新能源材料第10讲详解.ppt

10 非晶硅太阳电池材料 10.1 概述 10.2 非晶硅太阳电池的发展进程 10.3 对非晶硅太阳电池的进一步研究与发展 10.4 非晶硅太阳电池的应用现状与发展前景 10.1 概述 非晶硅太阳电池是70年代中期才发展起来的一种新型薄膜太阳电池。该电池最大的特点是在降低成本方面有很大优势。 随着电池性能的不断提高、制造技术的逐渐成熟和成本的大幅下降，非晶硅太阳电池作为新型清洁能源具有更加广阔的应用前景。本章介绍非晶硅新型材料及其在非晶硅太阳电池上的应用。 10.1.1 非晶硅半导体材料 1） 非晶硅 非晶硅是近代发展起来的一种新型非晶态半导体材料。同晶体硅相比，它的最基本的特征是组成原子没有长程有序性，只是在几个晶格常数范围内具有短程有序。原子之间的键合十分类似晶体硅，形成一种共价无规则网络结构。 另一个特点，在非晶硅半导体可以实现连续的物性控制。非晶硅性能重复性差，结构也比较复杂。为了描述非晶硅基材料的结构，人们提出了一些理论模型，如连续无规则网络模型、微晶模型等。 2） 非晶硅材料的光电特性 由于非晶硅材料在结构上是一种共价无规则网络，没有周期性排列的约束，所以其特性，特别是光学合电学性质不同于晶体硅材料。非晶硅材料结构上的长程无序产生了能带尾，带尾的宽度依赖于结构无序的程度。典型的能带模型如下图所示： 10.1.2 非晶硅太阳电池的特性 1）工作原理 非晶硅太阳电池的工作原理与单晶硅太阳电池类似，都是利用半导体的光伏效应。与单晶硅太阳电池不同的是，在非晶硅太阳电池中光生载流子只有漂移运动而无扩散运动。 α－Si电池的工作原理如下：入射光通过p＋层后进入i层产生e－h对，光生载流子一旦产生便被pn结内建电场分开，空穴漂移到p边，电子漂移到n边，形成光生电流IL和光生电动势VL。VL与内建电势Vb反向。当|VL|=|Vb|达到平衡时，IL＝，VL达到最大值，称为开路电压VOC，此时VL=0当外电路加入负载时，则维持某一光电压VL和光电流IL。 2）非晶硅太阳电池的结构 非晶硅太阳电池是以玻璃、不锈钢及特种塑料为衬底的薄膜太阳电池，结构如图10-2 10.1.3 非晶硅太阳电池的制备 一般说来，pin集成型a－Si太阳电池的制造工序是（以玻璃衬底为例）： TCO膜的种类有铟锡氧化物（ITO）、二氧化锡（SnO2）和氧化锌（ZnO）。 非晶硅材料是用气相沉积法形成的。根据离解和沉淀的方法不同，气相沉淀法分为辉光放电分解法（GD）、溅射法（SP）、真空蒸发法、光化学气相沉积法和热丝法等。 10.2 非晶硅太阳电池的发展进程 自1976年，Carlson和Wronski首次报道第一个a-Si太阳电池以来，围绕提高a-Si电池的转换效率、改善稳定性等问题，人们在材料和电池结构等方面进行了广泛深入的研究，并取得了巨大的进展。下面简略回顾非晶硅太阳电池的研究进程。 10.2.1 提高非晶硅太阳电池转换效率的技术措施 1）改进p型窗口材料及其前后界面特性 2）采用陷光结构以增加太阳电池的短路电流 3）获得高质量i层 4）提高n型的质量 5）采用叠层电池结构以扩展光谱响应范围 10.2.2 提高非晶硅太阳电池稳定性的研究 1）S-W效应 非晶硅及其合金的光暗电导率随光照时间加长而减小，经170℃～200℃退火2h，又可以恢复原状。这种现象首先由Stabler和Wronski发现，因而称之为S-W效应。S-W效应实际上是a-Si：H材料结构的一种光致亚变化效应，即光照使a-Si：H材料产生中性悬挂键等缺陷。为解释这个问题，提出了多种微观模型： 如Si-Si弱键模型、电荷转移模型、再杂化双位模型、Si-H弱键模型以及桥键模型等。 2）提高非晶硅太阳电池稳定效率的研究 首先要获得高稳定性的ia-Si：H材料。 在结构上采取措施，其中主要是采用了多带隙叠层电池结构。 成熟技术： 采用叠层电池结构以扩展光谱响应范围并提高稳定性； 采用绒面上电极和多层背反射电极以增加光在i层的吸收率； 利用H2稀释法生长高光敏感性和高稳定性的i层材料a-Si:H和a-SiGe:H； 采用pμc-Si层和nμc-Si层，以增加内建电势并减小串联电阻； 采用p/i界面H+处理， pμc-Si/pa-SiC隧道结，以改善异质结界面输运特性等。 目前大面积非晶硅太阳电池的最高稳定效率如下表： 10.3 对非晶硅太阳电池的进一步研究与开发 经过多年的研究开发，非晶