工程陶瓷氮化硅陶瓷研究.pptVIP

工程陶瓷 ——氮化硅陶瓷;一、氮化硅的发展历史 1875年Deville和Wohler提出的 1910年Weiss报道金属硅在氮器中加热到1320oC时在其表面形成蓝白色涂层。 在英国20世纪60年代对氮化硅进行了大量的研究，并且提出了氮化硅有两种晶型 1961年Deeley将已合成的氮化硅粉中加入各种烧结剂静相热压，从而极大地降低了气孔率，提高了强度，观察到了α到β的转变。 1971年美国制定陶瓷燃气机的详细计划，但随后发现实施的难度很大，热压受形状的限制，难以压成形状复杂的部件。; 氮化硅陶瓷晶体结构; （一）原料Si3N4粉的生产方法 1 、直接氮化法 1300----1500°C 3Si+2N2 ——————— Si3N4 优点：工艺流程简单，成本低。 缺点：反应慢，需较高的反应温度和较长的反应时间，粒径分布较宽，而且产物需要进一步经过粉碎，磨细和纯化才能达到质量要求。;2 、 SiO2还原氮化法 1300--1700oC 3SiO2+6C+2N2———————Si3N4+6CO 特点：原料来源丰富，反映产物是疏松粉末，无需像硅粉氮化产物那样需经粉碎处理，从而避免了杂质的重新引入，所以用该法制的粉末粒型规整，粒度分布窄。并且α - Si3N4含量高，但含碳和氧高，必须想办法除去多余的部分。;3 、液相法 -30----70oC SiCl4+6NH3——————Si(NH)2+4NH4Cl 1600oC 3Si(NH)2 —— Si3N4+2NH3 它具有纯度高，粒径微细而且均匀，所以发展很快。;4 、气相法 1400oC 3SiCl4+4NH3————Si3N4+12HCl 特点：可以获得均匀超细，最低颗粒尺寸小于10纳米的粉体。由于反应中心区域与反应器之间被原料气隔离，污染小，能够获得稳定质量的粉体。;氮化硅陶瓷的制备方法;它基于反应： 3Si(s)+2N2(g)= Si3N4 (s) 氮化反应的起始温度于1100oC, 然后逐渐升温至1420oC, 整个过程需要几天, 由于此反应是放热反应, 因此升温速度要小心控制。一般在低于1400oC的温度下保温所得到的产物是α - 、 β- Si3N4 的混合物，具有15-30%的气孔率。 ;优点：不许添加额外的添加剂 特点：高温下材料的强度不会明显降低; 产品尺寸和形状不变，可以制得形状复杂的制品； 要把两个零件焊接时，只需将其连接在一起进行氮化。;2、热压法。 同时加温与单向加压，石墨模具中进行， 温度在 1650oC -1850oC 压力为 15-30MPa 保温时间 1-4h; 对于热压试样的SEM图观察表明，试样中的颗粒较为均匀并有长柱形的β- Si3N4， Si3N4/MoSi2复合材料在不同温度下的 三点弯曲强度如右图。从右图中可以看出，在1000℃以前随着温度的上升 Si3N4/MoSi2复合材料的机械强度有所上升30% 。但当温度升至1100℃时强度下降. ;3、常压烧结 常压烧结实际上是一种液相烧结，在常压烧结中，氮化硅粉要细， α相含量要高。 α相含量高对热压和其它烧结工艺也是必需的，但对常压烧结更为重要。这是因为在烧结过程中,α相通过向液相的溶解，形成析出在β - Si3N4晶核上变为β - Si3N4 ，这一过程有利于烧结过程的进行。;4、重烧结。 这是将反应烧结和常压烧结结合起来的烧结工艺。将反应烧结的Si3N4烧结坯体在烧结助剂存在的情况下再在高温下重烧结，烧结助剂可以在球磨硅粉引入，也可以用浸渍的方法在反应烧结后通过浸渍加入。加入量一般为4-15%;氮化硅烧结方法对比;三、氮化硅陶瓷助剂的研究;氮化硅陶瓷中氧氮化物液相的形成 最早在研究热压氮化硅时，人们并没有意识到每个氮化硅颗粒的表面被一层二氧化硅所包裹。在高温时氧化物添加剂与表层的二氧化硅及某些氮化硅反应形成氧氮化物的液相，此液相冷却时就成为晶界相。 不同添加剂形成的氧氮液相的差别甚大，经