V2O5及其电学性能研究研讨.pptVIP

磁控溅射法制备V2O5及其电学性能研究 主讲人:刘亚 1 综述 研究的背景 钒在自然界的储量丰富，原子序数为23，由于其具有多种价态 ，因而可形成多种氧化物，目前发现的有十余种，如VO,VO2，V2O5等。其中V2O5由于其具有适合容纳大量Li+的层状结构及相对较高的电位（约3.5V vs Li+/Li)而长期被人们当做锂离子电池的阴极材料研究。 晶态V2O5在嵌锂过程中其物相LixV2O5的变化。 晶态V2O5的循环伏安曲线 V2O5薄膜常用的制备方法 V2O5薄膜制备常用的方法有溶胶-凝胶法，化学气相沉积法以及磁控溅射法等。 不同制备方法在不同实验条件下制备的 V2O5薄膜具有不同的光学和电学性能。 磁控溅射法制备的优点 实验过程中反应条件易于控制，成膜效率高，均匀性好，薄膜与基地的附着能力强，无污染。 磁控溅射中参数对实验结果的影响 在溅射过程中，主要需要控制的参数有溅射时间，氧分压，及溅射功率。 溅射时间对V2O5薄膜的影响 张圣斌，左敦稳等人研究了其他实验参量不变，溅射时间不同对薄膜结构，薄膜厚度，表面形貌，电学的影响。 结果表明，随着溅射时间的增长，结晶性能逐渐变强，晶粒尺寸也逐渐变大，薄 膜 的 厚 度 逐 渐 增 加。 氧分压对V2O5薄膜的影响 刘凤举，方梅等人研究了氧分压对薄膜成分的影响，其结果表明氧气体积分数低于 15%时，玻璃上薄膜为低价钒氧化物；高于 20%时两基底上薄膜均为 V2O5。 溅射功率对V2O5薄膜的影响 P. Deepak Raja, Sudha Guptab, M. Sridharan等人在室温下在50W到70W之间制备了V2O5薄膜。其研究表明，随着溅射功率的提高可以相应地提高薄膜的结晶度。 2研究方案 * * * 模板来自于 * 综述 01 研究方案 02 CONTENTS LixV2O5相随着锂插入 V2O5中的程度及 ω 相的转变演化图 扫描电压范围为-0.2V~0.6V vs. Ag/AgCl，扫描速度为 0.01V/s 磁控溅射原理图 用磁控溅射法制备晶态V2O5及非晶态 V2O5 用XPS，XRD,SEM 等测试方法对其表面及结构 进行分析 将所得的两种材料组装成电池 测试其电学性能 对所得的材料进行掺杂等改性 研究以提高其电学性能 * * 模板来自于 * * *