低温物理与技术-第6章低温物性测量技巧.pptVIP

第7章 低温物性测量; Vs=Ig(Rc2+Rc3)+ IgRg =(Is- Ig)Rs V4 = IgRg If RgRc2, RgRc3, Rg+Rc2+Rc3Rs, IsIg V4?Vs; V=Is(Rc1+Rc4)+ IsRs V4 ? IsRs If Rc1+Rc4+Rs Rout RoutRc1, RoutRc4, Is?cons. V4?Vs;t–样品厚度;电极制作 ?引线材料：金、银、铜、铂、镀银铜丝、超导材料等 ?粘接材料：焊锡、铟、银胶、金胶、碳胶、银、环氧树脂等 ?粘接方式：焊接、粘接、压接（压铟、机械压接）、超声点焊、喷涂等 ?样品预处理：去绝缘层、镀膜、退火/烧结、擦铟;超声焊接;接触电阻的两个来源： 势垒层 接触面收缩;金属电阻率的实验观测; 更多实验指出，许多纯金属的电阻率在很宽的温度范围内，可用下面经验公式描述，;当T?/3时, 电阻随温度线性变化;;几种金属的约化电阻率 和约化温度的关系;Zero resistance;(a) Insulator;△E;E～k, 能带结构（能量色散关系）;平面波的特性：它能通过完整的周期性结构而不会被放射到其它方向。因此，一个电子能通过一个完整的晶体而其原方向上的动量不会有任何损失。换句话说，如果使一电流在完整晶体中流动(这相当于在电流方向上给导电电子一净动量)，那么，这电流将不会受到阻碍。;典型金属 Cu 的电导率温度关系 取自 Solid State Chemistry and Physics;作为对比，我们给出 n型半导体 Si 的电导率温度关系， 在同样温度区域明显看出其差别是很大的。;费米面附近态密度对电阻率的影响：;所以，电阻率正比于费米面附近的态密度。这就是过渡族金属电阻率一般比较高的原因。过渡族金属费米附近有 s 电子能带，也有 d 电子能带，d 带比较窄，有效质量大，导电主要依靠 s 电子。但是 d 带态密度远高于 s带， s 电子被散射到 d 带的几率非常高。s-d 散射是过渡族金属电阻率高的主要原因。实际原因还更复杂， 这里不再讨论。; 对于实际材料，电子不但要受到声子的散射，还要受到材料中杂质、缺陷等的散射。以杂质原子散射为例，杂质原子的激发态一般远高于室温对应的能量，因此，电子被杂质原子散射几乎全是弹性散射，因为处于基态的杂质原子不可能给于电子能量，同时，电子如果给予杂质原子能量使其跃迁到激发态，电子损失的能量太多，在费米球内没有空态可以容纳。 所以杂质原子一直处于基态，它对电子的散射势将不随温度变化。;纯净 Ag 及掺入杂质后的电阻率随温度的变化; 在非磁性的简单金属（如Cu,Ag,Au,Mg,Zn等）中加入微量的磁性杂质（如Fe,Mn,V,Mo等）形成的稀磁合金，其低温下电阻率温度关系不像一般金属那样单调变化，而是会出现一个极小值的现象，最初人们无法解释这一电阻反常，后来（1964年）近藤正确解释了这一现象，所以被称为近藤效应。;近藤效应的实验表明，当电阻率反常时存在局域磁矩，表明同杂质原子的磁性有关。同时，当掺杂的磁性杂质原子非常少时，也能测量到近藤效应，则表明同杂质原子之间的相互作用无关。近藤效应是传导电子同磁性杂质原子交换相互作用所导致的， 传导电子和磁性杂质原子间的交换作用能为：;取自冯端：凝聚态物理 p406;1975年发现NbSe3的非线性电导特性;CDW形成示意图;;无序体系的直流电导（多晶样品电导) 1.跳跃电导 体系处于强定域区，许多电子态为定域态，相邻定域态间的能量十分不同。;In the high-temperature insulating region above the Curie temperature Tc, the electrical resistivities data were fitted by Mott’s variable-range-hopping (VRH) model, ?(T ) = ?0 exp(T0/T )1/4, where ?0 is the prefactor, T0 is the characteristic VRH temperature. T0 can be expressed as T0 = (??3)/[?BN(eF )], where N(eF ) is the density of the states at the Fermi level, ? is a dimensionless constant, ?B is the Boltzmann’s constant and ? is the inverse