第2讲MOS反相器精讲.pptxVIP

第二讲 MOS 反相器 1 主要内容 2 OUTPUT INPUT MOS反相器基本概念 MOS反相器的基本概念及静态特性 3 VOH:输出电平为逻辑”1”时的最大输出电压 VOL:输出电平为逻辑”0”时的最小输出电压 VIL:仍能维持输出为逻辑”1”的最大输入电压 VIH:仍能维持输出为逻辑”0”的最小输入电压 VM（逻辑阈值）:输入等于输出 电压传输特性 MOS反相器的基本概念及静态特性 4 MOS反相器的静态特性 VDD RL VIN=VGS VOUT=VDS 1. VIN=VOL≈0V时 N管截止 VOUT=VDD 驱动管 负载 电阻负载型反相器 5 电阻负载型反相器工作原理 2. VIN=VOH≈VDD时 N管导通,可将MOS等效为可变电阻RMOS 若RLRMOS则VOUT ≈0 电阻负载型反相器 6 Vi为高电平VOH时，MI非饱和 输入为高电平时的输出电压亦可用下列方法来计算 电阻负载型反相器 7 电阻负载型反相器 8 电阻负载型反相器电压传输特性 为了使反相器的传输特性好 在驱动管开关断开时，负载电阻相对于开关的电阻足够小 在驱动管开关闭合时，负载电阻相对于开关的电阻足够大 MOS晶体管的导通电阻随管子的尺寸不同而不同，通常在K欧数量级，假设它为3K欧，负载电阻取它的10倍为30K欧，用多晶硅作负载电阻时，如多晶硅的线宽为2微米的话，线长需为2mm。 占面积很大，因此通常用MOS管做负载 电阻负载型反相器 9 关于负载电阻的讨论 饱和型E/E MOS负载反相器 负载管只要开通，则工作在饱和区 VIN  0驱动管截止 VOUT=VOH= VDD-VTL (在VOUT上升过程中，当VGSL=VDD-(VDD-VTL)=VTL时，负载管趋近于截止, IDSL=k(VGSL-VTL)2=0) 有比电路 E/E MOS反相器 10 VIN  VDD驱动管非饱和导通,负载管饱和导通 (1)VOH比电源电压VDD低一个阈值电压Vt（有衬底偏置效应）； (4)上升过程由于负载管逐渐接近截止，tr较大。 (2)VOL与R有关，为有比电路； E/E MOS反相器 11 (3) ML和MI的宽长比分别影响tr和tf。 E/E MOS反相器 12 VOH = VDD KL[2(VGG-VOH -VTL)(VDD -VOH) - (VDD -VOH) 2 ] = 0 VGG VDD +VTL Vi为VOL时，MI截止，ML非饱和 E/E 非饱和负载NMOS反相器 E/E MOS反相器 13 Vi为VOH时，MI非饱和，ML非饱和 E/E MOS反相器 14 (1)双电源 (2) VOH =VDD (3)VOL与R有关，为有比电路； (4) VGG越高，tr越小，但是VOL越大、功耗越大。 E/E MOS反相器 15 初始状态： Vi=VOH，Vo=VOL MB、ML饱和、MI非饱和 有比电路 VGL=VDDVTB 自举负载NMOS反相器 E/E MOS反相器 16 自举过程： Vi 变为VOL ,MI截止,Vo上升， VGL随Vo上升(电容自举)， MB截止, ML逐渐由饱和进入非饱和导通， Vo可达到VDD。 自举结果： 相比于饱和E/E反相器， tr缩短，VOH可达到VDD。 饱和E/E反相器 E/E MOS反相器 17 VGL CO = VGSL CB VGL = VGSL + Vo 自举率定义： 由于电荷守能定律： 应尽可能较小寄生电容Co，使达到80%以上。 在实际电路中负载管和预充管都有寄生电容，这些电容可以用一个对地电容CO加以等效，在自举过程中，VGL的升高标志着CO上的电荷增加，而CO和CB上的电荷总量是恒定的，因此， CB上的电压VGSL就要减小。 E/E MOS反相器 18 自举反相器中，反偏PN解的漏电有不可忽略的作用。由于结的漏电会使电容上的电荷逐渐释放，从而引起自举电位VGL下降(尤其是低频)，最低可降到：VGL=VDDVTB ， 因而ML变为饱和导通，输出VOH降低：VOH=VDDVTBVTL 为了提高输出高电平，加入上拉元件MA (或RA)，以补充漏电而损失的电荷。 E/D MOS反相器 19 VOH = VDD KD[2(0 -VTD)(VDD -VOH)- (VDD -VOH) 2 ] = 0 Vi为VOL时，ME截止，MD非饱和 MD 为耗尽型器件， VTD 0， ME 为增强型器件， VTE 0， E/D MOS反相器 20 KD(0 -VTD)2