结构陶瓷课题.ppt

Dept. of MSE, CQU * SHS反应过程示意图 Dept. of MSE, CQU * 激光诱导化学气相沉积法(LICVD) LICVD法是利用反应气体分子对特定波长激光束的吸收而产生热分解或化学反应，经成核生长形成超细粉末。 该方法通常以含有碳源及硼源的气体(BCl3、B2H6、CHCl3、CH4等)为原料,在激光的强烈辐射下,混合气体迅速升温并发生反应生成B4C纳米颗粒，与石墨、氯仿等挥发物以烟灰形态沉积在有微孔的微栅上，再经过一定的处理得到具有一定纯度的纳米B4C粉，为制备纳米B4C粉提供了新的研究方法。 Dept. of MSE, CQU * 溶胶-凝胶(Sol-gel)碳热还原法 Sol-gel法是指无机物或金属醇盐经过溶液、溶胶、凝胶而固化，再经热处理成为化合物固体的方法。利用此法中原料的分子级混合更加均匀、反应温度低、产物膨松等特点，对制备超细B4C粉必然大有益处。 根据Sinha的研究，硼酸与柠檬酸可以形成稳定透明的金黄色凝胶体，于真空炉中加热至700℃可得到多孔松软的块状硼酸/柠檬酸凝胶前驱体，将制备好的凝胶前驱体放于石墨模具内，在真空状态下于1000～1450℃保温2h，就可得到原始粉末粒径分布范围窄、平均粒径为2.25μm的B4C微粉。 Dept. of MSE, CQU * 碳化硼陶瓷的烧结 由于碳化硼的结合键是强共价键，而且塑性差，晶界移动阻力大，固态时表面张力很小，因此碳化硼烧结困难。碳化硼陶瓷的制备主要采用热压烧结，也可以用等静压烧结、无压烧结、放电等离子烧结及反应烧结等方法。 Dept. of MSE, CQU * 热压、热等静压(HIP)烧结 为了获得高致密度，在适当温度下用热压处理，热压造成颗粒重排和塑性流动、晶界滑移、应变诱导孪晶、蠕变以及后阶段体积扩散与重结晶相结合等物质迁移机理。 碳化硼的热压烧结在惰性气氛或真空中进行，一般热压温度2200～2300℃，压力20～40MPa，保温时间0.5～2h，由于碳化硼是共价键很强的化合物，无添加剂的烧结很难得到高致密度、高性能的产品，为了降低碳化硼的烧结温度及改善碳化硼的性能，必须加入烧结助剂来促进烧结。 由于碳化硼抗热震性能较差，因此要缓慢降温。热压烧结只能制备形状较简单的制品。 成本高 Dept. of MSE, CQU * 无压烧结 添加金属氧化物 通过提高点缺陷或位错密度来提高晶界和体积扩散的活化作用，可在较低温度下实现致密化。 通常加入加入三价离子，如硼或铝来取代碳从而导致电子缺少，产生空位。最常用的添加剂是Al2O3，添加质量分数为3% Al2O3的B4C，在2150 ℃无压烧结，获得最大致密度为96%。 Dept. of MSE, CQU * 添加金属单质 金属单质强化烧结过程，提高材料性能主要是通过两个途径来实现：一是在烧结过程中引入液相，通过液相烧结致密化机制来促进致密化；二是添加物与B4C发生化学反应，生成的金属硼化物作为增强相起到弥散强化的作用。 当添加3%的Al时，制品相对密度达到最大值，可达到92.3%。相对密度达到最大值后随着质量分数的增加明显降低，其主要原因是添加剂的大量挥发。 Dept. of MSE, CQU * 添加碳或有机物 对于碳化硼，碳是一种重要的烧结添加剂，其加入量从l %~6 %足以获得完全致密。在亚微米B4C粉末中加入酚醛树脂(相当于l%~3%的C)，在2 150℃下烧结可以获得98%的致密度。 烧结活性归因于氧化层被除去而增加的表面能；同时在晶界上发现了残余石墨粒子，它能阻止表面扩散及蒸发，也可能控制晶界运动。 在B4C中同时加入酚醛树脂和聚碳硅烷，无压烧结过程中生成C和SiC，可同时促进了致密化与韧化。 Dept. of MSE, CQU * 放电等离子烧结法(SPS) SPS法是一种快速烧结新工艺，将瞬间、断续、高能脉冲电流通入装有粉末的模具上，在粉末颗粒间即可产生等离子放电，导致粉末的净化、活化、均化等效应。 传统的热压烧结主要是由通电产生的焦耳热和加压造成的塑性变形这两个因素来促使烧结的进行，而放电等离子的烧结过程，除了上述作用外， 还有效利用了瞬时产生的放电等离子使被烧结体内部每个颗粒均匀地自发热和使颗粒表面活化，因而具有非常高的热效率，可在相当短的时间内使烧结体达到致密。 Dept. of MSE, CQU * SPS技术具有如下特点：(1)烧结温度低、烧结时间短，可获得细小、均匀的组织，并能保持原始材料的自然状态；(2)烧结体致密度高；(3)通过控制烧结组分与工艺，能烧结梯度材料及大型工件等复杂材料。 Dept.