非晶硅太阳能复习讲义.doc

工作知识 一、填空题 1、磨边后，导电玻璃的倒边宽度标准尺寸范围为1.2～1.4 mm，倒角宽度的标准尺寸范围为2～4mm； 2、激光一负极边标准为13±0.3mm 3、激光一刻划时导电玻璃电压边两端预留5±3 毫米不刻划； 4、将ROFIN 激光器开机打到‘2’档后，超过 20 分钟才能开始刻划电池芯片； 5、激光一校准标准板后，需要将刻划的 前2片 导电玻璃拿到激光二查看刻划线是否正常； 6、 白玻清洗时清洗液的PH 值： 10--11 7、磨边机上下两传送带间距设定值为 3~3.5MM，设定标准是导电玻璃可以顺利通过传送带，且不打滑、移位。 8、在一、二次清洗过程中，传送频率为 30 ±1HZ，滚刷频率为35±1HZ。 9、磨边后透明导电玻璃的最小尺寸为短边*长边= 633*1243mm； 10、在清洗过程中，腐蚀再生的导电玻璃与新的导电玻璃应分开清洗：先清洗新的导电玻璃后清洗腐蚀再生的导电玻璃， 清洗完后需更换所有水槽内的水。 11、pecvd开机后需要经多长时间加热6h方可进行沉积，预热一炉15.5mm导电玻璃需要多长时间200min。 12、pecvd的压缩空气进气表的压力值规定范围为：75psi—85psi。 13、简要描述pecvd泵组的作用： 机械泵：抽大气，罗茨泵：加速抽气，维持泵：维持分子泵前几真空，干泵：工艺中抽特气，分子泵：抽本底真空 14、 双结芯片预热时间最短不少于 200 min，最长不超过 240 min； 15、从预热结束关闭预热炉到工件架拉到沉积炉启动工艺，操作总时间要求为：≦10min ； 16、PECVD 卸片时， 使用风扇或空调加速冷却，须在工件架自然冷却 40 min 后； 17、PECVD 卸片时使用风扇或空调加速冷却，工件架位置需距离风扇或空调 2 米 以外进行冷却。 18、导电玻璃装完片后，边缘需距铝板边缘2mm。 19、工件架每沉积1炉，清洁1次。 20、当PECVD打开炉门之前，一定要确认腔体是否已经至少 3次的Ar清洗处理，在操作人员更换的时候，无论前一操作者做了什么处理，新接手人必须重新进行至少 2次的Ar清洗处理。 退火是为了改善非晶硅太阳芯片电性参数,提高其 转化效率 。 芯片测试主要是指测试非晶硅太阳电池组件的 电性参数 芯片测试光强分布误差 100±5 mw/cm2. 测试环境温度要求25±5 ℃ 每测试 2小时或测试机重启后，需重新进行标准板校准。 反压设备，测试工装，测试机参数的点检频度为 1次/6小时 27、测试几的闪光次数为每班每天点检 1次 28、铝背电极退火曲线：从室温加热到150℃为90分钟，后在150℃保温40分钟。 29、在退火过程中，需留意退火情况，并在报警器出现报警时，及时停止加热，以防温度过高，导致电池芯片功率下降。 对于在车间放置超过 72 小时的芯片，需要重新进行退火，并重新进行测试 31、阴极板与阳极板之间的电阻大于一欧 3M。 32、氩气阀门检漏应用皂液微细气泡法检漏。 33、在PVD换靶后在次工作时，要对箭射出来的薄膜按要求自检至少 10 pcs 34、激光机使用10对孪生片Pm平均相差大于1W的机台停止作业。 35、激光二线宽50-80um，伤导电膜直径小于10um。 36、掩膜宽度在10-12mm，且掩膜后无残胶遗留。 37、ROFIN激光器开机后需暖机20min以上才开始刻线。 38、若直线连接调整到甩尾小于10um，则导入直线连接进行刻划。 39、作业员更改X1轴相对移动时，只能小范围内0.1mm以下更改，以免更改后刻线错位。 40、三条激光线总线距不大于400um，不平行度不产过50um。 41、白玻清洗时清洗液的PH 值： 8～9 ; 42、组件段清洗机传送频率： 20～25 HZ. 43、层压机的真空系统中的前级真空泵是 机械泵 44、第一个焊点离电池芯片边缘20—30mm； 45、目前点焊共17 个点，相邻焊点间60—80mm； 46、在点焊前，员工必须佩戴口罩和手套； 47、点焊标准作业指导书的5.2 规定：铝带要拉平，并紧贴膜面，操作过程中切勿刮伤膜面； 48、目前我司使用的铝带宽度2.5mm； 49、清洗白玻璃的水槽温度控制在40—55 度； 50、PH 试纸测试后由黄色娈成浅绿色； 51、检查碱液槽内碱液液位，其液位应不低于整槽的 1/4 高度； 52、白玻璃清洗时每两块玻璃的间隙要达到20cm； 53、每辆白玻小推车用蘸酒精的纱布定期清洁，清洁频度： 5 天/次； 54、敷设工序在敷设工序工作工序3 个月，可以不用小刀； 55、敷设作业指导书中规定背板玻璃和电池荡片相对位置偏差小于1mm； 56、A 系列非晶硅太阳能