半导体物理第一章介绍.pptVIP

探针2处的电势： 探针3处的电势： 探针2和3之间的电势差： 取S1=S2=S3=S，则： 实际测试中要注意：探针及尖，间距足够小（1mm）;避免电流过大。 1.6 方块电阻 描述扩散薄层的导电性能的重要参数。 扩散后的杂质浓度分布（p型） 离开表面深度 如图，受主杂质浓度与施主杂质浓度相等的地方xj是P型和N型的交界面，此处形成PN结。 xj称为结深。表面厚度为xj的这一层叫做扩散薄层，通常厚度为几个微米。 对于电阻率恒定的薄层导体，如果其宽为W、厚为d，则其电阻为： 比例系数 称为方块电阻 对于电阻率不恒定的薄层导体， 如果忽略迁移率随着杂质浓度的变化，则 显而易见，方块电阻与杂质总量成反比。因此，在扩散工艺中，常用 标志扩散杂质的总量。 看书自学： 方块电阻的测量与结深测量相结合，可以估算表面杂质浓度。 根据方块电阻表示扩散薄层中杂质总量这一物理概念，通过测量方块电阻可以求出扩散薄层中的杂质分布。 四探针法测试扩散薄层电阻率（方块电阻） 由于PN结的阻挡作用，探针1和4之间的电流只在扩散层内通过；因此，四探针法直接测试的是扩散层的导电性能。 扩散层厚度一般仅几个微米，相对于探针间距是很小的，因此，扩散层可看成为一个无限薄层。 如图电流I通过探针流入薄层，在半径r处实际上是通过一个高为xj的圆柱面流开的。圆柱面的总面积为： 则可得到半径r处电场为： 相应的电势函数为： 四探针情况下，设探针间距离相等，均为S。则： 同理， 则， 扩散薄层的几何尺寸不满足无穷大平面的条件下，测量结果要进行修正。（见教材修正因子c的列表） 半导体物理 半导体物理是凝聚态物理领域中的一个活跃分支,也是半导体科学技术发展的重要物理基础。半个多世纪以来，半导体物理自身不仅在晶态半导体、非晶态半导体、半导体表面、半导体超晶格、纳米半导体和有机半导体等领域中都获得了令世人瞩目的重大进展，而且它还是一系列新材料、新结构、新效应、新器件和新工艺产生的源泉。因此，此课程的学习对日后从事半导体领域研究及其他新兴交叉学科如纳米科学的研究尤为重要。 主讲教师：刘金平 授课主要内容（半导体物理基础知识）： 掺杂半导体的导电性（载流子，电导率，电阻率，迁移率，方块电阻） 能级（多子，少子，费米能级，非平衡载流子复合、扩散） PN结（I-V关系，空间电荷区，晶体管，PN结击穿、电容效应，金属-半导体接触） 半导体表面（表面空间电荷区，MIS电容器，MOS场效应晶体管，电荷耦合器件） 晶格和缺陷（空位，间隙原子，位错，层错，相变，相图） 前沿应用领域选讲： 太阳能电池（PN结型，染料敏化，有机光伏） 半导体光催化（光吸收，电子空穴分离） 光电化学分解水（原理，基本物理过程） 半导体器件 教材：《半导体物理基础》，黄昆，韩汝琦；科学出版社 参考书目： 《半导体物理学》刘恩科、 朱秉升、罗晋生等编著，电子 工业出版社 《半导体物理与器件——基 本原理》(第3版)(美) DonaldA.Neamen著 第一章：掺杂半导体的导电性 1.1 载流子 半导体的导电与金属不同，存在两种载流 子：电子和空穴。 空穴：可以自由移动的缺位。 常温下，热运动对半导体导电性影响十分微 弱（对于Si，Ne, Np1.5×1010 cm-3）。 掺杂是控制半导体中载流子浓度，从而控制半导体 导电性的重要手段。 1.2 掺杂 （1）施主掺杂 纯Si V主族元素掺杂（P,As,Sb,Bi） 施主杂质：杂质原子提供自由电子而本身变成带正电的离子。N型半导体：依靠电子导电的半导体。 1.2 掺杂 （2）受主掺杂 纯Si III主族元素掺杂（B,Al,Ga,In） 受主杂质：杂质原子提供空穴而本身变成带负电的离子。P型半导体：依靠空穴导电的半导体。 讨论： 对于半导体Ge，上述讨论依然成立。由于Ge较大的原子系数，其对价电子束缚力较弱。 存在大量的化合物半导体材料。比如III-V型化合物：GaAs,InSb,GaP,InP等。II-VI型半导体：ZnO,CdS. GaAs是一类重要的半导体，已广泛用于制造发光二极管、激光器以及微波器件等。 III-V型半导体 *共价键与离子键的结合。对价电子的束缚力更大。 阳离子掺杂：锌Zn, 镉Cd 阴离子掺杂：碲Te, 硒Se Si,Ge等IV族的元素既可受主、亦可施主掺杂。 1.3 微分欧姆定律、电导率、电阻率 微分欧姆定律：描述半导体内各点电流强弱的不均匀性。 为通过单位横截面积的电流强度，称为电流密度。 称为半导体的 电导率。E为电场强度。 探针测试半导体电阻这种情况下，电流成一个以探针尖为中心、沿半径四周散开的电流