1位错理论(复习1)介绍.ppt

1.位错理论 位错密度 单位体积中位错的总长度： 1.4 位错的应力场及应变能 应力分量与应变分量 完全弹性体，服从虎克定律 各向同性；连续介质，可以用连续函数表示基本假设 （连续介质模型） 对位错线周围r0以内部分不适用 — 畸变严重，不符合上述基本假设。 位错应变能 位错中心处原子严重错排，周围原子偏离中心位置－位错周围产生应力场，晶体的内能也增加。 因晶体中存在位错而使晶体增加内能－位错的应变能。 线张力 其作用是使位错变直—降低位错能量 类似于液 体为降低表面能产生的表面张力。 位错攀移 dislocation climb 原子扩散离开（到）位错线—半原子面缩短（伸长）—正（负）攀移空位扩散离开（到）位错线—半原子面伸长（缩短）—负（正）攀移 攀移之特点 a） 刃位错垂直于滑移面运动－非守恒运动 ； b） 属扩散过程—需热激活—高温易出现； c）作用原滑移面上运动受阻—攀移—新滑移面—滑移、继续攀移。只能是刃位错才能发生。 交滑移 cross slip 作用原滑移面上运动受阻—交滑移—新滑移面—滑移继续交滑移只能是螺位错才能发生 说明：交滑移不是塑性变形的主要机制—可避开障碍物—便于滑移 1.6 位错在应力场中的受力 1.7 位错间的相互作用 1.8 位错与溶质的交互作用 溶剂原子、溶质原子体积不同，晶体中的溶质原子会使周围晶体发生弹性畸变，产生应力场。 位错与溶质原子的弹性相互作用－应力场发生作用。 1.9 位错的交割 位错交割的过程：有两个相互垂直的刃位错AB，CD。假定CD不动，AB向右扫过其滑移面，晶体上下两部分发生b1的切变。CD被切成Cm和nD两段，并相对位移mn，整条位错线变为折线CmnD。 刃位错与螺位错、螺位错与螺位错之间交割都要形成割阶，还可能形成难以运动的固定割阶。 割阶的形成增加了位错线长度，要消耗一定的能量，因此交割对位错运动是一种阻碍。增加变形困难，产生应变硬化。 1.10 位错的增殖与塞积 F－R源的开动条件： 推动力（外力） 位错运动点阵摩擦力和障碍物阻力 当外力作用在两端不能自由运动的位错上时，位错将发生弯曲。 同符号刃型位错: ?/2 稳定平衡位置； ?/4不稳定平衡位置。 位错与点缺陷的交互作用 晶体内同时含由位错和点缺陷时(特别是溶入的异类原子)，它们会发生交互作用。 科氏气团 位错与溶质原子交互作用－溶质原子相位错线聚集－溶质原子气团； 位错更加稳定-“钉轧”； 变形时位错需“脱钉”→“屈服平台” 当一位错在某一滑移面上滑动时，会与穿过滑移面的其它位错交割。位错的交割对材料强化有重要影响。 割阶(Jog)与扭折(Kink) 　当位错在滑移面上运动时，可能在某处遇到障碍，这样，有可能其中一部分线段首先进行滑移，若由此造成的曲折线段就在位错的滑移面时，称为“扭折”。若该曲折线段垂直于位错的滑移面时，称为“割阶”。当然，扭折和割阶也可由位错之间交割而形成。 刃型位错 螺型位错 割阶：刃型位错 扭折：螺型位错 扭折和割阶：均为刃型位错 因为mn不在原位错线的滑移面上，所以称为割阶。 mn是一段新位错，其柏氏矢量与CD相同，也是刃位错，但滑移面AB相同。 Si 单晶中的F-R源 A、B两点固定不动 * * 刃型位错 特征： 有一个多余的半原子面； 是晶体中已滑移区和未滑移区的边界线，不一定是直线； 滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平面，在其它平面上不能滑移。 螺型位错 特征： 无多余半原子面，原子错排呈轴对称； 螺型位错线与滑移矢量平行，因此一定是直线； 纯螺型位错的滑移面不唯一。 混合型位错滑移 A、B、C、D分别为正、负、右、左位错。切应力作用下，各位错线分别向外扩展， 一直到达晶体边缘。晶体滑移由柏格斯矢量b决定，产生一个b的滑移， 将位错线看作于垂直某一平面的直位错线 位错中心原子错排严重，且位错周围的原子也相应偏离平衡位置 －应力场 晶体内能增加 按弹性理论，可求得螺型位错周围只有一个切应变： 所以相应的各应力分量分别为： 其中：G为切变模量，b为柏氏矢量，r为距位错中心 的距离或者用直角坐标表示： 螺型位错应力场 刃型位错的应力场比螺型位错复杂的多。根据模型所示，经计算可得刃型位错周围各应力分量以圆柱坐标表示为： 刃型位错应力场 与螺型位错模型一样，因为位错中心畸变区不符合连续介质模型， 所以用一个中空的园柱体来进行讨论。移动鼠标直角坐标表示为： 式中 ????????