.3.3晶面与密勒指数 1、晶面表示方法： (1)平面截距：3，2，1 (2)平面截距的倒数：1/3，1/2，1 (3) 倒数乘以最小公分母：2，3，6 平面用(236)标记，这些整数称为密勒指数。 晶面可用密勒指数（截距的倒数）来表示：(hkl) * 1.3空间晶格　　晶面与密勒指数 简立方晶体的三种晶面 (100) (110) (111) * 1.3空间晶格　　晶面与密勒指数 体心立方结构(110)晶面及所截的原子 原子面密度 * 1.3空间晶格　　晶面与密