模拟电路第1章解答.ppt

第1章 半导体器件;;1.1.1 半导体的导电特性;硅(锗)的原子结构;本征激发：;两种载流子;1.1.2 杂质半导体;;二、杂质半导体的导电作用;三、P 型与N 型半导体的简化示意图;;3. 扩散和漂移达到动态平衡;;;三、PN 结的伏安特性;1.2　半导体二极管;1.2.1 二极管的结构和类型;点接触型;1.2.2 二极管的伏安特性;二、二极管的伏安特性;反向击穿类型：;硅管的伏安特性;温度对二极管特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数;影响工作频率的原因 —;1.2.4 二极管的常用电路模型;二、二极管的恒压降模型;三、二极管的折线近似模型;半导体二极管的型号(补充) 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管;1.2.5 稳压二极管;二、主要参数;5. 稳定电压温度系数 CT;补充： 发光二极管与光敏二极管;2. 主要参数;二、光敏二极管;补充：选择二极管限流电阻;UD(on);[解];例2： 试求电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。;UO = VDD1 ? UD(on)= 15 ? 0.7 = 14.3 (V);例3： 二极管构成“门”电路，设 D1、D2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UO 的值。;输入电压;例4：画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui = 15sin?t (V) 作用下输出 uO 的波形。;O;例5：ui = 2 sin ?t (V)，分析二极管的限幅作用。;思考题:;例6：分析简单稳压电路的工作原理， R 为限流电阻。;练习：已知 ui = 4 sin ?t (V)，二极管为理想二极管，画出uo的波形。 ;补充： 图解法和微变等效电路法;也可取 UQ = 0.7 V;iD / mA;iD / mA;;2. 动态分析;1.3　双极型半导体三极管;1.3.1 BJT的结构及类型;二、分类;1.3.2 BJT的电流放大作用;实现电路:;3. 三极管内部载流子的传输过程;I CN;4. 三极管的电流分配关系;;1.3.3 晶体三极管的特性曲线;O;二、输出特性;;;1.3.4 晶体三极管的主要参数;;三、极限参数;U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B 极间反向击穿电压。;1.3.4 温度对BJT特性曲线的影响;2. 温度升高，输出特性曲线向上移。;半导体三极管的型号（补充） 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。;例：判断下图各三极管的工作状态。;1.4　场效应管;概 述;特点：;1.4.1 结型场效应管 1. 结构与符号;2. 工作原理;2） UDS 对沟道的控制作用;3. 转移特性和输出特性;一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET);2. 工作原理;1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0);2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th));3. 转移特性曲线;4. 输出特性曲线;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET;二、耗尽型 N 沟道 MOSFET（续）;三、P 沟道 MOSFET;N 沟道增强型;O uDS /V;1.4.3 场效应管的主要参数;UGS(th);4. 低频跨导 gm ;PDM = uDS iD，受温度限制。;例：判断下图各场效应管的工作状态。已知UGS（th）=2V;一、两种半导体和两种载流子;iD;3. 二极管的等效模型;4. 二极管的分析方法;三、两种半导体放大器件;放 大