太阳能电池工艺课程方案.ppt

晶硅太阳能电池工艺;硅 (Si) silicon;Si Basic Parameters硅的基本参数;Schematics of calculated band structure of crystalline Si (NOT TO SCALE);硅材料的制备与选取;工业硅的纯度一般为95％～99％，所含的杂质主要为Fe、Al、Ga、Mg等。 CZ (Czochralski process ) 直拉硅单晶 杂质浓度控制在ppm级别 FZ (Float-zone process ) 悬浮区熔硅单晶 C、O含量降到最低，并添加了N增加硅晶圆的强度。 应用于功率器件（power devices ） 和 传感器 ;CZ（直拉）法制备Si单晶;;FZ（区熔）法制备Si单晶;SOG;硅料选用;c-Si Solar cell 基本结构; 基于以上提高电池转换效率的途径，派生了多种高效晶体硅太阳能电池的设计和制造工艺。其中包括PESC电池（发射结钝化太阳电池）和表面刻槽绒面PESC电池；背面点接触电池（前后表面钝化电池）；PERL电池（发射结钝化和背面点接触电池）。由这些电池设计和工艺制造出的电池的转换效率??高于20%，其中保持世界记录（24.7%）的单晶硅和多晶硅电池（19.8%）的转换效率均是由PERL电池实现的。;晶硅太阳能电池工序示意;化学清洗;1、酸性腐蚀法;2、碱性腐蚀;制绒;;各向异性腐蚀即腐蚀速度随单晶的不同结晶方向而变化，一般说来，晶面间的共价健密度越高，也就越难腐蚀。对于硅而言，如选择合适的腐蚀液和腐蚀温度，（100）面可比（111）面腐蚀速度大数十倍以上。因此，（100）硅片的各向异性腐蚀最终导致在表面产生许多密布的表面为（111）面的四面方锥体，由于腐蚀过程的随机性，方锥体的大小不等，以控制在3～6?m为宜。 硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，如氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化锂，联氨和乙二胺等，商品化电池的生产中，通常使用廉价的氢氧化钠稀溶液（浓度为1～2%）来制备绒面硅，腐蚀温度为80?C左右，为了获得均匀的绒面，还应在溶液中添加醇类（如无水乙醇或异丙醇(IPA)等）作为络合剂，加快硅的腐蚀。;清洗植绒设备;晶硅太阳能电池工序示意; 扩散的目的是为了形成P-N结，它是光电转换的核心。 扩散制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。制结方法工业上主要采用热扩散法。 对扩散的要求是获得适合于太阳电池p-n结需要的结深和扩散层方块电阻。实际电池制作中，考虑到各个因素，太阳电池的结深一般控制在0.3-0.5?m，方块电阻平均20～70Ω/□ ;气源柜;;;;液态源扩散有三氯氧磷液态源扩散和硼的液态源扩散，它是通过气体携带法将杂质带入扩散炉内实现扩散。其原理如图 ;对于p型10?cm硅片，三氯氧磷扩散过程举例如下： 将扩散炉预先升温至扩散温度（850～900?C）。先通入大流量的氮气（500～1000ml/min），驱除管道内气体。如果是新处理的石英管，还应接着通源，即通小流量氮气，（40～100ml/min）和氧气（30～90ml/min），使石英壁吸收饱和。 取出经过表面准备的硅片，装入石英舟，推入恒温区，在大流量氮气（500～1000ml/min）保护下预热5分钟。 调小流量，氮气40～100ml/min、氧气流量30～90ml/min。通源时间10～15min。 失源，继续通大流量的氮气５min，以赶走残存在管道内的源蒸气。 把石英舟拉至炉口降温５分钟，取出扩散好的硅片，硼液态源扩散时，其扩散装置与三氯氧磷扩散装置相同，但不通氧气。 ;周边刻蚀 （去边）Edge Isolation;去磷硅玻璃 PSG removal;减反射膜层制备 AR coating;减反射原理;; 本工序用PECVD（等离子增强化学气相沉积）在电池表面沉积SiNx膜,除减反射外还含钝化作用。 1）减反射 硅表面的反射损失—经处理的抛光硅片反射率可达30%以上 三种光学性质的损失中，硅表面的反射损失最多，通过镀减反射膜和表面织构可以使反射率降低。其减反射原理是，照射在绒面一侧的光被向下折射，其反射光得到进入电池第二次机会，从而使反射光减少。 2）表面钝化和体钝化 硅片表面复合对有效少子寿命的影响非常明显。表面复合是指少数载流子在半导体表面发生的复合过程。太阳电池效率损失的原因之一，是太阳电池的光生载流子电子和空穴在被P-N结分离之前复合。光生载流子寿命越短，被P-N结分离前复合的可能性越大，太阳电池的效率在其他如串联电阻、电极制备等因数相同的情况下明显下降。实施表面钝化是降低表面复合，提高有效少子寿命的重要措施。 氮化硅薄膜含有大量的氢,可以很好的钝化硅中