第四章硅太阳电池-20141124解答.pptVIP

电极/衬底 a-Si TiO2 Ni 电极 减反射膜 MOS结构的a-Si太阳电池 PIN结构的a-Si太阳电池 太阳光 电极/衬底 i n p i n p … 级联结构（叠层结构） 电极/衬底 n+型a-Si i型a-Si p+型a-Si 太阳光 减反射膜 减反射膜 单晶硅掺杂——扩散，离子注入 非晶硅掺杂——反应室中直接通入掺杂气体，与SiH4一同分解，在非晶硅薄膜形成时掺入杂质 n型杂质：P As p型杂质：B Ga PH3 (0.1~1%) 2PH3=2P+3H2 B2H6 (0.1~2%) B2H6=2B+3H2 非晶硅薄膜掺杂 交替通入硼烷和磷烷，可以制备出具有pin结构的非晶硅薄膜太阳电池——交叉污染； 后期的解决方案：分室掺杂 单晶硅 硅太阳能电池的制作工艺 硅片的制备 硅片的表面准备（清洗及腐蚀） 制 结 制备上、下电极 去除背面的p-n结 腐蚀周边 蒸镀减反射膜 检验测试 硅太阳电池 切、磨 表面无序织构化 组件安装 硅 原 料 多晶硅 切 片 切 片 多晶硅锭初步切割成小块：刀锯或带锯 缺点：锯缝损失达3-4mm 线锯：一条或多条细线（直径160μm）带着砂浆切入硅锭 优点：自动化程度高；同时切出多个硅片 4. 非切片技术 目的：减少切片步骤，降低损耗——降低成本 技术：直接从熔融硅连续生产薄片或薄带 分类： 边缘限定膜生长技术 条带技术 枝蔓蹼技术 硅片厚度：~100μm 表面清洗 表面清洗 化学清洗 表面腐蚀 ~10μm 硫酸：活泼金属及其氧化物、铜、银 王水：几乎所有不活泼金属（金、铂等） 酸性和碱性过氧化氢溶液： 碱性： 水：双氧水：氨水＝5：1：1～5：2：1（体积比） 酸性： 水：双氧水：浓盐酸＝6：1：1～8：2：1（体积比） 有机物、无机物、难溶物 目的：去除表面的切片机械损伤 酸腐蚀法：浓硝酸：氢氟酸＝10:1～2:1； 或H2SO4:H2O2，进而1%HF稀释液 减缓速度：浓硝酸：氢氟酸：醋酸＝5:3:3，5:1:1 or 6:1:1 碱腐蚀法：NaOH、KOH等水溶液（80-90℃，20-30%） 金属污染物 表面无序织构化：反射率10% 适用范围：薄Si基底（200μm） 单晶硅化学织构化——分布无序的金字塔： 100单晶硅：70-80℃，2%NaOH、KOH溶液+异丙醇 最佳高度：3-5μm 问题：金字塔尺寸，织构化的区域难以控制 织构化单晶Si100晶向 解决方案： 借助适当的添加物加强金字塔成核 表面无序织构化 多晶硅化学织构化： 适用于单晶硅的各向异性织构化并不十分有效； 各向同性织构化可以：光刻和湿法腐蚀成本过高； 机械织构化或反应离子腐蚀效果最好：HF和HNO3混合酸 织构化多晶Si 表面无序织构化 制p-n结 制结：在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层 方法 热扩散 离子注入 用加热方法使V族杂质掺入p型硅或Ⅲ族杂质掺入n型硅。 最常用的V族杂质为磷， Ⅲ族杂质为硼 把杂质原子电离，并用强电场加速，直接打入到半导体基体材料中。 优点： 可室温下进行； 可精确控制杂质的纯度、注入深度和掺杂浓度； p-n结结面平整； 成品率高、重复性好 返回 除去背结 方法 化学腐蚀法 磨砂或喷砂法 蒸铝烧结法 掩蔽前结后用腐蚀液蚀去其余部分的扩散层，由此可省去制作电极后腐蚀周边的工序。 腐蚀液：硝酸：氢氟酸：醋酸＝3:1:1或5:3:3 用金刚砂将背结磨去，也可用压缩空气携带砂粒喷射到硅片背面除去。 在扩散硅片背面真空蒸镀一层铝，加热到铝－硅共熔点（577 ℃）烧结合金。熔融的硅铝相区有吸杂的效果，补偿了背面n+层中的施主杂质，以消除背结。 硅重结晶后，处于溶解极限的铝掺杂可产生一个P+的背电场 对n+/p p+/n型均适用 仅适用n+/p型电池 n型掺杂 p型基体 背面 返回 蒸铝烧结法 硅重结晶后，处于溶解极限的铝掺杂可产生一个P+的背电场。 背部需涂覆电解质或钝化层，以实现背面钝化。 以下材料均为单晶或多晶硅的较佳边界，如： 氧化硅 氮化硅 氧化物/氮化物 非晶硅/硅异质结 Al 保护层 见P76图 衬底材料质量改进 载流子（尤其少子）寿命影响因素： 碳含量、金属杂质、高密度结晶缺陷、晶粒和亚晶粒边界 改善方法——吸杂 1. 磷扩散吸杂 2. 铝处理吸杂 3. 氮化硅吸杂 4. B-O复合物形成的寿命退化 制作上、下电极 为了输出硅太阳电池的电能，必