工艺之扩散(三)12研究.ppt

集成电路工艺原理;第三章 扩散;扩散是微观粒子的一种热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀 集成电路制造中的扩散实为固态扩散：将一定数量的某种杂质掺入到半导体晶体中去，以改变其电学性质 Pfann于1952年最早提出用扩散方法改变硅和锗的导电类型的思想 扩散工艺的用途：形成双极晶体管的基区、发射区、收集区（集电区），MOS晶体管的源区、漏区、互连引线（如对多晶硅的掺杂）、电阻等。 扩散工艺重要参数：杂质数量、分布、深度等;§3.1 杂质扩散机制;（c）交替式扩散;3.1.1 间隙式扩散 间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质，如Au, Fe, Cu, Ni, Zn, Mg （半径较小且不容易与硅键合的原子） 间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置到相邻间隙位置的运动。 （半径较小的杂质原子做间隙式扩散）;间隙间势垒高度：Wi ~ 0.6-1.2 eV 间隙杂质振动频率ν0 ：1013 –1014/s 间隙杂质平均振动能量kT, 室温下0.026 eV, 1200摄氏度高温下0.13 eV，依靠涨落才能获得大于Wi的能量 根据玻尔兹曼统计规律，获能大于Wi的几率 exp（–Wi/kT） 成功跳跃率（每秒成功跳跃次数） Pi＝ν0 exp（–Wi/kT） （室温下每分钟1次；700 – 1200摄氏度扩散温度下，成功跳跃率就很高了）;3.1.2 替位式扩散 替位杂质：占据晶格位置的外来原子，如P，As，Sb；B，Al，Ga；Ge 替位式扩散：替位杂质从所占晶格位置到相邻晶格空位的运动 （只有邻近出现空位，替位杂质才容易运动到近邻空位上）;如果近邻没有空位，则必须相互换位，这需要相当大的能量，难以实现。;平衡时，空位浓度： n＝Nexp（–Wv/kT） N：原子浓度 Wv：形成一个空位所需能量 每个格点出现空位的几率： n/N＝ exp（–Wv/kT） 根据玻尔兹曼统计规律，替位杂质靠涨落跳过势垒Ws的几率： ν0 exp（–Ws/kT）;替位杂质的成功跳跃率： Pv ＝ exp（–Wv/kT）ν0 exp（–Ws/kT） ＝ν0 exp〔–（Wv＋Ws）/kT〕 一般情况下，PvPi，即同间隙杂质相比，替位杂质的运动更为困难（在室温下，替位原子需1045秒才成功跳1次）;§3.2 扩散系数与扩散方??;3.2.1 扩散系数 1855年，菲克（Fick）发表了他的扩散理论，提出扩散粒子流方程，即菲克第一定律： j定义为单位时间流过单位面积的粒子数；C为扩散粒子的浓度，是空间位置和时间的函数；D为扩散系数（粒子扩散率），单位为“单位面积/s”。负号表示扩散运动是由高浓度向低浓度进行。;对于一维情况：;D的大小及与哪些因素有关是扩散工艺中最为关心的问题;以一维情况为例，推导j(x, t)和D的表达式： 设晶格常数为a 在x–a/2处单位面积替位原子：C(x–a/2, t) ? ?x 在x+a/2处单位面积替位原子：C(x+a/2, t) ? ?x 单位时间内，单位面积上替位原子由x–a/2到x+a/2的粒子数： PvC(x–a/2, t)?x 单位时间内，单位面积上替位原子由x+a/2到x–a/2的粒子数： PvC(x+a/2, t)?x; 在t时刻，粒子流密度（即通过x处单位面积的净粒子数）： （a为最小单位，使用了a＝?x）;与菲克第一定律相比，有：D＝a2Pv 或D＝ a2v0exp〔-(Ws+Wv)/kT〕= D0exp(- ?E/kT) 其中D0=a2v0 为表观扩散系数 ?E为扩散激活能，它与晶体种类、杂质类型、杂质浓度以及晶体中其它杂质的存在等有关，对于硅中的替位扩散来说?E ~ 3-4 eV 可见，D0、?E以及T是决定D的基本量，其它因素如扩散气氛也对D有影响;扩散系数与温度的依赖关系：;硅中杂质扩散系数与温度的关系;有电场存在时的扩散 由左→右的几率 Pv=v0exp[-(Ws+Wv-aEq/2)/kT] 由右→左的几率 Pv=v0exp[-(Ws+Wv+aEq/2)/kT] x处粒子流密度;推导中用到了： C(x, t)=[C(x+a/2, t)+C(x-a/2, t)]/2 当电场较小时EkT/(aq) 利用x～0时