【优化探究】(新课标)2017届高三物理一轮复习 第9章 电磁感应 第3讲 电磁感应规律的综合应用知能提升演练.docVIP

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【优化探究】(新课标)2017届高三物理一轮复习 第9章 电磁感应 第3讲 电磁感应规律的综合应用知能提升演练

电磁感应规律的综合应用 [随堂反馈] 1.(2015·高考山东卷)如图甲所示,R0为定值电阻,两金属圆环固定在同一绝缘平面内.左端连接在一周期为T0的正弦交流电源上,经二极管整流后,通过R0的电流i始终向左,其大小按图乙所示规律变化.规定内圆环a端电势高于b端时,a、b间的电压uab为正,下列uab-t图象可能正确的是(  ) 解析:电流产生的磁场与电流的大小成正比,而感应电动势E=,即磁场的变化率表示E的大小.因此在t=0时刻,i变化率最大,即最大,uab为最大值,B错误.0~0.25T0与0.5T0~0.75T0电流变化相同,uab也相同,A、D错误,C正确. 答案:C 2.(多选)如图所示,边长为L、不可形变的正方形导线框内有半径为r的圆形磁场区域,其磁感应强度B随时间t的变化关系为B=kt(常量k0).回路中滑动变阻器R的最大阻值为R0,滑动片P位于滑动变阻器中央,定值电阻R1=R0、R2=.闭合开关S,电压表的示数为U,不考虑虚线MN右侧导体的感应电动势,则(  ) A.R2两端的电压为 B.电容器的a极板带正电 C.滑动变阻器R的热功率为电阻R2的5倍 D.正方形导线框中的感应电动势为kL2 解析:由题图知外电路结构为R2与R的右半部并联,再与R的左半部、R1相串联,故R2两端电压U2=U=,A正确.因k0,由楞次定律知线框内感应电流沿逆时针方向,故电容器b极板带正电,B错误.滑动变阻器右侧部分电流、电压均与R2相同,左侧部分电阻与R2相同,电流是R2中电流的2倍,由P=I2R可知总功率是R2的5倍,所以C正确.由法拉第电磁感应定律可知E=n,其中S为有效面积,S=πr2,得E=πkr2,所以D错误. 答案:AC 3.如图所示,足够长的光滑导轨倾斜放置,其下端连接一个电阻为R的灯泡,匀强磁场的磁感应强度方向垂直于导轨所在平面向上,垂直导轨的导体棒ab电阻为r,导轨和导线电阻不计.在导体棒ab的下滑过程中(  ) A.感应电流在导体棒ab中的方向为从a到b B.导体棒受到的安培力方向沿斜面向下,大小保持恒定 C.导体棒的机械能一直减少 D.导体棒克服安培力做的功等于灯泡消耗的电能 解析:导体棒ab下滑过程中,由右手定则判断感应电流I在导体棒ab中的方向为从b到a,A错误;由左手定则判断导体棒ab受沿斜面向上的安培力F安,由分析知,导体棒ab开始速度增大,感应电动势增大,感应电流增大,安培力增大,当F安=mgsin θ时达到最大速度vm,之后做匀速直线运动,速度不再增大,安培力不变,故B错误;由于下滑过程导体棒ab切割磁感线产生感应电动势,回路中有灯泡、电阻消耗电能,机械能不断转化为内能,所以导体棒的机械能不断减少,故C正确;根据功能关系有克服安培力做的功等于整个回路消耗的电能,包括灯泡和导体棒消耗的电能,故D错误. 答案:C 4.(多选)(2015·湖北十三校二联)如图甲所示,abcd是位于竖直平面内的正方形闭合金属线框,在金属线框的下方有一磁感应强度为B的匀强磁场区域,MN和M′N′是匀强磁场区域的水平边界,边界的宽度为s,并与线框的bc边平行,磁场方向与线框平面垂直.现让金属线框由距MN的某一高度从静止开始下落,图乙是金属线框由开始下落到完全穿过匀强磁场区域的v-t图象(其是OA、BC、DE相互平行).已知金属线框的边长为L(L<s)、质量为m、电阻为R,当地的重力加速度为g,图象中坐标轴上所标出的字母v1、v2、t1、t2、t3、t4均为已知量.(下落过程中bc边始终水平)根据题中所给条件,以下说法正确的是(  ) A.t2时刻是线框全部进入磁场瞬间,t4时刻是线框全部离开磁场瞬间 B.从bc边进入磁场起一直到ad边离开磁场为止,感应电流所做的功为mgs C.v1的大小可能为 D.线框穿出磁场过程中流经线框横截面的电荷量比线框进入磁场过程中流经线框横截面的电荷量多 解析:分析题给条件可知:线框进入磁场之前,做自由落体运动,即匀加速直线运动;线框的bc边进入磁场后,ad边进入磁场前,bc边受向上的安培力,加速度a=,做加速度越来越小的变减速运动;当线框全部进入磁场中后,线框受安培力为零,又做匀加速直线运动,加速度为g;当bc边出磁场,只有ad边在磁场中时,ad边受向上的安培力,a=,做加速度越来越小的变减速运动;当线框全部出磁场之后,其只受重力,又做匀加速直线运动,加速度为g.对照图乙可知,t2时刻是线框全部进入磁场瞬间,t4时刻是线框全部离开磁场瞬间,A正确.由能量关系可得,从bc边进入磁场到ad边出磁场的过程中感应电流做的功为W=mg(s+L)-,B错.由q=n可知,线框穿出磁场过程中流经线框横截面的电荷量与线框进入磁场过程中流经线框横截面的电荷量相等,D错.当线框速度为v1时,其所受安培力若正好

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