背散射2013生课用教案.pptVIP

用沟道技术测定杂质的晶格位置 沟道技术最大的优点是能测定杂质原子的位置： 沟道背散射测量不呈现方向效应 杂质原子处在沟道空间 沟道背散射测量有明显的方向效应 杂质原子处于替代位置 只要测量沿晶轴入射和随机入射时背散射产额的变化即可知杂质原子的位置。 沟道背散射测量和分析，是研究晶格损伤、杂质分布及晶格定位的一种有力工具。但这种方法不能分析损伤种类，也不能测出空位等缺陷。它必须和电子自旋共振、光致发光等方法互相补充才能全面地分析晶体损伤。 * * 其中?是探测器的立体角，N是靶原子的密度，t是靶的厚度，Q是入射的离子总数， Nt为面密度 * 其中?是探测器的立体角，N是靶原子的密度，t是靶的厚度，Q是入射的离子总数， Nt为面密度 * 运动学因子 * * 核反应、内壳X 射线激发和大角度卢瑟福散射等（统称近距相互作用） * 核反应、内壳X 射线激发和大角度卢瑟福散射等（统称近距相互作用） * .退道就是一束沟道探测离子在沟道中和一些晶格或杂质移位原子相互作用，使它偏离原来的沟道方向而成为随机运动的离子，即退道离子。 * 比背散射分析设备多定角器 * 损伤及其分布的计算（略） * 损伤及其分布的计算（略） * 损伤及其分布的计算（略） 表面能近似 由于薄靶和厚靶的近表面区是一薄层，故近似认为其能损值为一常量 入射路径上取： 出射路径上取： ΔE与x的关系是可化简为： 表面能近似 说明：表面能近似适用于薄靶，靶厚一般要小于8000埃，近似误差大概在5%左右（对于alpha粒子） 数值积分法 该方法是建立在表面能近似的基础上的，对于厚靶，进行切片处理，对每一个薄片采用表面能近似，再进行积分，这样处理会提高精度， 例：2M alpha粒子入射到Si上， 厚度8000埃 采用表面能近似误差为5% 采用数值积分法误差为0.2% 能量损失—深度分析 提高深度分辨率Δx （能量分辨率ΔE ）的方法： 采用重离子入射 采用倾角入射 减小入射离子能量 分析重元素 返 回 最佳实验条件的选取 由背散射的原理可分析讨论并选取最佳的实验条件： 质量分辨 增大入射离子能量 E。 利用重离子入射 m 散射角尽可能大 θ 含量分辨 用重离子入射 m 减小入射离子能量 E0 分析重元素 M 使m M 深度分辨 用重离子入射 m 散射角尽可能大 θ 减小入射离子能量 E。 分析重元素 M 入射离子种类的选择考虑 考虑因素：为了能探测到较深的杂质分布，需要较高能量的离子，但能量又必须限制在核反应共振阈值以下，而且避免样品由于入射离子轰击而产生新的损伤入射离子又不能过重。 背散射测量中一般选用alpha粒子（约1－3MeV）或质子（200－500keV） θ:150-170度 alpha粒子与质子进行RBS的比较 质子轻，K小，元素的谱线分离比a粒子小 同样能量质子比a粒子能分析更深的样品厚度 实验设备 一台小型加速器，目前实验式采用2X1.7MeV串列加速器（如图） 卢瑟福背散射分析的过程 从离子源产生的离子，被串列加速器加速，然后经过聚集系统、磁分析系统（使离子束纯化和单能化）及准直系统后，以单一能量E0射向放在靶室中的样品。 在离子束的能量低于靶原子产生核反应阈能的条件下，入射离子将有可能和靶原子发生弹性碰撞而被散射，其中几乎绝大多数粒子停留在样品内，只有很少一部分粒子（大约万分之一）从样品表面大角度背散射返回，这其中又只有一小部分的背散射粒子被探测器接收到。 当探测器每接收到一个背散射离子，就输出一个脉冲信号（信号强度与离子能量成正比），经放大后送到下面的多道分析器进行分析处理。多道分析器就相当于一个分成若干等分的“存储器”，每一等分对应于一种强度的脉冲信号，也就对应于一种背散射离子的能量。 这个对应于不同能量的存储器我们就称之为对应于不同能量的道数。不同能量的背散射离子纪录在多道分析器的不同道数中，得到背散射能谱。 背散射能谱和产额 典型的背散射谱 道数和能量的一一对应关系一般由实验测定 背散射能谱和产额 背散射离子的能量肯定小于入射离子能量E0，表面处靶原子产生的背散射粒子的能量为KME0 而表面下x处的靶原子所引起的背散射离子的能量为E1 KM E0-ΔE1 - ΔE2 KME0 所以样品内部原子的作用产生的背散射离子所对应的背散射谱的位置肯定小于KME0，谱图上出现的台阶处肯定是对应了样品表面原子的散射，即此处的能量值一定为KME0 。 多元素样品（M和Mi两种元素组成的均匀合金，Mi M） KiE0：代表表面处的Mi原子所贡献的背散射粒子的最大能量。 KME0：代表表面处的M原子所贡献的背散射粒子的最大能量。 根据KiE0和KME0的位置，即可算出两种元素的质量数（元素成分）。从它们对应的表面谱高度