核聚变工程导论2014-1解释.ppt

ECRF应用 有效的电子加热和H模的获得 电流驱动：稳态运行和分布控制 控制锯齿、ELMs、锁模、（新经典）撕裂模、某些破裂 电子热输运研究 等离子体启动 壁处理 主要问题是稳态高功率波源 ICRF基本特性 耦合：一般使用带状天线，天线到LCFS长距离耦合很困难；天线设计需考虑附件导体壁上的镜像电流（会使耦合波谱畸变）；天线表面RF壳层产生快离子，引起杂质问题，在0位相时， RF壳电位最高，对边界的扰动也最大；对边界密度（分布）变化敏感（ELM） ICRH引起的离子速度分布函数在较高的速度高度各向异性，（回旋加热、碰撞、香蕉轨道等）动力论问题，回旋加热产生高能粒子 多种加热和电流驱动模式：2（多）倍频回旋加热、少数离子基频加热、模转换（离子混杂）加热、直接的IBW加热 ICRF可产生环向等离子体旋转（离子压力梯度、快离子轨道位移引起的径向电场） 电流驱动可近性好，驱动效率随电子温度提高，与纵场关系不大（多次吸收），驱动电流密度分布峰化（捕获电子效应），无高能电子。 少数离子电流驱动、模转换电流驱动等 波的耦合、传输和吸收可由波方程描述，如果保留热等离子体性质，在环位形下的模拟太复杂，现有的模拟都在一定的近似条件下的解。 ICRF应用 有选择性的、有效的离子、电子（中心）加热，产生H-模约束的等离子体。直接的离子加热用于控制聚变等离子体反应率或燃烧 谐波回旋加热可有选择性地影响高能离子 电流驱动：产生中心种子电流（电子、离子），控制电流密度分布。少数离子在q=1面的电流驱动可用于改变电流密度分布，控制锯齿和q=1面内的能量约束 产生等离子体环向旋转，改善等离子体约束 中心加热控制杂质聚芯 存在纵场时产生等离子体，辅助驱动、壁处理等 主要问题在天线（高功率密度和耦合） 低杂波电流驱动 从上世纪80年代，低杂波电流驱动实验在中小托卡马克上展开，实验证明了低杂波电流驱动非常有效。 但是，hot spot引起杂质以及对装置内部第一壁损伤问题，高功率注入时波的激发、传播和阻尼的非线性效应。 从上世纪90年代起，在大装置上展开了高功率长脉冲的实验。 由于低杂波驱动的电流是由环向旋转的快电子携带的，快电子动力学行为对理解低杂波物理具有重要的作用。 对小装置，快电子的约束时间小于慢化时间，快电子在热化前就有可能损失掉，所以有相当一部分波的注入功率通过快电子损失了。但对大装置，这部分的损失很小。 二十多年的低杂波电流驱动实验研究以及和理论、模型的对比研究，已建立起比较好的低杂波电流驱动的物理基础。 目前，利用低杂波开展的电流驱动实验研究更多的是集中在对等离子体行为的主动控制。 低杂波最基本特性 低杂波本质上是一静电波，但也具有电磁性质。 频率：?ce2?2 ?ci2, ??lh~(?ce?ci)1/2,对纵场3T和D等离子体，fce=84GHz, fci=22.8MHz, 共振频率flh~1.4GHz。 截止：fpe=8.98ne1/2Hz, 仅当flhfpe时，低杂波才能在等离子体中传播，截止密度 ne～2.4E1016/m3。所以，低杂波原则上不能在等离子体传播。 但可以在注入波时加上非零的n||，平行于静态磁场的折射指数（ n||=ck||/?)。 n||是低杂波电流驱动最重要的参数，它决定了波功率沉积、波的可近性和电流驱动效率。它可以通过相控天线的技术实现。 以电流驱动为目的，低杂波进入到等离子体中，不希望遇到共振层，要求在整个等离子体区域，f2flh。当波到达vph～3vth区域，将会发生较强的电子Landau阻尼，波能传递给电子，驱动电流。 * * 加料与排灰 充气 弹丸注入 超声分子注入 偏滤器 * 主机各大部件特点 总装过程 * 全超导托卡马克装置EAST * PF magnet system Vacuum Vessel Thermal shield TF magnet system Cryostat vessel Main Components of the EAST Machine Support system * PF System PF Parameters Coil No. 14 Iop 14.5 kA Bmax 4.5 T dB/dt 7 T/s Top 4.2K Cond. CICC Material NbTi PF9 PF11 PF13 PF1 PF5 PF3 PF7 * 提供不小于10V-s的磁通，产