传感器12剖析.ppt

M1区动态电阻很大，M3区动态电阻很小(近于零)，从Ml区到M3区的转换时间很短(微秒级)，与其它具有“S”型特性的半导体器件相比，该待性十分优异，为在形态上加以区别，故称“L”型特性。 Z-元件具有两个稳定的工作状态：“高阻态”和“低阻态”，工作的初始状态可按需要设定。若静态工作点设定在M1区，Z-元件处于稳定的高阻状态，作为开关元件在电路中相当于“阻断”。若静态工作点设定在M3区，Z-元件将处于稳定的低阻状态，作为开关元件在电路中相当于“导通”。 在正向伏安特性上P点是一个特别值得关注的点，特称为阀值点，其坐标为：P(Vth，Ith)。p点对外部激励(如温、磁、光、力等)十分敏感，其灵敏度要比伏安特性上其它诸点要高许多。利用这一件质，可通过电压控制，使工作点逼近阈值电。Z-元件可从高阻状态迅速通过负阻区跳变到低阻状态;或者通过外部激励控制，使阈值点逼近工作点，Z-元件可从低阻状态迅速通过负阻区跳变到高限态。在上述两种情况下，只要满足状态转换条件，都将引起工作状态的快速转换，从而产生开关量输出。 Z-元件的反向伏安特性如图(d)所示。反向击穿电压很高(约200~300V)，反向电流很小(约十几微安到几十微安)。以温敏Z-元件为例，在常用反向电压范田内，例如VR36V 。反向特性线性良好，而且工作温度越低，线性度越好。当电源电压不变时，随温度升高，反向电流增加，具有正温度系数。 Z-元件的反向应用具有低功耗特点，利用这一特点可开发低功耗温度传感器，或其它低功耗电子产品。 2．基本应用电路 Z-元件基本应用电路如图所示，其中负载电阻RL用于限制工作电流，并取出输出信号。 1）图(a)为开关量输出电路 2）模拟量输出电路 模拟量输出电路如图(b)所示 3）脉冲频率输出电路 脉冲频率输出电路如图(c)所示 3．Z-元件的主要优点 （1）测量参数广泛。在Z-元件系列中，不同Z-元件对不同的工业参数敏感，同一检测电路选用不同的Z-元件，可测量不同的工业参数。 （2）无需前置放大和A/D转换便可输出大幅值的脉冲频率信号，可与计算机直接通讯。 （3）大幅值数字量输出，抗干扰能力强。 （4）由敏感元件构成传感器仅需一个电阻（或附加一个辅助电容C），传感器电路结构简单。 （5）尺寸小，重量轻（典型芯片尺寸为1×1×0.3 mm3），无外壳封装，热容小，特性灵敏，便于安装和结构再加工，也可有多种封装结构适应用户的不同需求。 （6）低功耗（正向1~2mA，反向10~20μA），可在低电压下工作（E=3~5V），特别适于便携式和本质安全型仪表的开发。 （7）能实现非接触测量。 （8）Z-元件具有三种工作方式，调整生产工艺参数和选择不同的静态工作点可分别得到模拟量信号、开关量信号或脉冲频率信号输出。其中模拟量信号输出与传统模拟传感器相比，在输出幅值和动态灵敏度上要高出许多倍，而开关量信号输出和脉冲频率信号输出对研制新一代数字传感器和各种三端器件有重要意义。 4．Z-元件的应用 目前大批量生产工艺较成熟的是对磁场强度敏感的Z-元件。事实上,很多物理量的测量是可以经由对磁场的测量来间接实现的。下面提供几种物理量的测量以引发更多的Z-元件应用电路设计(各图中M代表永恒磁，Z代表磁敏感Z-元件 )。 因为Z-元件无需前置放大器和A/D转换器便可与Z-元件之间的微小距离来间接测量更多的物理直接输出大幅值数字信号，它无接触式测量，体积小，功耗低，抗噪能力强,并且通过工艺，可生产出直接测量磁场强度、温度、压力、光线强弱、湿度及α、β、γ射线等各种物理量的Z-元件，也可以有改变永恒磁铁与Z-元件之间的微小聚拢来间接测量更多的物理量。因此，Z-元件具有很好的应用前景。 2．磁敏三极管的结构原理 NPN型磁敏三极管是在弱P型近本征半导体上用合金法或扩散法形成三个结，即发射结、基极结、集电结。在长基区的侧面制成一个复合速率很高的高复合区r。 长基区分为输运基区和复合基区。结构示意图见图。 如图（a），当不受磁场作用时，由于磁敏三极管基区宽度大于载流子有效扩散长度，因而注入载流子除少部分输入到集电极 c外，大部分通过e－i－b，形成基极电流。显而易见，基极