微电子学综合实验指导书(实验1)研究.doc

第  PAGE 8 页 共  NUMPAGES 8 页 实验指导书 实验名称：实验一、半导体霍尔效应 学时安排： 4学时 实验类别：验证性 实验要求： 必做 一、实验目的 理解霍尔效应的物理意义； 了解霍尔元件的实际应用； 掌握判断半导体导电类型，学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度、漂移迁移率及霍尔迁移率的实验方法。 二、实验原理 将一块宽为2a，厚为d，长为b的半导体样品，在X方向通以均匀电流IX，Z方向上加有均匀的磁场Bz时（见图1.1所示），则在Y方向上使产生一个电势差，这个电势差为霍尔电势差，用UH表示，这种现象就称为霍尔效应。 图 1.1 与霍尔电势对应的电场，叫做霍尔电场，用EY表示，其大小与电流密度JX和所加磁场强度Bz成正比，可以定义如下形式： EY = RH·BZ·JX （1） 上式中，RH为比例系数，称为霍尔系数。 霍尔效应的物理意义可做如下解释：半导体中的电流是载流子（电子或空穴）的定向动动引起的，一人以速度υx运动的载流子，将受到沦仑兹力fB = e υx BZ的作用，使载流子沿虚线方向偏转，如图1.2所示，并最后堆积在与Y轴垂直的两个面上，因而产生静电场EY，此电场对载流子的静电作用力fE=e EY,它与磁场对运动载流子的沦仑兹力fB大小相等，电荷就能无偏离地通过半导体，因而在Y方向上就有一个恒定的电场EY。下面以N型半导体为例： 有 eυx BZ = e EY （2） 电流密度 所以 （3） 将（3）式与（1）式比较，可得： （4） 上式中n为电子的浓度，e 为电子电荷量，其值为e = 1.602 × 10-19C。同理，如果霍尔元件是P型（既载流子为空穴）半导体制成的，则RH =1/（pe），其中p为空穴的浓度。 图 1.2 又因 由（3）式得： (5) KH为霍尔元件灵敏度，单位为V/（A·T） 所以 RH = KH ·d （6) 霍尔系数RH的单位为m3/C（米3/库仑） 如果霍尔元件的灵敏度KH已经测定，就可以用式（5）来测量未知磁场BZ，既有： （7） 由图1.2可以看出，若载流子带正电，则所测出的UH极性为下正上负；若载流子带负电，则所测出的UH极性为上正下负。所以，如果知道磁场方向和工作电流方向，就可以确定载流子的类型。反之，如果知道载流子的类型和工作电流方向，就可以判定磁场的方向。 概据半导体物理性质可知，载流子在半导体中运动时，它将不断地得到散射， RH还必须用半导体物理理论加以适当修正，即 ( 8 ) ( 9 ) 式中为一个偏离1不大的因子，它与半导体的能带结构和散射机理有关，具体地说，对于球形等能面的非简并半导体来说： 长声学波散射时（晶格散射） 电离杂质散射时 对高度简并化的半导体 我们知道，电导率或，式中μN为N型半导体的漂移迁移率。将此式与（8）式比较，可得 如果用μH表示RH ·σ 即 （10） μN叫做霍尔迁移率 所以 （11） 通过实