功率半导体答案.docVIP

 PAGE 12  TOC \h \z \t Level 1,1,Level 2,2  HYPERLINK \l _Toc196292956 1. 什么是半导体？  PAGEREF _Toc196292956 \h 1  HYPERLINK \l _Toc196292957 2. 什么是能带理论？  PAGEREF _Toc196292957 \h 3  HYPERLINK \l _Toc196292958 3. 什么是电子伏？  PAGEREF _Toc196292958 \h 4  HYPERLINK \l _Toc196292959 4. 半导体能带图  PAGEREF _Toc196292959 \h 4  HYPERLINK \l _Toc196292960 5. 载流子复合  PAGEREF _Toc196292960 \h 5  HYPERLINK \l _Toc196292961 6. PN结的正向导通，反向偏置，击穿，热击穿和热奔  PAGEREF _Toc196292961 \h 5  HYPERLINK \l _Toc196292962 7. 功率半导体器件  PAGEREF _Toc196292962 \h 6  HYPERLINK \l _Toc196292963 7.1. 功率二极管  PAGEREF _Toc196292963 \h 6  HYPERLINK \l _Toc196292964 7.2. 功率晶体管  PAGEREF _Toc196292964 \h 6  HYPERLINK \l _Toc196292965 7.3. 晶闸管  PAGEREF _Toc196292965 \h 7  HYPERLINK \l _Toc196292966 7.4. 结型场效应器件  PAGEREF _Toc196292966 \h 7  HYPERLINK \l _Toc196292967 7.5. 金属氧化物场效应器件MOSFET  PAGEREF _Toc196292967 \h 8  HYPERLINK \l _Toc196292968 7.6. 绝缘栅双极晶体管IGBT  PAGEREF _Toc196292968 \h 10  HYPERLINK \l _Toc196292969 7.7. MCT  PAGEREF _Toc196292969 \h 11  HYPERLINK \l _Toc196292970 8. 功率半导体初始材料  PAGEREF _Toc196292970 \h 11  HYPERLINK \l _Toc196292971 8.1. CZ法  PAGEREF _Toc196292971 \h 11  HYPERLINK \l _Toc196292972 8.2. FZ法  PAGEREF _Toc196292972 \h 12  HYPERLINK \l _Toc196292973 9. 初始材料的处理  PAGEREF _Toc196292973 \h 13  什么是半导体？ 电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（图 1 ）。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时