第3章溅射法精讲.pptVIP

（3）溅射条件： 工作气压1.0Pa，溅射电压1000V，靶电流密度1.0mA/cm2,薄膜沉积速率低于0.5μm/min。 （４）射频溅射法的特点 　　　a、能够产生自偏压效应，达到对靶材的轰击溅射，并沉积在衬底上； 　　　b、自发产生负偏压的过程与所用靶材是否是导体无关。但是，在靶材是金属导体的情况下，电源须经电容耦合至靶材，以隔绝电荷流通的路径，从而形成自偏压； 　　　c、与直流溅射时的情况相比，射频溅射法由于可以将能量直接耦合给等离子体中的电子，因而其工作气压和对应的靶电压较低。 相对于蒸发沉积来说，一般的溅射沉积方法具有的两个缺点： 　a、沉积速率较蒸发法低； 　b、所需工作气压较高，否则电子的平均自由程太长，放电现象不易维持。 　　　从而导致薄膜被污染的可能性较高。磁控溅射法则因为其沉积速率较高（比其他溅射法高出一个数量级），工作气体压力较低而具有独特的优越性。 　　　 ３ 磁控溅射 磁控溅射设备 磁控溅射仪（型号JGP-560） 磁控溅射装置示意图 实验样品 （1）磁控溅射的基本原理 当电子在正交电磁场中运动时，由于受到洛仑兹力的影响，电子的运动将由直线运动变成摆线运动，如图所示。电子将可以被约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率。这样，既可以降低溅射过程的气体压力，也可以显著提高溅射效率和沉积速率。 磁控溅射原理 电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛伦兹力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，并在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。 磁控溅射原理 Ar离子在磁场的作用下加速撞击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。 磁控溅射特点 电子运动路径变长，与Ar原子碰撞几率增加，提高溅射效率。 电子只有在其能量将耗尽时才会落得基片上，基片温度上升慢。 影响溅射效率的因素 磁场分布 工作气压 工作电压 溅射功率 靶基距 磁控溅射的分类 射频（RF）磁控溅射 直流（DC）磁控溅射 （2）磁控溅射设备 　 根据靶材形状不同，磁控溅射可以有许多形式，常用的主要有：平面磁控靶、圆柱磁控靶。 a、平面磁控靶 b、圆柱磁控靶 这里用的是电磁线圈，书中用的是永磁铁来提供磁场。 （３）磁控溅射的特点 　　　a、工作气压低，沉积速率高，且降低了薄膜污染的可能性； 　　　b、维持放电所需的靶电压低； 　　　c、电子对衬底的轰击能量小，可以减少衬底损伤，降低沉积温度； 　　　d、容易实现在塑料等衬底上的薄膜低温沉积。 缺点：a、对靶材的溅射不均匀； 　　　b、不适合铁磁材料的溅射，如果铁磁 材料，则少有漏磁，等离子体内无磁力线通过； （４）磁控溅射法的改进 　　　保持适度的离子对衬底的轰击效应， 以提高薄膜的质量：附着力、致密度等。 　　　 a、采用非平衡磁控溅射法，有意识 地增大（或减小）靶中心的磁体体积，造成 部分磁力线发散至距靶较远的衬底附近，这 时等离子体的作用扩展到了衬底附近，而部 分电子被加速射向衬底，同时在此过程中造 成气体分子电离和部分离子轰击衬底， 如图3.23所示。 　　　b、为进一步提高离子的轰击效果， 还可以在衬底上有意地施加各种偏压。对衬底施加偏压时的磁控溅射法又叫磁控溅射离子镀。 引言 为何要使用离子束溅射 溅射系统的一个主要缺点就是工作压强较高，由此导致溅射膜中有气体分子的进入。而离子束溅射，除具有工作压强低，减小气体进入薄膜，溅射粒子输送过程中较少受到散射等优点外，还可以让基片远离离子发生过程。 离子束溅射的靶和基片与加速极不相干，因此，通常在传统溅射沉积中由于离子碰撞引起的损伤会降到极小。并且在外延生长薄膜领域，离子束溅射沉积变得非常有用。因为在高真空环境下，离子束溅射出来的凝聚粒子具有超过10eV的动能。即使在低基片温度下，也会得到较高的表面扩散率，对外延生长十分有利。 4 离子束溅射 （1）离子束溅射薄膜沉积装置示意图（如图3.29） （2）离子束溅射的基本原理 产生离子束的独立装置被称为离子枪，它提供一定的束流强度、一定能量的Ar离子流。离子束以一定的入射角度轰击靶材并溅射出其表层的原子，后者沉积到衬底表面即形成薄膜。在靶材不导电的情况下，需要在离子枪外或是在靶材的表面附近，用直接对离子束提供电子的方法，中和离子束所携带的电荷。 （3）特点 a、气体杂质小，纯度高，因为溅射是在较高的真空度条件下进行的。 b