1章半导体器件研究.ppt

电子电路基础;前 言;5. 学习方法;第一章 半导体器件概述; §1.1 PN结及二极管;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;一、本征半导体;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;（二）本征半导体的导电机理;+4;2.本征半导体的导电机理;温度越高，载流子的浓度越高，因此本征半导体的导电能力越强。温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;二、杂质半导体;（一）、N 型半导体; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结;P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。;;; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结;（二）PN结的单向导电性; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结; 1.1.1 半导体及PN结;一、基本结构; 二、伏安特性; 三、二极管的开关特性;1.1.2 二极管的基本特性;U;U;二、二极管的主要参数;1.1.3 二极管的电路模型及主要参数;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;一、稳压二极管;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;二、变容二极管;三、光电二极管;4、发光二极管;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。; §1.2 半导体三极管;;B;B;B;二、三极管内部载流子的传输过程;1.2.1 三极管的基本工作原理;三、电流分配关系; 此即为三极管中流过的直流电流之间的近似分配关系; 在分析信号放大作用时，通常需知道三个电极中的电流微小变化量之间的关系。;四、放大作用;1.2.2 三极管的基本特性;UCE ?1V;IC(mA );IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;1.2.2 三极管的基本特性;1.2.2 三极管的基本特性;1.2.2 三极管的基本特性;1.2.2 三极管的基本特性;1.2.2 三极管的基本特性;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？;USB =5V时:;一、主要参数;③相应地共基直流电流放大倍数：;2.集电极-基极反向饱和电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;二、电路模型;2. 混合π模型;1.2.3 三极管的主要参数及电路模型;3. 常用的简化π模型;1.2.3 三极管的主要参数及电路模型; §1.3 半导体场效应管;1.3.1 结型场效应管;一、结构;S源极;S源极;二、工作原理（以N沟道为例）;UDS=0V时;UDS=0V时;0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG ?UGS(off) ?时;1.3.1 结型场效应管;预夹断以后，随着UDS增大，虽然夹断区变长，但夹断区场强也增大，所以电流ID基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。;1.3.1 结型场效应管;1.3.1 结型场效应管; ★结型场效应管的缺点：;一、结构和电路符号;N 沟道耗尽型;P 沟道增强型;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;P;1.3.2 绝缘栅场效应管;1.3.2 绝缘栅场效应管;1.3.2 绝缘栅场效应管;UGS0;1.3.2 绝缘栅场效应管;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;1.3.3 场效应管的主要参数及电路模型;1.3.3 场效应管的主要参数及电路模型;1.3.3 场效应管的主要参数及电路模型;1.3.3 场效应管的主要参数及电路模型;1.3.3 场效应管的主要参数及电路模型; §1.4 集成运算放大器;1.4.1 集成运放的基本特性;1.4.1 集成运放的基本特性;1.4.1 集成运放的基本特性;1.4.1 集成运放的基本特性;1.4.2 理想运算放大器;1.4.1 集成运放的基本特性;1.4.1 集成运放的基本特性;1.4.1 集成运放的基本特性;电子技术