气敏传感器课题.pptxVIP

气敏传感器 小型化 低功耗化;;气敏传感器 ？;; 在清洁空气中的 SnO2 气体传感器表面发生的氧吸附过程通常先是物理吸附， 物理吸附氧经过一段时间， 反应成为化学吸附氧离子 O -( ch) ，即 化学吸附氧离子 O－ ( ch) 从 SnO2 导带抽取电子，使材料电阻增加．当 SnO2 暴露在还原性气氛中时， 因和表面的O － ( ch) 发生还原过程， 降低了 O － ( ch) 的密度， 同时将电子释放回导带， 使 SnO2 阻值下降， 即 上述两种不可逆反应在相反方向上进行， 并在给定温度和还原性气氛分压下达到稳态平衡， 即 O －( ch) 发生还原过程， 降低了 O － ( ch) 密度达到一平衡值， 导致半导体表面电荷耗尽层的消失或减少， 半导体电子浓度增加， 电导率上升， 由传感器电导的变导的变化来检测环境中的各种气体;选择性是评价气敏传感器使用价值的重要性能指标 传统的广谱型气敏传感器能对大多数还原性气体响应 , 但无法分辩气体类型 , 在很大程度上受吸附 、 表面化学反应而限制了传感器的使用范围 。 ;Why ？;集加热电阻、温度传感器和气敏电阻测量点集于一体的硅基膜片;由于硅有很高的热导率 ,实验证明 ,如果经各向异性腐蚀后的膜片上没有保留硅层 ,而且膜片周围硅框与管座接触良好 ,当工作区即加热电极所占区域温度为 300℃ 时 ,硅框的温度仍接近室温 .由 此可假定硅框的温度保持在室温 ,要讨论的便是一个具有恒温边界的热膜片问题 . 膜片的热损耗途径主要有膜片热传导 ( Pc )、 周 围空气的对流与热传导 ( Pk )以及膜片热辐射 (P R) .;空气的对流与热传导是微结构基本单元热损耗的主要途径 ;增大薄区膜片边长或者减小工作区边长 ,从而增大边长比 ( u /a ) ,虽然可以减小膜片热传导损耗 ,但因这部分热损耗所占比例很小 ,总的热损耗不会降低很多 ;膜片与工作区的边长分布别为 1 m m和 0. 8 mm;在氮氧化硅膜片厚度为 2 μ m,工作区 0. 72 m m的面积保持 300℃的温度时 ,加热功率随薄区膜片的边长增大迅速下降然后趋于平缓 ; 当薄区膜片边长大于 1. 4 mm时 ,也就是当薄区膜片边长与工作区边长之比大于 2时 ,功耗下降非常缓慢 ,这与理论分析结果完全一致 .;空气对流;微结构气敏传感器的最新科技;参考文献;Thanks for your attention!