实训第三讲基准研讨.ppt

CMOS模拟集成电路实训之电压基准的设计;内 容;;;;正温度系数电压 ·如果两个同样的晶体管（IS1= IS2= IS，IS为双极型晶体管饱和电流）偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略它们的基极电流，那么它们基极-发射极电压差值为 因此，VBE的差值就表现出正温度系数 ·这个温度系数与温度本身、集电极电流都无关。;实现零温度系数的基准电压 利用上面的正，负温度系数的电压，可以设计一个零温度系数的基准电压，有以下关系： 因为 ， ，因此令 ，只要满足上式 ，便可得到零温度系数的VREF。故有： 即为 ;内 容;常用带隙电压基准结构 两种常用结构 先产生一个和绝对温度成正比（PTAT）的电流，再通过电阻将该电流转变为电压，并与双极型晶体管的VBE相加，最终获得和温度无关的基准电压 通过运算放大器完成VBE和ΔVBE的加权相加，在运算放大器的输出端产生和温度无关的基准电压;常用带隙电压基准结构 结构一 结构二 ;其它改进带隙电压基准结构 ;内 容;利用PTAT电流产生基准电压;带隙电压基准电路 ;反馈环路分析 A1是误差放大器，增益为AV1 B1是M5作为输入管，R1和Q1作为负载的共源极放大器，增益为β1 B2是M6作为输入管，Q2作为负载的共源极放大器，增益为β2 A2是M8作为输入管，R2和Q3作为负载的共源极放大器，增益为AV2;反馈环路的传递函数为; 得到从误差放大器输入端到基准电压输出端的总增益为 ;内 容;运放输出端产生基准电压;反馈环路分析 A1是误差放大器，增益为AV1 B1是R1和Q1构成的分压网络，增益为β1 B2是R2 ，R3和Q2构成的分压网络，增益为β2;反馈环路的传递函数为;两种结构的性能比较 1.驱动能力 PTAT基准不能直接为后续电路提供电流，需要在带隙电压基准和后续电路间加入缓冲器，由缓冲器为后续电路提供电流。必须使用缓冲器将带隙电压基准隔离。 2.面积 运放输出的带隙基准需要使用3个??阻，并且在Q1和Q2的比值n较小的时候，需要使用更大阻值的R1和R2。因此消耗更多的芯片面积。 3.噪声 PTAT基准可以产生更小的输出噪声。;内 容;;PTAT带隙电压基准的设计过程：;MOS管初始参数设置 N管W/L=10u/2u P管W/L=20u/2u;双极晶体管比例设置;电阻设置;设置仿真环境;设置仿真温度范围;仿真结果输出 选择“VREF”端口为输出 开始仿真。;内 容;优化温度特性 采用变量分析“Parametric”方法 方案：固定R0值的大小，扫描R1 方法：在电路图中设置R1的阻值为变量“res” ADE窗口中，选择“Variables”→“Edit”;设置扫描变量 ADE窗口中，点击“Tools”→“Paremetric Analysis” 在Paremetric Analysis窗口中，选择“Set up”→“Pick Name For Vareable” →“Sweep 1...” 在Paremetric Analysis Pick Sweep 1窗口中选择“res”作为变量;设置扫描范围 设置“Sweep1”扫描范围为50k~60kΩ “Total Steps”为“5”;;缩小扫描范围，再次仿真 res扫描范围设置为52k~56kΩ,再次扫描;缩小扫描范围，再次仿真，使在27 ℃时有零温度系数 res扫描范围设置为52k~56kΩ,再次扫描10个点;当R1=55kΩ时，温度特性最好，将图放大，找到27 ℃时零温度系数的电阻值 ;利用“Calculator”分析温度特性 在仿真结果图中点击“Tools”→“calculator”;温漂系数计算 计算公式：;列表显示温度系数;绘图显示温度系数;仿真优化结果 最终调节得到R1=55.4k时，在25 ℃左右输出电压的温度系数为0。;用交流分析仿真PSRR;查看交流仿真的结果 ;运放输出的带隙电压基准;运放输出的带隙电压基准的仿真结果;PSRR仿真结果77.89dB;内 容;Lab1：PTAT带隙电压基准 指标 VDD=5V Vref =1.2