先进凝固技术(西工大)5-1研究.ppt

第5章 界面生长的动力学 ;界面的微观结构 ;按照不同的分类标准，可将界面分为： (1) 按几何结晶学分：低指数面（密积界面）和高指数面（非密积界面）。 (2) 按界面能极图来分：奇异面和非奇异面。 (3) 按相变熵来分：如果是单层界面模型分为光滑界面和 粗糙界面；按多层界面分为锐变界面和弥散界面。 ;;;;; 杰克逊因子?＝(L0/kT*)( ?1/?)~?1/kT*( ?1＝L0/?)，?1为最近邻原子键的接合强度，T*是界面平衡温度。 (1)如果?1/kT*很大，?大，说明界面或界面上的台阶都不会粗糙化； (2)随?1/kT*减小，平台和台阶会逐渐粗糙化，直至达到最大值。 在界面粗糙化状态，界面上充满了吸附原子和空位，它们在界面的运动几乎不消耗能量，因此在生长过程中粗糙界面的生长表现为一致的附着机制。; 针对上述的界面微观生长机制，宏观界面生长速度V主要取决于以下两个方面： 扭折和台阶的移动速度，如图所示的扭折移动速度Vk和台阶移动速度V?，尤其是层状台阶移动的速度(Layer motion-limited kinetics)； 界面上扭折和台阶存在的数量，即受控于层状台阶的数量(Layer source-limited kinetics)。 ;§5.2 邻位面的生长动力学 ;晶体生长可能的途经有： (1)流体分子(1) 体扩散 吸附分子(2) 面扩散 台阶分子(3)? 扭折(4) (2)流体分子(1) 体扩散 吸附分子(2) 面扩散 扭折(4) (3) 流体分子(1) 体扩散 扭折(4);和吸附分子在界面上停留的时间?s，以及爱因斯坦关系式xs2=?s?Ds，可估算出不同生长系统中材料的定向迁移xs值，如表5-1所示，其中xs?1/2exp(0.22lsf/kT)。 ;5.2.1 直台阶面扩散方程及其解 ;5.2.2 一组等间距平行直台阶面扩散方程及其解; 其中rc为过饱和度?v下吸附分子层的临界半径，当r0??，有U?? V?，说明单根直台阶的速率是单圈台阶速率的极限。当r0 rc，台阶圈自发长大，当r0 rc，台阶圈缩小消失。对于等间距的台阶圈的速率为：;V＝Rcos?=; 在通常情况下，邻位面上的台阶在较低的驱动力下就能运动，运动的结果为台阶消失于晶体边缘，于是邻位面消失了剩下来是奇异面。; 奇异面（光滑界面）借助于台阶生长的生长速率与驱动力之间成指数的规律，如果界面生长的驱动力小于二维形核所需要的驱动力，按理论所述，生长速率会非常低，但实际上许多晶体的生长仍然是以较高的速率（可观测的速率）进行生长，这并不说明二维形核理论是错误的，这是说，可能还存在其它的晶体生长机制，在这种生长的机制作用下，所需要的驱动力（势垒）比二维成核要小，在晶体中某些缺陷，如位错、孪晶就可以减少晶体生长过程中所需要的势垒，下面讨论奇异面上位错的生长机制及其动力学规律。; ;图5-13蜷线台阶的花样(a) 生长台阶和(b)蒸发台阶;图5-14 一对螺型位错连续产生台阶圈的过程;图5-15 不同位错生长的生长丘 ;图5-16 螺蜷线的形状 ;图5-17 KClO3的{100}面生长速率与过饱和度之间的关系（－为理论值）; 在凝固形核中讨论了球冠优先在衬底上的凹角处。十分类似，二维核也优先成核于奇异面凹角处，因为该处同样能降低二维成核的势垒。只要奇异面上有凹角存在，就能象位错露头一样，从凹角处不断地产生台阶以促进奇异面的生长。称这种生长方式为凹角生长机制。;图5-18 金刚石的孪晶和凹角生长 ;图5-20 双重孪晶的凹角生长机制;表5-1 界面结构、生长机制和生长动力学规律;（1）不同类型的晶面，其生长机制以及生长动力学规律不同； （2）光滑界???和粗糙界面，在同样驱动力作用下，其生长速率 不同； （3）如果要求不同类型的界面获得系统的生长速率，则作用于 不同界面上的驱动力必然不同； （4）在自由生长系统中，由于其驱动力场是均匀的，故不同类 型的界面具有不同的生长速率； （5）在强制生长系统中，由于要求界面上诸晶面具有同样的生 长速率或要求诸晶面在某方向的速度分量相同，因而作用 在不同类型的晶面上的生长驱动力必然不同。 这就是自由生长系统与强制生长系统的本质区别，也就是同一晶体在上述不同系统中表现出不同形态的重要原因。 ;晶体生长的统一机制;?G＝(－?Gi+d?f/dz)?z