太阳能电池工艺解答.pptVIP

晶硅太阳能电池工艺 硅 (Si) silicon Si Basic Parameters硅的基本参数 硅材料的制备与选取 硅是地球外壳第二位最丰富的元素，提炼硅的原料是ＳiO２。在目前工业提炼工艺中，一般采用ＳiＯ２的结晶态，即石英砂在电弧炉中（如图3.１）用碳还原的方法治炼得反应方程为 CZ（直拉）法制备Si单晶 FZ（区熔）法制备Si单晶 SOG 降低太阳电池的成本决定于硅材料成本的降低。而硅材料成本的关键在于材料的制造方法。为了能与其它能源竞争，一般要和晶硅太阳电池的转换效率大于10%达到这一要求实际上并不需要使用半导体级硅。人们研制、生产太阳电池级硅（SOG-Si）。我们知道一些金属（Ta、Mo、Nb、Zr、W、Ti和V）只要很低的浓度就能降低电池的性能，而另一些杂质即便浓度超过1015/cm3仍不成问题，此浓度大约比半导体级硅的杂质浓度高100倍，这样就可以选用成本较低的工艺来生产纯度稍低的太阳电池级硅，而仍旧能制造性能比较好的电池。为了进一步降低电池成本，人们还在研究单晶硅。 硅料选用 １、导电类型： 从国内外硅太阳电池生产的情况来看，多数采用 P 型硅材料，这是基于 n+/p 型电池在空间的应用及其传统的生产历史。也由于该种材料易得。 ２、电阻率： 由硅太阳电池的原理知道，在一定范围内，电池的开路电压随着硅基体电阻率的下降而增加，材料电阻率较低时，能得到较高的开路电压，而路电流则略低，总的转换效率较高。所以，地面应用倾向于0.5～3.0?cm的材料。太低的电阻率。反而使开路电压降低，并且导致填充因子下降。 ３、晶向、位错、寿命: 太阳电池较多选用（111）和（100）晶向生长的单晶。由于绒面电池相对有较高的吸光性能，较多采用（100）间的硅衬底材料。在不要求太阳电池有很高转换效率的场合，位错密度和电子寿命不作严格要求。 基于以上提高电池转换效率的途径，派生了多种高效晶体硅太阳能电池的设计和制造工艺。其中包括PESC电池（发射结钝化太阳电池）和表面刻槽绒面PESC电池；背面点接触电池（前后表面钝化电池）；PERL电池（发射结钝化和背面点接触电池）。由这些电池设计和工艺制造出的电池的转换效率均高于20%，其中保持世界记录（24.7%）的单晶硅和多晶硅电池（19.8%）的转换效率均是由PERL电池实现的。 化学清洗 硅片的洁净度和表面状态对光电转换效率的影响很大，是生产中的重点工序。 去污： 通常，由单晶棒所切割的硅片表面可能污染的杂质大致可归纳为三类： 1、油脂、松香、蜡等有机物质。 2、金属、金属离子及各种无机化合物。 3、尘埃以及其它可溶性物质。 通过一些化学清洗剂可以达到去污的目的。如硫酸、王水、酸性和碱性过氧化氢溶液等。 去损伤层： 片在切割过程中表面留有大约 10～20μm的锯后损伤层，对制绒有很大影响，因此在制绒前必须将其除去。生产中主要通过HF，HNO3，HCl等对硅片进行腐蚀处理； 硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用。腐蚀液有酸性和碱性两类 1、酸性腐蚀法 硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，其溶液配比为浓硝酸：氢氟酸=10：1到2：1。硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为 3Si + 4HNO3 = 3SiO2 + 2HO2 + 4NO? 而氢氟酸使在硅表面形成的二氧化硅不断溶解，使反应不断进行，其反应为 生成的络合物六氟硅酸溶于水，通过调整硝酸和氢氟酸的比例，溶液的温度可控制腐蚀速度，如在腐蚀液中加入醋酸作缓冲剂，可使硅片表面光亮。一般酸性腐蚀液的配比为 硝酸：氢氟酸：醋酸=5：3：3或5：1：1 2、碱性腐蚀 硅可与氢氧化钠、氢氧化钾等碱的溶液起作用，生成硅酸盐并放出氢气，化学反应为： Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2?  制绒 即表面织构化，通过将光滑如镜的表面腐蚀成凸凹不平的表面结构，延长光在电池表面的传播路径，减少光反射造成的光损失，从而提高太阳能电池对光的吸收效率。同时绒面也能对以后组件封装的光匹配有比较大的帮助，可以减少组件封装的损耗。 单晶硅的表面织构化为倒金字塔结构，多晶硅的表面织构化为蜂窝结构。 各向异性腐蚀即腐蚀速度随单晶的不同结晶方向而变化，一般说来，晶面间的共价健密度越高，也就越难腐蚀。对于硅而言，如选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，（100）面可比（111）面腐蚀速度大数十倍以上。因此，（100）硅片的各向异性腐蚀最终导致在表面产生许多密布的表面为（111）面的四面方锥体，由于腐蚀过程的随机性，方锥体的大小不等，以控制在3～6?m为宜。 硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，如氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化锂，联氨和乙二胺等，商品化电池的生产中，通常使用廉价的氢氧化钠稀溶液（浓度为1～2%）来制备绒面