集成电路制造工艺(微电子)预案.ppt

第 四 章 集成电路制造工艺;CMOS集成电路制造工艺;;形成N阱 初始氧化 淀积氮化硅层 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷;;;;;形成N管源漏区 光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来 离子注入磷或砷，形成N管源漏区 形成P管源漏区 光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来 离子注入硼，形成P管源漏区;;;;;;AA;双极集成电路制造工艺;;制作埋层 初始氧化，热生长厚度约为500～1000nm的氧化层 光刻1#版(埋层版)，利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉，并去掉光刻胶 进行大剂量As+注入并退火，形成n+埋层;;;;;;;;金属化 淀积金属，一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等 光刻6#版(连线版)，形成金属互连线 合金：使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触，一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20～30分钟 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 光刻7#版(钝化??) 刻蚀氮化硅，形成钝化图形;接触与互连;几个概念 场区 有源区 栅结构材料 Al-二氧化硅结构 多晶硅-二氧化硅结构 难熔金属硅化物/多晶硅-二氧化硅结构;Salicide工艺 淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层； 淀积Ti或Co等难熔金属 RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属； 最后形成Salicide结构;隔离技术;;;;LOCOS隔离工艺;沟槽