13低频电子电路第六章技术方案.pptVIP

集成器件： 是指基于同一硅基片材料，通过制造工艺流程在不同区域完成二极管、晶体管、场效应管、电阻和电容的功能区域，并经基片表面光沉积铝层和光刻工艺完成各区域的连接，构成具有电路功能的集成器件。 因此，集成器件又称 集成电路。 ( Integrated Circuit ) 集成电路按其处理的信号类型的不同，分为处理数字信号的数字集成电 路、处理模拟信号的模拟集成电路，以及模数混合集成电路三大类。 6.1　集成增益器件 集成增益器件，又称集成运算放大器，具体可分为双极型集成增益器件和 MOS 集成增益器件，前者基于晶体管放大原理、后者基于 MOS 管放大原理制造而成。 集成运算放大器具有高增益、高可靠性等优点。能作为通用增益器件，象晶体管一样，广泛运用于对模拟信号的运算处理和信号放大以及比较判断等电路领域。 从内部组成看，集成运算放大器是一个双输入的多级级联的直接耦合多级放大电路，其等效方框图如图6-1-1所示。 它的典型输入级为各种改进型的差分放大电路；中间级是由一到两级放大电路组成的高增益电路；输出级一般采用能适应输出负载需求的乙类互补对称功率放大电路；偏置电路采用恒流源偏置电路。 此外，在组成电路中，还附有电平位移电路、保护输出级管子安全工作的过载保护电路，以及还可能附有自动恒温控制电路等其它提升电能性能的辅助电路。 电压型集成运算放大器(本章简称集成运放)的电路符号如下图所示。 图中电位 v+、v- 分别与符号内的同相输入端“+”号和反相输入端“?”的电位相对应，电位 vO 代表输出电极的响应电位；输入与输出的信号转移关系如图(c)所示。 从输入与输出的信号转移关系可以得出如下结论：该电路的总体特性与差分放大器的大信号特性类似，即该器件属于非线性器件。从电路运用分析角度看，特性可以用三条渐进线描述，如图 (d)所示，即 通常将特性中原点附近的区域称为小信号放大区 (也称线性区)，可以完成输入差模信号的线性放大；在输出最大值或最小值时，则对应于管子内部的截止和饱和(晶体管)、或截止和可变电阻(场效应管)的非放大状态，通常统称为增益器件的饱和区。 从电特性看，集成运放输入电阻大，从几十k? 到几十M?，而输出电阻较小，从几百?到几十?；在小信号放大区，它的增益可高达(60~140dB)，即是一种较理想的增益器件。 在双直流电源的条件下，会通过内部设计，使输入信号端直流电位为零时，输出端直流电位也为零，即有利于在与其它集成运放连接时，不需要考虑它们之间的电平配置问题。 6.1.1 双极型集成增益器件 本节以双极型工艺制造的 F007 ( 也称 ?A741 ，或 LM741 ) 集成运放为例，给出电压型集成放大单元的分析。 F007 内部原理电路如图 6-1-3所示。电路具体分为四部分，即偏置电路、输入放大级、中间放大级和输出放大级。 6.1.3 集成增益器件的技术指标 一般来说，在应用集成增益器件的电路设计中，正确理解和运用其特性参数，是评价和选择集成增益器件所必需的。但由于集成增益器件的参数名目很多，以及各生产厂家给出的参数的不同，我们只能关心一些基础的参数。基础参数分为三类： 1、直流参数 2、信号参数（着重点） 3、快速转换信号参数 主要信号参数 ① 差模开环增益 Ad ② 开环共模增益 Ac ③ 共模抑制比 KCMR ④ 开环带宽 BW ⑤ 差模输入阻抗 Zid ⑥ 共模输入阻抗 Zic ⑦ 输出阻抗 Zo ⑧ 以及输出峰-峰电压值 Vopp ⑨ 最大差模输入电压VidM * ■ 6.1　集成增益器件 6.1.1　双极型集成增益器件 6.1.2　ＭＯＳ集成增益器件 6.1.3 集成运放的技术指标 6.2 集成与、或、非门的电路基础 第六章 集 成 器 件 基 础 集成电路自1958年以来的50年发展，已达到在单个基片上制作几千万个晶体管或场效应管的完整电子系统水平。 与分立元件相比，集成电路体积小、重量轻、耗电少，制作的成品电路系统可靠性高、性能好，成本低。 集成电路制造的的特点： 1. 参数对称性好，适用于构成差分放大电路。 　　2. 集成电路中电阻，其阻值范围一般在几十欧到几十千欧之间，如需高阻值电阻时，