微电子与集成电路设计3研讨.ppt

具体步骤如下： 1．生长二氧化硅： ;1、淀积氮化硅 2、光刻有源区 3、场区氧化 4、去除有源区氮化硅及二氧化硅 5、生长栅氧 6、淀积多晶硅 ;光刻用掩膜3：多晶硅;1、P+区光刻 2、离子注入硼+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶 ;1、N+区光刻 2、离子注入磷+ 3、去胶;光刻用掩膜6：接触孔;1、淀积铝 2、光刻铝 ;光刻用掩膜8：钝化孔;各个器件在电学上相互隔离 用接触孔和互连材料将各个独立的器件连接起来 接触和互连的基本工艺步骤为： 1）为减小接触电阻，在需要互连的区域先进行高浓度掺杂 2）淀积一层绝缘介质层 3）通过光刻在该介质层上制作出接触窗口，称为欧姆接触孔； 4）淀积互连材料膜（比如Al、Cu） 5）光刻出互连线的图形;中测打点 后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）切片 （3）粘片 （4）压焊：金丝球焊 （5）切筋 （6）整形 （7）封装 （8）沾锡：保证管脚的电学接触 （9）老化 （10）成测 （11）打印、包装 ;什么是版图 MOS器件的版图实现 版图的设计规则;根据逻辑与电路功能和性能要求以及工艺水平要求，设计光刻用的掩膜版图，实现IC设计的最终输出。 版图是一组相互套合的图形，各层版图对应不同的工艺步骤，每一层版图用不同的图案来表示。版图与所采用的制备工艺紧密相关。 ; 那些花花绿绿的是？ –