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例9、为某天线输入阻抗特性随频率变化在圆图上的表示。其中编号3的频率为f=1.728GHz,实测阻抗为Zin=49.1-0.8Ω。显然,在工程上认为该点为匹配点(相对于50 Ω)。 某天线输入阻抗的实测曲线 1.8 同轴线的特性阻抗 同轴线是一种典型的双导体传输系统,它由内、 外同轴的两导体柱构成,中间为支撑介质。其中内、外半径分别为a和b,填充介质的磁导率和介电常数分别为μ和ε。同轴线是微波技术中最常见的TEM模传输线,分为硬、软两种结构。硬同轴线是以圆柱形铜棒作内导体,同心的铜管作外导体,内、外导体间用介质支撑,这种同轴线也称为同轴波导。软同轴线的内导体一般采用多股铜丝,外导体是铜丝网,在内、外导体间用介质填充,外导体网外有一层橡胶保护壳,这种同轴线又称为同轴电缆。 同轴线结构图 由电磁场理论分析得到同轴线的单位长分布电容和单位长分布电感分别为 得其特性阻抗为 设同轴线的外导体接地,内导体上的传输电压为U(z),取传播方向为+z,传播常数为β,则同轴线上电压为 同轴线上电流为 而传输功率为 1. 耐压最高时的阻抗特性 设外导体接地,内导体接上的电压为Um,则内导体表面的电场为 为达到耐压最大,设Ea取介质的极限击穿电场,即Ea=Emax,故 当填充空气时,相应的耐压最大时的特性阻抗为60Ω。 求Umax取极值,可得x=2.72。这时固定外导体半径的同轴线达到最大电压。此时同轴线的特性阻抗为 2. 传输功率最大时的特性阻抗 限制传输功率的因素也是内导体的表面电场,得 式中x=b/a。要使Pmax取最大值,则Pmax应满足 于是可得 x=b/a= =1.65,相应的特性阻抗为 当同轴线中填充空气时,相应于传输功率最大时的特性阻抗为30Ω。 3. 衰减最小时的特性阻抗 同轴线的损耗由导体损耗和介质损耗引起,由于导体损耗远比介质损耗大,这里我们只讨论导体损耗的情形。设同轴线单位长电阻为R,而导体的表面电阻为Rs,两者之间的关系为 得导体损耗而引入的衰减系数αc为 要使衰减系数 αc 最小,则应满足 于是可得xlnx – x = 0,即x = b/a = 3.59,此时特性阻抗为 当同轴线中填充空气时,相应于衰减最小时的特性阻抗为76.7Ω。 不同的使用要求下,同轴线应有不同的特性阻抗。实际使用的同轴线的特性阻抗一般有50Ω和75Ω两种。50Ω的同轴线兼顾了耐压、功率容量和衰减的要求,是一种通用型同轴传输线; 75Ω的同轴线是衰减最小的同轴线,它主要用于远距离传输。 以上分析是假设同轴线工作在TEM模式。实际上要使同轴线工作于TEM模式,则同轴线的内、外半径还应满足以下条件: λ min>π(b+a) 其中λ min为最短工作波长。 由上述分析可见,在决定同轴线的内、 外直径时,必须同时考虑使用要求和工作模式。 工程上相同特性阻抗的同轴线也有不同的规格(如75-5, 75-9)等,一般来说,电缆越粗其衰减越小。 1.5 传输线的传输功率、 效率和损耗 1.5.1 传输功率与效率 设传输线均匀且 γ =α+jβ(α≠0),则沿线电压、 电流的解为 假设Z0为实数, ΓL=|ΓL|e jφL,由电路理论可知,传输线上任一点z处的传输功率为 Pin(z)为入射波功率,Pr(z) 为反射波功率 功率传输示意图 实际上,入射波功率、反射波功率和传输功率可直接由下式计算: 终端负载在 z = 0处,负载吸收功率为 设传输线总长为l,始端入射功率为 由此可得传输线的传输效率为 当负载与传输线阻抗匹配时,即|ΓL|=0,此时传输效率最高,其值为 可见, 传输效率取决于传输线的损耗和终端匹配情况。 工程上,功率值常用分贝来表示,常用的参考单位有1 mW和1 W。如果用1mW作参考, 则分贝表示为 P(dBm)=10 lg P(mW) 如1mW=0dBm,10mW=10dBm,1W=30dBm 如果用1W作参考,则分贝表示为 P(dBW)=10lgP(W) 如1W=0dBW,10 W=10dBW,0.1 W= -10 dBW 2. 回波损耗和插入损耗 传输线的损耗可分为回波损耗和反射损耗。 回波损耗定义为入射波功率与反射波功率之
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